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本发明提供一种TFT基板结构及其制作方法。本发明的TFT基板结构，在非晶硅层与金属层之间设有N型轻掺杂非晶硅层与N型重掺杂非晶硅层，形成掺杂的浓度梯度，使得金属层和非晶硅层间的能量势垒较低，使电子注入更加容易，同时在不降低工作电流的前提下降...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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