【技术实现步骤摘要】
本专利技术通常涉及半导体装置，更具体地，涉及包括掩埋栅的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体存储器件高度集成，掩埋字线的线宽度减小。特别地，当多晶硅用于双栅电极以改善栅致漏极泄漏(gidl)性能时，存在由于字线的线宽的减小而电阻增加的问题。因此，亟需开发新的结构，其解决字线的电阻增加的问题，同时改善gidl性能。
技术实现思路
1、本专利技术的各种实施例涉及具有改进电性能的半导体装置，以及用于制造半导体装置的方法。
2、根据本专利技术的实施例，半导体装置包括：形成在衬底中的栅沟槽；栅电介质层，其沿着所述栅沟槽的侧壁和底表面的轮廓形成；第一栅电极和第二栅电极，其堆叠在所述栅电介质层之上以间隙填充所述栅沟槽的一部分；偶极诱导部，其位于在所述第二栅电极与所述栅电介质层之间并且包括偶极键和非偶极键；以及覆盖层，其适于在所述偶极诱导部和所述第二栅电极之上间隙填充所述栅沟槽的剩余部分。
3、根据本专利技术的另一实施例，用于制造半导体装置的方法包括：在衬底中形成栅沟槽；沿着所述栅沟槽的侧壁和底表面的轮廓形成栅电介质层；在所述栅电介质层之上形成第一栅电极，以间隙填充所述栅沟槽的所述底表面；在所述栅电介质层的暴露表面之上形成包括偶极键的偶极诱导层；在所述第一栅电极和所述偶极诱导层之上形成第二栅电极，以间隙填充所述栅沟槽的一部分；将所述偶极诱导层刻蚀至与所述第二栅电极的顶表面相同的水平，以形成偶极诱导部；在所述偶极诱导部上执行用于非偶极键的杂质离子注入工艺；以及形
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偶极键包括偶极诱导化学物质与所述栅电介质层间反应的产物。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述偶极诱导化学物质包括镧。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电介质层包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偶极键是硅酸镧。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述非偶极键包括偶极诱导化学物质和杂质间反应的产物。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述杂质包括氟。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述非偶极键包括镧-氟键。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括氮化钛。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括无杂质氮化钛。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
13.一种
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述偶极诱导层的形成包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述偶极诱导化学物质包括镧。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述偶极诱导源层包括氧化镧。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，使用盐酸通过湿法刻蚀工艺来执行所述偶极诱导源层的去除。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，通过离子倾斜注入工艺执行所述杂质离子注入工艺。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述偶极键包括硅酸镧。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，所述非偶极键包括镧-氟键。
21.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括无杂质氮化钛。
22.根据权利要求13所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偶极键包括偶极诱导化学物质与所述栅电介质层间反应的产物。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述偶极诱导化学物质包括镧。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电介质层包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述偶极键是硅酸镧。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述非偶极键包括偶极诱导化学物质和杂质间反应的产物。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述杂质包括氟。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述非偶极键包括镧-氟键。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括氮化钛。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括无杂质氮化钛。
11.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊植，黄盛焕，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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