晶片检测方法及设备技术

本发明专利技术公开了一种晶片检测方法及设备，其中晶片检测方法包括如下步骤：转盘在接收到控制器发送的转动至预设目标位置的命令信号后，启动转动；控制器检测到转盘放置晶片位置与传感器的位置对应时，发送检测命令信号至传感器；传感器接收到检测命令信号后，检测到转盘放置晶片位置的状态与传感器中记录状态相同时，控制转盘放置晶片位置转动至预设目标位置。其通过增加在晶片进入工艺腔室之前的检测功能，有效地避免了无片情况下进行工艺所导致的能源浪费与工艺腔室污染的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种晶片检测方法及设备。
技术介绍
PVD (物理气相沉积)是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发，并使蒸发物质与气体均发生电离，同时利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在晶片上。物理气相沉积的方法主要有真空蒸镀、电弧等离子体镀、离子镀膜、以及分子束外延等，目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体和聚合物等。通常为确保工艺性能，PVD工艺腔室需要进行两种调节工艺。第一调节工艺为预烧靶材，预烧靶材通常是在PVD工艺腔室已经暴露在大气中或停用一段时间之后，将靶材表面的氧化物和其他杂质清除，在预烧靶材工艺期间，将辅助晶片或遮蔽盘覆盖在基座上，以防止氧化物和其他杂质沉积到基座上；第二调节工艺为涂覆，涂覆一般是在传统PVD工艺期间沉积在PVD工艺腔室内表面上的材料表面涂覆一层覆盖物，如:氮化钛的PVD应用通常在PVD工艺腔室内表面产生一层氮化钛，该氮化钛层易碎，并且在后续工艺期间剥落，影响工艺性能，因此通过在该氮化钛层表面涂覆一层钛，以防止氮化钛层的剥落，保证后续工艺性能。通常，相隔预定间隔时间进行一次涂覆。目前，对晶片进行PVD工艺时，采用的设备如图1所示。当晶片在工艺腔室进行工艺时，基座在Ped电机的驱动下,带动晶片向上升至工艺位置,在此过程中，基座经过CoverΟ-ring(阀盖O形环)位置时,携带Cover 0_ring—起上升至工艺位置,此时,Cover 0-ring将晶片固定在基座上，进行工艺；待工艺完成后，由于工艺时间过长或其他原因，当Ped电机驱动基座移动至低位时，晶片很容易被卡在Cover Ο-ring上面,这就很容易导致当转盘进入下一工艺腔室进行下一工艺时，出现无片的情况，污染基座及工艺腔室，同时还会造成资源的浪费，增加生产成本。
技术实现思路
基于此，有必要针对晶片进行下一工艺时出现无片的问题，提供一种晶片检测方法及设备。一种晶片检测方法，包括如下步骤:S100，转盘在接收到控制器发送的转动至预设目标位置的命令信号后，启动转动；S200，所述控制器检测到转盘放置晶片位置与传感器的位置对应时，发送检测命令信号至所述传感器；S300，所述传感器接收到所述检测命令信号后，检测到所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态相同时，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述预设目标位置。其中，所述步骤S200包括如下步骤:S210，检测所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置是否对应；S220，当所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置对应时，发送检测命令信号至所述传感器；S220’，当所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置不对应时，根据所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置，计算所述转盘的第一转动角度；S230’，根据所述转盘的第一转动角度，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述传感器的位置。其中，所述步骤S300包括如下步骤:S310，所述传感器接收到所述检测命令信号后，检测所述转盘放置晶片位置的状态；S320，当所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态不同时，发出报警指令;S320’，当所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态相同时，根据当前所述转盘放置晶片位置与所述预设目标位置，计算所述转盘的第二转动角度；S330’，根据所述转盘的第二转动角度，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述预设目标位置。其中，还包括如下步骤:S100’，根据当前所述转盘的位置，计算所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置的对应关系。相应的，为实现上述晶片检测方法，本专利技术还提供了一种晶片检测设备，包括转盘、传感器和控制器，其中:所述传感器，设置在转盘放置晶片位置与预设目标位置之间，位于所述转盘上方；所述控制器，分别与所述转盘和所述传感器连接，包括信号发送模块、第一检测模块和第一控制模块，其中:所述信号发送模块，用于向所述转盘发送转动至所述预设目标位置的命令信号；所述第一检测模块，用于检测到所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置对应时，发送检测命令信号至所述传感器；所述第一控制模块，用于当所述传感器检测到所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态相同时，控制所述转盘转动至所述预设目标位置。其中，所述第一检测模块包括第一检测单元、第一计算单元和第一控制单元，其中:所述第一检测单元，用于检测所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置是否对应；所述第一计算单元，用于当所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置不对应时，根据所述转盘放置晶片位置和所述传感器的位置，计算所述转盘的第一转动角度；所述第一控制单元，用于根据所述转盘的第一转动角度，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述传感器的位置。其中，所述第一控制模块包括第二控制单元、第二计算单元和第三控制单元，其中:所述第二控制单元，用于当所述传感器检测到所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态不同时，发送报警指令；所述第二计算单元，用于当所述传感器检测到所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态相同时，根据所述转盘放置晶片位置与所述预设目标位置，计算所述转盘的第二转动角度；所述第三控制单元，用于根据所述转盘的第二转动角度，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述预设目标位置。其中，所述控制器还包括第一计算模块，其中:所述第一计算模块，用于根据当前所述转盘的位置，计算所述转盘放置晶片位置与所述传感器的位置的对应关系。其中，所述传感器为距离设定式传感器。本专利技术提供的一种晶片检测方法及设备，其中方法为，在转盘将晶片送入下一工艺腔室之前，对转盘放置晶片位置的状态进行检测，以判断该转盘放置晶片位置处是否存在晶片，若存在，则通过转动转盘，将晶片送入下一工艺腔室进行工艺，其通过增加在晶片进入工艺腔室之前的检测功能，有效地避免了无片情况下进行工艺所导致的能源浪费与工艺腔室污染的问题。【附图说明】图1为PVD设备中工艺腔室结构示意图；图2为晶片检测方法一具体实施例流程图；图3为晶片检测方法另一具体实施例流程图；图4为晶片检测设备一具体实施例结构示意图；图5为晶片检测设备另一具体实施例结构意图；图6为晶片检测设备又一具体实施例结构示意图；【具体实施方式】为使本专利技术技术方案更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。参见图2，一种晶片检测方法，包括如下步骤:S100，转盘在接收到控制器发送的转动至预设目标位置的命令信号后，启动转动；S200，控制器检测到转盘放置晶片当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片检测方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，转盘在接收到控制器发送的转动至预设目标位置的命令信号后，启动转动；S200，所述控制器检测到转盘放置晶片位置与传感器的位置对应时，发送检测命令信号至所述传感器；S300，所述传感器接收到所述检测命令信号后，检测到所述转盘放置晶片位置的状态与所述传感器中记录状态相同时，控制所述转盘放置晶片位置转动至所述预设目标位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩盼盼，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11