半导体器件和具有半导体器件的半导体系统技术方案

一种半导体器件包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于第一控制信号和存储体源地址而从存储体源地址产生被延迟了第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和列命令而从列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于第二控制信号和存储体地址而从存储体地址产生被延迟了第二延迟时间的预充电存储体地址。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和具有半导体器件的半导体系统相关申请的交叉引用本申请要求2013年7月16日提交的申请号为10-2013-0083631的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，更具体而言，涉及一种半导体器件和具有半导体器件的半导体系统。
技术介绍
诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件(在下文中，被称作为“存储器件”)根据控制器的控制来执行用于储存或读取数据的一系列操作。 图1A是用于解释存储器件储存数据的操作的时序图。 参见图1A，当从控制器顺序地施加用于第一激活操作ACT0、第一写入操作WT0、以及第一预充电操作PREO的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第一激活操作ACTO的激活命令ACT、用于第一写入操作WTO的写入命令CASP,以及用于第一预充电操作PREO的预充电命令PRE_CMD。类似地，当顺序地施加用于第二激活操作ACTl、第二写入操作WTl、以及第二预充电操作PREl的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第二激活操作ACTl的激活命令ACT、用于第二写入操作WTl的写入命令CASP、以及用于第二预充电操作PREl的预充电命令PRE_CMD。 此时，存储器件响应于激活命令ACT而激活预定存储体的行(例如，字线)、响应于写入命令CASP而经由预定的列(例如，位线)执行写入操作、以及响应于预充电命令PRE_CMD而执行对预定存储体预充电的操作。 图1B是用于解释存储器件读取数据的操作的时序图。 参见图1B，当从控制器顺序地施加用于第一激活操作ACT0、第一读取操作RD0、以及第一预充电操作PREO的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第一激活操作ACTO的激活命令ACT、用于第一读取操作RDO的读取命令CASP,以及用于第一预充电操作PREO的预充电命令PRE_CMD。类似地，当从控制器顺序地施加用于第二激活操作ACTl、第二读取操作RDl、以及第二预充电操作PREl的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第二激活操作ACTl的激活命令ACT、用于第二读取操作RDl的读取命令CASP、以及用于预充电操作PREl的预充电命令 PRE_CMD。 此时，存储器件响应于激活命令ACT而激活预定存储体的行(例如，字线)、响应于读取命令CASP而经由预定的列(例如，位线)来执行读取操作、以及响应于预充电命令PRE_CMD而执行对预定存储体预充电的操作。 如上所述操作的存储器件按照从控制器施加的每个命令CMD来执行一个操作，例如激活操作、读取操作或预充电操作。
技术实现思路
本专利技术的各种示例性实施例针对一种能够每预定命令顺序地执行多个操作的半导体器件和包括半导体器件的半导体系统。 根据本专利技术的一个示例性实施例，一种半导体器件可以包括:列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于第一控制信号和存储体源地址而从存储体源地址产生被延迟了第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和列命令而从列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于第二控制信号和存储体地址而从存储体地址产生被延迟了第二延迟时间的预充电存储体地址。 根据本专利技术的一个示例性实施例，一种半导体系统可以包括:控制器，适用于产生访问信息；以及半导体器件，适用于基于访问信息、根据预定的安排来执行彼此相关的多个内部操作。 【附图说明】 图1A和图1B是用于解释现有的存储器件的操作的时序图。 图2是说明根据本专利技术的示例性实施例的半导体系统的框图。 图3是说明图2中的存储器件的详细框图。 图4是说明图3中的列命令发生单元的详细框图。 图5是说明图4中的二输入D触发器的详细框图。 图6是说明图3中的列地址发生单元的详图。 图7是说明图3中的存储体地址发生单元的详图。 图8是说明图3中的预充电命令发生单元的详图。 图9是说明图3中的预充电存储体地址发生单元的详图。 图1OA和图1OB是用于解释根据本专利技术的示例性实施例的半导体系统的操作的时序图。 【具体实施方式】 下面将参照附图更详细地描述各种示例性实施例。然而，本专利技术可以用不同的方式实施，而不应解释为局限于本文所列的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开充分与完整，并向本领域技术人员充分传达本专利技术的范围。