CMOS晶体管的形成方法技术

一种CMOS晶体管的形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域，位于所述NMOS区域表面的第一凹槽，位于所述PMOS区域表面的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽的内壁表面以及介质层表面依次形成栅介质材料层、第一金属层、第二金属层、第三金属层；形成填充第一凹槽和第二凹槽的覆盖材料层，覆盖材料层的材料为绝缘介质材料；去除NMOS区域上的覆盖材料层；去除第二凹槽内部分厚度的覆盖材料层，形成覆盖层；去除第一凹槽内、介质层上方以及覆盖层上方的第二凹槽内的第三金属层、第二金属层；去除覆盖层，在第一凹槽和第二凹槽内形成第一栅极和第二栅极。上述方法可以提高CMOS晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述半导体衬底表面具有介质层，所述NMOS区域表面的介质层内具有第一凹槽，所述PMOS区域表面的介质层内具有第二凹槽；在所述第一凹槽和第二凹槽的内壁表面以及介质层表面依次形成栅介质材料层、位于栅介质材料层表面的第一金属层、位于所述第一金属层表面的第二金属层、位于所述第二金属层表面的第三金属层；形成填充所述第一凹槽和第二凹槽的覆盖材料层，所述覆盖材料层的材料为绝缘介质材料；去除NMOS区域上的覆盖材料层；去除第二凹槽内部分厚度的覆盖材料层，形成覆盖层，使所述第二凹槽内的覆盖层的表面低于介质层的表面；以所述覆盖层为掩膜，去除第一凹槽内、介质层上方以及所述覆盖层上方的第二凹槽内的第三金属层、第二金属层；去除所述覆盖层，然后在所述第一凹槽内形成第一栅极，在第二凹槽内形成第二栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31