存储器件、存储系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术公开一种存储器件，其包括：单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新该多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于：在该多个字线当中选择对应于该计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比该第一周期长的第二周期内和在该第二操作模式开始之后的高频区段中在比该第二周期短的第三周期内刷新选中的字线。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请主张于2013年8月9日提出申请的韩国专利申请第10-2013-0094781号的优先权，该韩国专利申请以其全文引用的方式并入本文中。
本专利技术的例不性实施例涉和一种存储器件、一种存储系统和一种用于操作存储器件的方法。
技术介绍
存储器件的存储器单元由用于储存电荷(是数据)的电容器和用于开关电容器的晶体管形成。数据的逻辑电平(是高(逻辑电平I)或低(逻辑电平O))取决于电容器中电荷的累积，此意指数据的逻辑电平取决于电容器的电压。 由于数据以电容器中所累积电荷的形式储存，因此在理论上不存在功耗。然而，由于电容器中的所累积电荷被放电且所累积电荷量因由晶体管的PN结引起的电流泄露而降低，因此数据会在无电力供应的情况下丢失。为了防止数据丢失，存储器单元的电容器应在储存于电容器中的数据丢失之前反复地再充电以便保持电荷量。给存储器单元反复地再充电的此过程称为刷新操作。 响应于自存储器控制器施加的刷新命令而在存储器件中执行刷新操作。存储器控制器以和考虑存储器件的数据保持时间的预定周期将刷新命令重复地施加至存储器件。例如，当假设存储器件的数据保持时间是大致64ms时，那么存储器件中的整个存储器单元会以刷新命令的约8000次输入被刷新。亦即，存储器控制器在大致64ms内将刷新命令施加至存储器件大致8000次以执行刷新操作。 随着存储器件的集成度增大，包含于存储器件中的多个字线之间的间隙减小且邻近字线之间的耦合效应增大。出于此原因，与在刷新操作期间的邻近字线相比，当频繁地激活存储器件的特定字线时，会损坏与相邻于特定字线的多个字线耦接的存储器单元的数据。此现象称为字线干扰。
技术实现思路
本专利技术的实施例是针对一种存储器件和一种可以防止字线干扰的存储系统。 根据本专利技术的实施例，一种存储器件可以包括:单元阵列，其具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，其适合于:在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内以及在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新所述选中的字线。 根据本专利技术的另一实施例，一种存储器件可以包括:单元阵列，其被配置具有多个字线；地址计数单元，其适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；刷新控制单元，其适合于:在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且响应于周期性刷新命令而刷新所述选中的字线A次，其中A是等于或大于2的有理数；响应于周期性第二刷新信号而刷新所述选中的字线B次，其中B是小于A的有理数；及在高频区段中响应于所述周期性第二刷新信号而刷新所述选中的字线C次，其中C是大于B的有理数；以及第二刷新控制单元，其适合于从使能第二刷新进入命令时至使能第二刷新退出命令时使能所述周期性第二刷新信号。 根据本专利技术的另一实施例，一种存储系统可以包括:存储器件，所述存储器件包括具有多个字线的单元阵列、且适合于:在第一操作模式期间在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内且在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新所述单元阵列；以及存储器控制器，其适合于:在所述第一操作模式期间以所述设定周期将刷新命令输入至所述存储器件中、且将存储器件设定在所述第二操作模式中。 根据本专利技术的另一实施例，一种用于操作包含具有多个字线的单元阵列的存储器件的方法可以包括以下操作:响应于周期性刷新命令而在第一周期内刷新所述单元阵列；响应于第二刷新而进入命令进入第二操作模式；以及在第二操作模式中在比所述第一周期长的第二周期内和在所述第二操作模式开始之后的高频区段期间在比所述第二周期短的第三周期内刷新所述单元阵列。 【附图说明】 图1是图解说明存储器件的单元阵列的一部分的电路图； 图2是图解说明刷新操作的波形图； 图3是图解说明根据本专利技术的实施例的存储器件的框图； 图4是图解说明图3中所示的存储器件的周期控制单元的两项实例的框图； 图5是图解说明图3中所示的存储器件的操作的波形图； 图6是图解说明根据本专利技术的实施例的存储系统的框图；且 图7是图解说明根据本专利技术的实施例的用于操作存储器件的方法的流程图。 【具体实施方式】 下文将参考随附附图更详细地阐述本专利技术的例示性实施例。然而，本专利技术可以以不同形式体现且不应被视为局限于本文中所陈述的实施例。