【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断进步，半导体器件的集成度越来越高，栅极的线宽越来越小，栅极下面的导电沟道的长度也不断的减小，要求源极和漏极相应的变浅。目前的工艺水平要求半导体器件的源极和漏极结的深度小于1000埃，而且最终可能要求结的深度在200埃或者更小的数量级，当前源极和漏极几乎都是以离子注入工艺来进行掺杂形成的。因此，如何以毫微米的工艺技术制造金属–氧化物–半导体（MOS）晶体管的源极和漏极，是目前和未来离子注入技术的发展方向。在半导体制造工艺中，热处理的制程不可或缺。晶圆在经过离子注入后进行热处理，能使注入的离子从表面向晶圆内部扩散，从而形成理想的P或N阱区。即，热处理工艺可以活化离子注入工艺注入的离子，使先前注入的离子扩散的更为均匀，并修复注入到半导体衬底中的高能离子所造成的晶格结构损伤。目前，通常使用纯氮气（N2）作为热处理的气体。但在热处理的过程中，晶圆上如有纯硅界面裸露的区域例如零层标记（zeromark），容易出现剥落缺陷（peelingdefect...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有零层标记，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气，所述氧气的流量是0.1L/min～0.5L/min，从而在晶圆表面形成一氧化层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧气的流量是0.2L/min～0.3L/min。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氮气的流量是8～12L/min。4.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏禹，刘丽丽，徐杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。