TFT基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板结构及其制作方法。本发明专利技术的TFT基板结构，在非晶硅层与金属层之间设有N型轻掺杂非晶硅层与N型重掺杂非晶硅层，形成掺杂的浓度梯度，使得金属层和非晶硅层间的能量势垒较低，使电子注入更加容易，同时在不降低工作电流的前提下降低漏电流，改善了TFT的电性。本发明专利技术的TFT基板结构的制作方法，通过在非晶硅层与金属层之间形成N型轻掺杂非晶硅层与N型重掺杂非晶硅层，形成掺杂的浓度梯度，有效降低了金属层和非晶硅层间的能量势垒，使电子注入更加容易，同时在不降低工作电流的前提下降低漏电流，改善了TFT的电性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板结构及其制作方法。
技术介绍
非晶硅(A-Si)是目前半导体行业应用最广泛的有源层材料，A-Si材料与金属接触时因为有较大的势能差，难以形成欧姆接触，实际应用中，为了获得金属和半导体之间的欧姆接触，一般对半导体表面进行重掺杂P元素，降低金属和半导体的接触阻抗，提高电流效率。图1所示为一种现有TFT基板结构的剖面示意图。该TFT基板结构包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述基板100上覆盖所述栅极200的栅极绝缘层300、对应所述栅极200上方设于所述栅极绝缘层300上的非晶硅层400、及设于所述栅极绝缘层300上分别与所述非晶硅层400的两侧相接触的源极500与漏极600。所述非晶硅层400上对应所述栅极200的上方形成有沟道区450 ;所述非晶硅层400表面对应所述沟道区450的两侧分别形成有第一、第二 N型重掺杂区410、420。所述源极500与漏极600分别与所述第一、第二 N型重掺杂区410、420的表面相接触。图2所示为具有图1的TFT基板结构的A-Si器件的漏电流1ff随栅电压Vg变化的曲线图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板结构，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的栅极(20)、设于所述基板(10)上覆盖所述栅极(20)的栅极绝缘层(30)、对应所述栅极(20)上方设于所述栅极绝缘层(30)上的岛状半导体层(40)、及设于所述栅极绝缘层(30)上分别与所述岛状半导体层(40)的两侧相接触的源极(50)与漏极(60)；所述岛状半导体层(40)包括从下到上依次叠加的非晶硅层(41)、N型轻掺杂非晶硅层(42)、及N型重掺杂非晶硅层(43)，所述岛状半导体层(40)上设有U型槽(44)，所述U型槽(44)贯穿所述N型轻掺杂非晶硅层(42)与N型重掺杂非晶硅层(43)，将所述N型重掺杂非晶...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晓文，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44