本实用新型专利技术公开了一种LED封装结构，它涉及LED技术领域。它包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正电极框架和负电极框架之间具有间隙，引线框架的底部凹设有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘不饱和树脂。本实用新型专利技术的封装形式耐高温、耐湿热，同时降低了封装成本。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种LED封装结构，它涉及LED
。它包括引线框架和设于引线框架上的基座，所述引线框架和基座限定一个反射凹腔，引线框架包括正电极框架和负电极框架，正电极框架和负电极框架之间具有间隙，引线框架的底部凹设有与间隙相通的沟槽，间隙和沟槽内填充有绝缘不饱和树脂。本技术的封装形式耐高温、耐湿热，同时降低了封装成本。【专利说明】一种LED封装结构
本技术涉及的是LED
，具体涉及一种LED封装结构。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting D1de, LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态半导体器件，其凭借体积小、能耗少、高亮度、低热量等优点，广泛应用于显示器件上，为了满足集成封装形式的耐高温、耐湿热、发射率稳定的要求，LED支架多采用环氧树脂(饱和树脂)和硅树脂的材料进行封装。
技术实现思路
针对现有技术上存在的不足，本技术目的是在于提供一种LED封装结构，耐高温、耐湿热，同时降低了封装成本。 为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现:一种LED封装结构，包括不饱和树脂基座和引线框架，所述的引线框架为一对绝缘相向设置的引线框架；所述引线框架设置有从底侧面和外侧面凹陷形成的沟槽，所述不饱和树脂基座包括不饱和树脂基座上半部和不饱和树脂基座下半部，所述不饱和树脂基座上半部覆盖在引线框架的上侧面并和引线框架围成一个反射凹杯；所述引线框架的上侧面有部分露于所述反射凹杯底部，所述不饱和树脂下半部填充于所述引线框架之间的间隙以及所述沟槽内，并从引线框架的外侧面将引线框架包裹；所述引线框架的外侧面和底侧面各有部分露于不饱和树脂基座之外，所述引线框架的上侧面中的露反射凹杯底部的部分以及底侧面中的露于不饱和树脂基座之外的部分设置有镀银层，所述的镀银层为正负极。 作为优选，所述不饱和树脂基座为耐热硬化性不饱和树脂基座。 作为优选所述引线框架和被不饱和树脂填充的沟槽形成平面结构。 作为优选所述引线框架为有铜或者铜合金制成的引线框架。 本技术的有益效果:本技术封装形式耐高温、耐湿热，同时降低了封装成本。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图和【具体实施方式】来详细说明本技术； 图1为本技术的立体结构示意图； 图2为本技术侧视图； 图3为本技术俯视图； 图4为本技术背面图； 图5为本技术包含的引线框架立体结构示意图； 图6为本技术包含的引线框架底视图。 【具体实施方式】 为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合【具体实施方式】，进一步阐述本技术。 参照图1-6，本【具体实施方式】采用以下技术方案:一种LED封装结构，包括不饱和树脂(UPC)基座I以及一对绝缘相向设置的引线框架2，所述引线框架2设置有从底侧面 2-1和外侧面2-2凹陷形成的沟槽3，所述不饱和树脂基座I包括不饱和树脂基座上半部 1-1和不饱和树脂基座下半部1-2，所述不饱和树脂基座上半部1-1覆盖在引线框架2的上侧面2-3并和引线框架2围成一个反射凹杯4 ;所述引线框架2的上侧面2-3有部分露于所述反射凹杯4底部，所述不饱和树脂下半部1-2填充于所述引线框架2之间的间隙以及所述沟槽3内，并从引线框架2的外侧面2-2将引线框架2包裹；所述引线框架2的外侧面 2-2和底侧面2-1各有部分露于不饱和树脂基座I之外，所述引线框架2的上侧面2-3中的露反射凹杯4底部的部分以及底侧面2-1中的露于不饱和树脂基座I之外的部分设置有镀银层。 值得注意的是，所述不饱和树脂基座I为耐热硬化性不饱和树脂基座。 值得注意的是，所述引线框架2和被不饱和树脂填充的沟槽3形成平面结构。 此外，所述引线框架2为有铜或者铜合金制成的引线框架。 本【具体实施方式】的LED支架多采用环氧树脂(饱和树脂)和硅树脂的材料进行封装。其封装结构耐高温、耐湿热，同时降低了封装成本。 以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。【权利要求】1.一种LED封装结构，其特征在于，包括不饱和树脂基座(I)以及一对绝缘相向设置的引线框架(2)，所述引线框架(2)设置有从底侧面(2-1)和外侧面(2-2)凹陷形成的沟槽(3)，所述不饱和树脂基座(I)包括不饱和树脂基座上半部(1-1)和不饱和树脂基座下半部(1-2)，所述不饱和树脂基座上半部(1-1)覆盖在引线框架(2)的上侧面(2-3)并和引线框架(2)围成一个反射凹杯(4)，所述引线框架(2)的上侧面(2-3)有部分露于所述反射凹杯(4)底部，所述不饱和树脂下半部(1-2)填充于所述引线框架(2)之间的间隙以及所述沟槽(3)内，并从引线框架(2)的外侧面(2-2)将引线框架(2)包裹，所述引线框架(2)的外侧面(2-2)和底侧面(2-1)各有部分露于不饱和树脂基座(I)之外，所述引线框架(2)的上侧面(2-3)中的露反射凹杯(4)底部的部分以及底侧面(2-1)中的露于不饱和树脂基座(I)之外的部分设置有镀银层；所述的镀银层为正负极。2.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述不饱和树脂基座(I)为耐热硬化性不饱和树脂基座。3.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述引线框架(2)和被不饱和树脂填充的沟槽(3)形成平面结构。4.根据权利要求1所述的一种LED封装结构，其特征在于，所述引线框架(2)为有铜或者铜合金制成的引线框架。【文档编号】H01L33/62GK204029867SQ201420390672【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2014年7月16日 【专利技术者】柳欢, 李俊东, 刘文军, 王鹏辉, 刘云 申请人:深圳市斯迈得光电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED封装结构，其特征在于，包括不饱和树脂基座(1)以及一对绝缘相向设置的引线框架(2)，所述引线框架(2)设置有从底侧面(2‑1)和外侧面(2‑2)凹陷形成的沟槽(3)，所述不饱和树脂基座(1)包括不饱和树脂基座上半部(1‑1)和不饱和树脂基座下半部(1‑2)，所述不饱和树脂基座上半部(1‑1)覆盖在引线框架(2)的上侧面(2‑3)并和引线框架(2)围成一个反射凹杯(4)，所述引线框架(2)的上侧面(2‑3)有部分露于所述反射凹杯(4)底部，所述不饱和树脂下半部(1‑2)填充于所述引线框架(2)之间的间隙以及所述沟槽(3)内，并从引线框架(2)的外侧面(2‑2)将引线框架(2)包裹，所述引线框架(2)的外侧面(2‑2)和底侧面(2‑1)各有部分露于不饱和树脂基座(1)之外，所述引线框架(2)的上侧面(2‑3)中的露反射凹杯(4)底部的部分以及底侧面(2‑1)中的露于不饱和树脂基座(1)之外的部分设置有镀银层；所述的镀银层为正负极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：柳欢，李俊东，刘文军，王鹏辉，刘云，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得光电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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