一种基板片式载体CSP封装件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种基板片式载体CSP封装件及其制造方法，封装件包括含有中间支撑层的基板，中间支撑层相对侧壁上设有多个连接孔；连接孔内有第一金属层，中间支撑层两个端面上设有与连接孔数量相同的第一焊盘和第二焊盘，第一金属层两端分别与第一焊盘和第二焊盘相连；中间支撑层的管芯粘接区设有多个内有筒形第二金属层的散热孔，IC芯片的焊盘与第二焊盘相连，基板上固封有塑封体。通过晶圆减薄划片、粘接管芯、引线键合、包封、打标记、切割分离、测试及目检，制得基板片式载体CSP封装件。本封装件尺寸紧凑，用于引出端较少的IC器件，替代TSSOP等常规封装，对于0.350mm厚度的IC芯片，本封装厚度可达到1mm以下。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种基板片式载体CSP封装件及其制造方法，封装件包括含有中间支撑层的基板，中间支撑层相对侧壁上设有多个连接孔；连接孔内有第一金属层，中间支撑层两个端面上设有与连接孔数量相同的第一焊盘和第二焊盘，第一金属层两端分别与第一焊盘和第二焊盘相连；中间支撑层的管芯粘接区设有多个内有筒形第二金属层的散热孔，IC芯片的焊盘与第二焊盘相连，基板上固封有塑封体。通过晶圆减薄划片、粘接管芯、引线键合、包封、打标记、切割分离、测试及目检，制得基板片式载体CSP封装件。本封装件尺寸紧凑，用于引出端较少的IC器件，替代TSSOP等常规封装，对于0.350mm厚度的IC芯片，本封装厚度可达到1mm以下。【专利说明】一种基板片式载体CSP封装件及其制造方法
本专利技术属于电子器件制造半导体封装
，涉及一种CSP封装件，具体涉及 一种基板片式载体CSP封装件；本专利技术还涉及一种该封装件的制造方法。
技术介绍
随着电子芯片封装件形状的发展，集成电路安装方法已从插入型转化到表面安装 型（STM)，STM实现了 1C封装的高密度化、薄型化、轻量化，STM技术包括导线连接法、载带 自动键合（TAB)法、倒装芯片法。近年来，由于智能手机等无线通讯设备的迅猛发展，集成 电路封装对封装件的形状要求越来越高，常规的引线框架小型化塑料封装，如TSS0P、TQFP， 要实现封装厚度小于1mm以下的封装，其管芯必须减薄到0. 254mm，同时由于引线框架引脚 的分布面积较大，使其引线框架载体面积狭小，很难容纳更大的管芯，引脚的分布面积占封 装件安装面积的比重也较大。另外，随着芯片中晶体管的数目越来越多，发热量也越来越 大，在芯片面积不随之大幅增加的情况下，器件发热密度越来越高，过热问题已成为目前制 约电子器件技术发展的瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基板片式载体CSP封装件，具有较大的引线框架载体面 积，能够容纳更多的管芯，且散热性能良好。 本专利技术的另一个目的是提供一种上述封装件的制造方法。 为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种基板片式载体CSP封装件，包 括基板，基板又包括中间支撑层，中间支撑层中一组相对的侧壁上分别设有多个半圆形的 连接孔，且该两个侧壁上连接孔的数量相同；每个连接孔的表面均电镀有第一金属层，第一 金属层的内孔为第一通孔，中间支撑层的一个端面上设有数量与连接孔数量相同的第一焊 盘，中间支撑层的另一个端面上设有数量与连接孔数量相同的第二焊盘，一个连接孔内的 第一金属层的一端与一个第一焊盘相连接，一个连接孔内的第一金属层的另一端与一个第 二焊盘相连接；中间支撑层的中间部位设有管芯粘接区，管芯粘接区内设有多个散热孔，该 多个散热孔的内表面上均设有筒形的第二金属层；基板设有第二焊盘的端面上粘贴有1C 芯片，1C芯片上的第三焊盘通过键合引线与第二焊盘相连接，基板设有第二焊盘的端面上 固封有塑封体；第二焊盘、1C芯片、第三焊盘、键合引线、第一金属层的表面以及基板设有 第二焊盘的端面均位于塑封体内。 本专利技术所采用的另一个技术方案是：一种上述基板片式载体CSP封装件的制造方 法，具体按以下步骤进行： 步骤1 :减薄晶圆；在减薄后的晶圆背面贴上蓝膜，烘烤，采用双刀划片工艺将晶圆切 割成单个的1C芯片；划片时，第一刀刀痕深度为减薄后晶圆厚度的2/3,第二刀直接将晶圆 分离成单个的1C芯片，并在粘贴于晶圆背面的蓝膜上留下刀痕，且不能将蓝膜划透； 步骤2 :将基板送到上芯机的上料台，划片后的晶圆放置于晶圆工作台，用上芯机的写 胶系统在基板上管芯粘接区画胶，用顶针将蓝膜上的1C芯片顶起，同时用吸嘴吸取1C芯 片，将1C芯片放置在基板上的管芯粘接区进行粘接；然后采用防离层烘烤工艺、在150°C的 温度下烘烤3小时，等离子清洗； 步骤3 :将1C芯片上的第三焊盘通过键合引线连接到基板上表面的第一焊盘； 引线键合后，经过包封、打标记、切割分离、测试及目检，挑出不良品及废品，合格品即 为制得的基板片式载体CSP封装件。 