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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气。本发明在热处理过程中加入氧气，通入的氧气会在晶圆表...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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