而是，提供这些实施例以使得本公开将是充分和完整的且将向本领域技术人员全面传达本专利技术的范围。贯穿本专利技术，在本专利技术的所有各图和实施例中相同附图标记是指相同部件。 附图未必按比例绘制，且在某些例项中，可以夸大比例以便清晰地图解说明所述实施例的特征。当将第一层称为在第二层“上”或在衬底“上”时，其不仅指其中第一层直接形成于第二层上或衬底上的情形，而亦指其中第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情形。亦注意，在此说明书中，“连接/耦接”指一个组件不仅直接耦接另一组件而亦指通过中间组件间接耦接另一组件。另外，单数形式可以包含复数形式，只要句中未特意提及。 图1是图解说明存储器件的单元阵列的一部分的电路图。 图1示出单元阵列中彼此平列安置的多个字线WLK-UWLK和WLK+1。与第K_1字线WLK-1和第K+1字线WLK+1相比，以HIGH_ACT标记的第K字线WLK是频繁地被激活的字线。第K-1字线WLK-1和第K+1字线WLK+1是相邻于第K字线WLK安置的邻近字线。字线WLK-1、WLK和WLK+1分别与存储器单元CELL_K_1、CELL_K和CELL_K+1耦接。亦耦接至位线BL的存储器单元CELL_K-1、CELL_K以及CELL_K+1分别包含单元晶体管TR_K_1、TR_K和TR_K+1 以及单元电容器 CAP_K-1、CAP_K 和 CAP_K+1。 当第K字线WLK被激活或去激活(亦即，预充电)时，字线干扰会发生且邻近字线WLK-1和WLK+1的电压由于发生于第K字线WLK与邻近字线WLK-1和WLK+1之间的耦合效应而升高或降低。此可以影响储存于邻近字线WLK-1和WLK+1的单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量。因此，随着第K字线WLK频繁地被激活且预充电且因此第K字线WLK在激活状态与预充电状态之间进列频繁地切换，会损坏储存于单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中的电荷量或储存于邻近字线WLK-1和WLK+1的存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据。 另外，会损坏与邻近字线耦接的存储器单元的数据，此乃因随着第K字线WLK在激活状态与预充电状态之间进列切换而产生的电磁波致使电子进出邻近字线的单元电容器。 图2是图解说明刷新操作的波形图。在第一操作模式期间响应于刷新命令而执行第一刷新操作。在第二操作模式期间无刷新命令而执行第二刷新操作。 在第一操作模式期间，存储器件可以响应于可以被周期性地输入的刷新命令REF而执行刷新操作一次或多次。在第二操作模式期间，存储器件可以每当第二刷新信号SREF可以被周期性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：单元阵列，具有多个字线；地址计数单元，适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及控制单元，适合于：在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内以及在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新选中的字线。

【技术特征摘要】
2013.08.09 KR 10-2013-00947811.一种存储器件，包括: 单元阵列，具有多个字线； 地址计数单元，适合于产生每当刷新所述多个字线中的一个或多个时改变的计数地址；以及 控制单元，适合于:在所述多个字线当中选择对应于所述计数地址的字线，且在第一操作模式期间响应于刷新命令在第一周期内、在第二操作模式期间在比所述第一周期长的第二周期内以及在所述第二操作模式开始之后的高频区段中在比所述第二周期短的第三周期内刷新选中的字线。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，在所述高频区段期间所述多个字线被刷新一次或多次。3.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述第三周期等于或短于所述第一周期。4.如权利要求1所述的存储器件，其中，将所述高频区段设定为长于所述第三周期乘以所述多个字线的数目。5.如权利要求1所述的存储器件，其中，所述高频区段设定为自所述第二操作模式开始时至所述计数地址的值等于初始计数地址值时的持续时间，所述初始计数地址值是当所述第二操作模式开始时所述计数地址的值。6.如权利要求1所述的存储器件，其中所述控制单元包括: 第二刷新控制单元，适合于从使能第二刷新进入命令时至使能第二刷新退出命令时使能周期性第二刷新信号； 周期控制单元，适合于产生被使能以定义所述高频区段的高频信号； 刷新控制单元，适合于:在所述第一操作模式期间响应于周期性刷新命令而使能刷新信号A次，其中A是等于或大于2的有理数；在所述第二操作模式期间当所述高频信号被禁止时响应于所述周期性第二刷新信号而使能刷新信号B次，其中B是小于A的有理数；且在所述第二操作模式期间当所述高频信号被使能时响应于所述周期性第二刷新信号而使能刷新信号C次，其中C是...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁钟烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR