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一种CMOS晶体管的形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域，位于所述NMOS区域表面的第一凹槽，位于所述PMOS区域表面的第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽的内壁表面以及介质层表面依次形成栅介质材料层、第一金...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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