The present invention provides a method and apparatus, a substrate scratch detection includes: the surface of the insulation layer by forming an oxide material distributed circuit substrate fanout region; the first line of the distributed capacitance detection line in value; the first capacitance value of second capacitors and standard products were compared according to the comparison result; to determine the surface of the insulation layer substrate scratch area fanout insulating layer, so as to solve the problem of surface scratch production and circulation in the substrate of liquid crystal substrate fanout region, so as to realize the process monitoring.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
,具体地涉及一种基板划伤检测的方法和设备。
技术介绍
随着显示技术的发展,液晶显示装置已经成为人们日常生活中的主流产品。目前,液晶显示产品(LiquidCrystalDisplay:简称LCD)在进行第二次切割后,基板的薄膜晶体管扇出TFTFanOut区域会暴露出来(参见图1所示),基板在后续生产流通环节中,由于各种原因,很容易出现TFTFanOut区域的信号线路上方绝缘层划伤的情况,该划伤会导致绝缘层破损,金属暴露后线路腐蚀,使TFTFanOut区域出现线缺陷导致显示区域LineDefect,从而使问题产品进行出货。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的是针对现有技术中存在的问题,提供一种基板划伤检测的方法和设备,以解决基板生产流通环节中TFTFanOut区域的绝缘层表面划伤的问题。本专利技术提供的一种基板划伤检测的方法,包括:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路;检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值;将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较;根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。可选的,所述在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路的步骤包括:根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路;或者,根据集成电路的成本形成分布式线路。可选的,所述根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路包括:根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。可选的,所述根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤的步骤包括:若所述第一电容值不等于所述第二电容值, ...
【技术保护点】
一种基板划伤检测的方法,其特征在于,包括:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路;检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值;将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较;根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。
【技术特征摘要】
1.一种基板划伤检测的方法,其特征在于,包括:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路;检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值;将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较;根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路的步骤包括:根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路;或者,根据集成电路的成本形成分布式线路。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路包括:根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤的步骤包括:若所述第一电容值不等于所述第二电容值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据比较结果确定基板绝缘层表面划伤的步骤包括:若所述第一电容值与所述第二电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤;或者,若所述第二电容值与所述第一电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员:李卿硕,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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