【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种FinFET结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上按照从下至上的顺序依次制备第一氧化物层、阻挡层和牺牲层；刻蚀部分所述牺牲层，以于所述阻挡层之上形成牺牲栅极；继续于所述牺牲栅极的侧壁上制备具有预定厚度的侧墙；以所述侧墙为掩膜依次刻蚀所述阻挡层、所述第一氧化物层并停止在所述半导体衬底中，以形成鳍状结构；移除所述侧墙后，继续沉积绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化工艺停止在剩余的所述阻挡层的上表面；其中，根据所述鳍状结构的厚度设定所述预定厚度的值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高晶，孙鹏，王晶，冉春明，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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