本CSP封装是一种尺寸紧凑的薄型CSP，主要用于引出端较少的1C器件，替代 TSS0P等常规封装，对于0. 350mm厚度的1C芯片，本封装厚度可达到1mm以下。而常规模塑 封装，厚度要达到1mm以下，1C芯片厚度至少要减薄到0. 254mm。另外，和具有相同焊盘的 常规塑料封装件相比，本封装件能容纳更大的管芯，而且因为采用无引线设计，安装面积比 具有同样封装尺寸的引线框架封装小的多。同时，封装件底部散热孔的设置，使本封装散热 性能良好，散热性能优于常规封装。 除了优良的形状因子外，本封装是成本相对较低的CSP封装，因为本封装的制造 能在现有封装基本设施上采用现有技术进行，而且本封装用第一种方法包封时取代常规模 塑封装，采用注射器滴涂球型顶滴胶包封方式对封装芯片和焊线进行保护；第二种包封方 法采用MGP模多段模流注射防翘曲软件控制技术，对包封芯片和焊线进行保护；第三种包 封方法采用带真空吸附的全自动AUTO Mold自动模包封系统，对包封芯片和焊线进行保护。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术CSP封装件第一种实施例的示意图。 图2是本专利技术CSP封装件第二种实施例的示意图。 图3是本专利技术CSP封装件第三种实施例的示意图。 图4是本专利技术CSP封装件中基板的示意图。 图5是图4的左视图。 图6是图4的后视图。 图中：1.基板，2.第一焊盘，3.第一金属层，4.第二焊盘，5.塑封体，6. 1C芯片， 7.第三焊盘，8.键合引线，9.第一通孔，10.粘片胶，11.第二金属层，12.第二通孔，13.中 间支撑层，14.管芯粘接区。 【具体实施方式】 下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术进行详细说明。 如图1所示，本专利技术第一种实施例CSP封装件，包括结构如图4、图5和图6所示 的基板1，基板1包括中间支撑层13,中间支撑层13中一组相对的侧壁上分别设有多个半 圆形的连接孔，且该两个侧壁上的连接孔的数量相同，并相对于中间支撑层13的轴线对称 设置；每个连接孔的表面均电镀有第一金属层3,第一金属层3的内孔为第一通孔9,中间支 撑层13的一个端面上设有数量与连接孔数量相同的第一焊盘2,中间支撑层13的另一个 端面上设有数量与连接孔数量相同的第二焊盘4, 一个连接孔内的第一金属层3的一端与 一个第一焊盘2相连接，一个连接孔内的第一金属层3的另一端与一个第二焊盘4相连接； 中间支撑层13的中间部位设有管芯粘接区14,管芯粘接区14内设有多个散热孔，该多个散 热孔的内表面上均设有筒形的第二金属层11，第二金属层11的内孔为第二通孔12。基板 1设有第二焊盘4的端面上粘贴有1C芯片6, 1C芯片6通过粘片胶10粘接于管芯粘接区 14上，1C芯片6上设有第三焊盘7,第三焊盘7通过键合引线8与第二焊盘4相连接，基板 1设有第二焊盘4的端面上固封有塑封体5 ;第二焊盘4、粘片胶10、1C芯片6、第三焊盘7、 键合引线8、第一金属层3的表面以及基板1设有第二焊盘4的端面均位于塑封体5内。 图2所示的本专利技术第二种实施例C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板片式载体CSP封装件，其特征在于，包括基板（1），基板（1）又包括中间支撑层（13），中间支撑层（13）中一组相对的侧壁上分别设有多个半圆形的连接孔，且该两个侧壁上连接孔的数量相同；每个连接孔的表面均电镀有第一金属层（3），第一金属层（3）的内孔为第一通孔（9），中间支撑层（13）的一个端面上设有数量与连接孔数量相同的第一焊盘（2），中间支撑层（13）的另一个端面上设有数量与连接孔数量相同的第二焊盘（4），一个连接孔内的第一金属层（3）的一端与一个第一焊盘（2）相连接，一个连接孔内的第一金属层（3）的另一端与一个第二焊盘（4）相连接；中间支撑层（13）的中间部位设有管芯粘接区（14），管芯粘接区（14）内设有多个散热孔，该多个散热孔的内表面上均设有筒形的第二金属层（11）；基板（1）设有第二焊盘（4）的端面上粘贴有IC芯片（6），IC芯片（6）上的第三焊盘（7）通过键合引线（8）与第二焊盘（4）相连接，基板（1）设有第二焊盘（4）的端面上固封有塑封体（5）；第二焊盘（4）、IC芯片（6）、第三焊盘（7）、键合引线（8）、第一金属层（3）的表面以及基板（1）设有第二焊盘（4）的端面均位于塑封体（5）内。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邵荣昌，慕蔚，李习周，王永忠，张易勒，胡魁，杨文杰，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62