本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，包括衬底基板，位于衬底基板上的栅电极，与栅电极相互绝缘的有源层、与有源层分别电连接的源电极和漏电极；在源电极和/或漏电极的表面设置有至少一个凹槽，通过在表面设置凹槽达到增加源电极或漏电极的表面积的目的，且凹槽越多，源电极或漏电极的表面积越大，而源电极和漏电极的表面积越大，薄膜晶体管的散热能力也就越强。因此本发明专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管由于在源电极和/或漏电极的表面设置有凹槽，因此可以增加源电极和漏电极的表面积，从而可以提高薄膜晶体管的散热效率，进而可以避免薄膜晶体管因过热而烧坏。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤指一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为集成电路的基本元件，被普遍的用于半导体产品中，目前，现有的薄膜晶体管一般为非晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly Silicon)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管。随着半导体技术的发展，薄膜晶体管的迀移率也越来越高，但是随着迀移率的提高，薄膜晶体管的发热问题也越来越严重，而薄膜晶体管过热会出现烧坏的现象。因此，如何提高薄膜晶体管的散热是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，用以提高薄膜晶体管的散热效率，从而避免薄膜晶体管因过热出现烧坏的现象。本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的栅电极，与所述栅电极相互绝缘的有源层、与所述有源层分别电连接的源电极和漏电极；所述源电极和/或所述漏电极的表面具有至少一个凹槽。具体地，本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管为底栅型结构、顶栅型结构、交叠型结构、反交叠型结构、共面型结构或反共面型结构。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管为底栅型结构或顶栅型结构，所述源电极和/或所述漏电极在背离所述衬底基板一侧具有多个凹槽。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源电极和/或所述漏电极在背离所述衬底基板一侧为锯齿状结构。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源电极和/或所述漏电极在面向所述衬底基板一侧具有多个凹槽。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源电极和/或所述漏电极在面向所述衬底基板一侧为锯齿状结构。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述栅电极在背离所述衬底基板一侧和/或面向所述衬底基板一侧具有多个凹槽。较佳地，为了提高散热面积，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述栅电极在背离所述衬底基板一侧和/或面向所述衬底基板一侧为锯齿状结构。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种薄膜晶体管。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述阵列基板。本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，包括衬底基板，位于衬底基板上的栅电极，与栅电极相互绝缘的有源层、与有源层分别电连接的源电极和漏电极；在源电极和/或漏电极的表面设置有至少一个凹槽，通过在表面设置凹槽达到增加源电极或漏电极的表面积的目的，且凹槽越多，源电极或漏电极的表面积越大，而源电极和漏电极的表面积越大，薄膜晶体管的散热能力也就越强。因此本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管由于在源电极和/或漏电极的表面设置有凹槽，因此可以增加源电极和漏电极的表面积，从而可以提高薄膜晶体管的散热效率，进而可以避免薄膜晶体管因过热而烧坏。【附图说明】图1a为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之一；图1b为图1a所不薄I旲晶体管的俯视结构不意图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之二；图3为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之三；图4a为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之四；图4b为图4a所不薄I旲晶体管的俯视结构不意图；图4c为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之五；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖面结构示意图之六。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的薄膜晶体管、阵列基板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映薄膜晶体管的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管，如图1a至图5所示，包括:衬底基板01，位于衬底基板01上的栅电极02，与栅电极02相互绝缘的有源层03、与有源层03分别电连接的源电极04和漏电极05 ；源电极04和/或漏电极05的表面具有至少一个凹槽。本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管，在源电极和/或漏电极的表面设置有至少一个凹槽，通过在表面设置凹槽达到增加源电极或漏电极的表面积的目的，且凹槽越多，源电极或漏电极的表面积越大，而源电极和漏电极的表面积越大，薄膜晶体管的散热能力也就越强。因此本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管由于在源电极和/或漏电极的表面设置有凹槽，因此可以增加源电极和漏电极的表面积，从而可以提高薄膜晶体管的散热效率，进而可以避免薄膜晶体管因过热而烧坏。需要说明的是，本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管，源电极和漏电极的表面积越大，薄膜晶体管的散热效率越高，因此可以在源电极和/或漏电极的表面设置有多个凹槽。较佳低，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，位于源电极或漏电极表面的凹槽可以设置成整体排列的一排，从而使电极具有凹槽一侧呈锯齿状结构。具体地，专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管，与薄膜晶体管的结构类型无关，适用于现有的任意一种结构，例如薄膜晶体管可以为底栅型结构、顶栅型结构、交叠型结构、反交叠型结构、共面型结构或反共面型结构，在此不作限定，只要是通过在薄膜晶体管的源电极和/或漏电极的表面设置凹槽来达到提高散热效率的薄膜晶体管均属于本专利技术的保护范围。下面以薄膜晶体管为底栅型结构或顶栅型结构为例进行说明，需要说明的是，本实施例中是为了更好的解释本专利技术，但不限制本专利技术，并且图1a至图5均是以底栅型结构的薄膜晶体管为例进行示意说明。进一步地，在本专利技术实施例提供的上述薄膜晶体管中，当薄膜晶体管为底栅型结构或顶栅型结构时，如图1a和图1b所示(图1b为图1a的俯视图)，源电极04和/或漏电极05在背离衬底基板01 —侧的表面具有多当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的栅电极，与所述栅电极相互绝缘的有源层、与所述有源层分别电连接的源电极和漏电极，其特征在于：所述源电极和/或所述漏电极的表面具有至少一个凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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