在本公开中，附图标记直接对应于在本专利技术的不同附图和实施例中相似编号的部分。也应当注意的是，在本说明书中，“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示经由中间部件与另一个部件间接耦接。另外，只要未在句子中特意提及，单数形式可以包括复数形式。 在本专利技术的示例性实施例中，将以诸如DRAM的存储器件为例来描述半导体器件。 图2是说明根据本专利技术的示例性实施例的半导体系统的框图。 参见图2，半导体系统包括控制器100和存储器件200。控制器100用于同时产生命令CMD、存储体地址BK、以及包括行地址和列地址的线性地址ADD作为访问信息。存储器件200用于响应于命令CMD、存储体地址BK以及线性地址ADD而根据预定的安排来执行彼此相关的多个内部操作。 所述多个内部操作包括:激活操作、列操作以及预充电操作。例如，存储器件200响应于命令CMD、存储体地址BK以及线性地址ADD而执行用于激活选中存储体的行(字线)的激活操作；在第一延迟时间之后经由列(位线)来执行用于写入或读取数据的列操作；以及在第二延迟时间之后执行用于将选中存储体预充电的预充电操作。第一延迟时间包括RAS至CAS延迟时间(tRCD)，第二延迟时间包括读取至预充电时间(tRTP)或者写入恢复时间(tWR)。 图3是说明图2中的存储器件200的详细框图。图4是说明图3中的列命令发生单元的详细框图。图5是说明图4中的二输入D触发器的详图。图6是说明图3中的列地址发生单元的详细框图。图7是说明图3中的存储体地址发生单元的详细框图。图8是说明图3中的预充电命令发生单元的详细框图。图9是说明图3中的预充电存储体地址发生单元的详细框图。 参见图3，存储器件200包括:命令输入单元202、地址输入单元204、存储体地址输入单元206、激活命令发生单元208、激活控制单元210、列命令发生单元212、列地址发生单元214、存储体地址发生单元216、列控制单元218、预充电命令发生单元220、预充电存储体地址发生单元222、以及预充电控制单元224。存储器件还可以包括模式寄存器组(MRS)，所述模式寄存器组适用于产生第一控制信号TTRCD〈m:n>和第二控制信号TTWR/TRTP〈m:n>0 命令输入单元202用于基于命令CMD来产生源命令ICMD。地址输入单元204用于基于线性地址ADD来产生行源地址X_ADD和列源地址Y_ADD。存储体地址输入单元206用于基于存储体地址BK来产生存储体源地址IBK。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从所述源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于所述第一控制信号和存储体源地址而从所述存储体源地址产生被延迟了所述第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和所述列命令而从所述列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于所述第二控制信号和所述存储体地址而从所述存储体地址产生被延迟了所述第二延迟时间的预充电存储体地址。

【技术特征摘要】
2013.07.16 KR 10-2013-00836311.一种半导体器件,包括: 列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从所述源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令； 存储体地址发生单元，适用于响应于所述第一控制信号和存储体源地址而从所述存储体源地址产生被延迟了所述第一延迟时间的存储体地址； 预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和所述列命令而从所述列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及 预充电存储体地址发生单元，适用于响应于所述第二控制信号和所述存储体地址而从所述存储体地址产生被延迟了所述第二延迟时间的预充电存储体地址。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一延迟时间包括RAS至CAS延迟时间tRCD，所述第二延迟时间包括读取至预充电时间tRTP或者写入恢复时间tWR。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述列命令发生单元包括: 第一可变移位部，适用于响应于所述第一控制信号和时钟而将所述源命令移位所述第一延迟时间的一部分；以及 第一固定移位部，适用于响应于所述时钟而将所述第一可变移位部的输出信号移位所述第一延迟时间的其余部分。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述列命令发生单元还包括: 第一延迟部，适用于通过将所述第一固定移位部的输出信号移位比所述时钟的周期更小的单位来产生所述列命令。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘泳峻，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR