纳米线催化剂及其应用和制备方法技术

提供了用作多相催化剂的纳米线。所述纳米线催化剂可用于各种催化反应，例如，甲烷与C2烃类的氧化偶联。还公开了所述纳米线的应用和制造的相关方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请根据35U.S.C.§ 119(e)要求2011年11月29日递交的美国临时专利申请第61/564，834号、2011年11月29日递交的临时专利申请第61/564，836号和2012年5月24日递交的美国临时专利申请第61/651，399号的权益，它们均通过引用以其整体并入本文。关于序列表的声明与本申请相关的序列表提供了文本格式以代替纸件副本，并在此通过引用并入本说明书中。含有该序列表的文本文件的名称为860158_420W0_SEQUENCE_LISTING.txt。该文本文件大小为19KB，创建于2012年11月29日，并通过EFS-Web电子递交。专利技术背景
本专利技术总体涉及新的纳米线催化剂，更具体地，涉及可在各种催化反应，如甲烷与C2烃类的氧化偶联中用作多相催化剂的纳米线。相关领域的描述催化作用是其中化学反应的速率通过催化剂的手段而被增加或降低的过程。正催化剂增加化学反应的速度，而负催化剂则降低其速度。提高催化剂活性的物质被称为促进剂或活化剂，而使催化剂失活的物质被称为催化毒物或去活化剂。与其他试剂不同，催化剂不被化学反应消耗，而是参与到多种化学转化中。在正催化剂的情况下，相比对应的未催化的反应，所述催化反应通常具有更低的至过渡态的限速自由能变化，导致在同样温度下的反应速度增加。因此，在给定温度下，正催化剂倾向于增加所需产物的产量，同时降低不需要的副产物的产量。尽管反应本身不消耗催化剂，其可通过次级过程而被抑制、失活或破坏，从而导致丧失催化活性。催化剂通常表征为多相的或均相的。多相催化剂以不同于反应物的相存在(例如固态金属催化剂和气相反应物)，并且催化反应通常发生在多相催化剂的表面上。因此，为使催化反应发生，反应 物必须分散至和/或吸附到催化剂表面上。在多相催化反应中，反应物的该运输和吸附通常是限速步骤。多相催化剂也通常容易通过常规技术如过滤或蒸馏而从反应混合物中分离。相比多相催化剂，均相催化剂以与反应物相同的相存在(例如，可溶性有机金属催化剂和溶于溶剂的反应物)。因此，由均相催化剂催化的反应受不同于多相催化反应的动力学控制。此外，均相催化剂可能难于从反应混合物中分离。虽然催化反应涉及多种技术，一个特别的重要领域是石油化工。现代石油化工的基础是原油的高能耗的吸热蒸汽裂解。裂解用于产生几乎所有现今使用的基础性化学中间体。用于裂解的石油量和在该过程中的温室气体(GHG)排放体积均非常大:裂解几乎消耗了全球提取的总石油的10%，并每年产生200M公吨CO2等同物(Ren, T, Patel, M.Res.Conserv.Recycl.53:513, 2009)。在该领域仍存在对涉及将惰性石油化学原料(例如石蜡、甲烷、乙烷等)转化为反应性化学中间体(例如烯烃)的新技术，特别是对用于直接氧化烃类的高选择性多相催化剂的巨大需求。虽然将甲烷转化为某些特定化学品存在着多级途径，首先是使用高温蒸汽重整为合成气(H2和CO的混合物)，然后是化学计量调整并转化为甲醇，或者通过费托(Fischer-Tropsch, F-T)法合成转化为液态烃类燃料如柴油或汽油，但这不能使得形成某些高价值的化学中间体。该多步骤的间接方法还需要大的设备投资，且运作昂贵，这部分缘于高耗能的吸收重整步骤。(例如，在甲烷重整中，近40%的甲烷作为反应的燃料而被消耗)。其低效率还在于，提供给该过程的碳中的大部分最终成为GHG CO2，其直接来自于反应和间接由于燃烧化石燃料以加热该反应。因此，为更好地利用天然气资源，需要更加高效、经济和对环境负责的直接方法。直接的天然气活化及其转化为有用的高价值化学品的反应之一是将甲烷氧化偶联(0CM)为乙烯:2CH4+02 — C2H4+2H20。参见，例如，Zhang, Q.，Journal of Natural GasChem., 12:81, 2003 ；01ah, G.Hydrocarbon Chemistry, Ed.2, John ffiley&Sons (2003)。该反应是放热的(Λ H = -67千卡/摩尔)，且通常被证明是在非常高的温度(>700°C )下发生。尽管详细的反应机制没有被完全表征，经验证据表明其涉及自由基化学。(Lunsford, J.Chem.Soc, Chem.Comm., 1991 ；H.Lunsford, Angew.Chem., Int.Ed.Engl., 34:970, 1995)。在该反应中，甲烷(CH4)在催化剂表面被活化而形成甲基自由基，其随后以气相结合形成乙烷(C2H6),然后通过脱氢作用成为乙烯(C2H4)15几种催化剂已经在不同载体上显示了对OCM的活性，包括各种形式的氧化铁、V2O5, MoO3> Co3O4, Pt-Rh, Li/Zr02、Ag-Au, Au/Co304、Co/Μη、Ce02、Mg0、La203、Mn304、Na2W04、Mn0、Zn0及其组合。多种掺杂元素也已证明可用于与上述催化剂组合。由于OCM反应在30多年前首次报道，其已经成为大量的科研和商业利益的目标，但常规方法对C-H键活化的基本限制看来限制了该引入注目的反应的产量。特别是，来自工业和学术实验室的众多出版物已经不断证明了以下性能特征:在甲烷低转化率时的高选择性，或者在高转化率时的低选择性(J.A.Labinger, Cat.Lett.,1:371, 1988)。受限于该转化率/选择性阈值，没有OCM催化剂能够超过20-25%的组合C2收率(即乙烷和乙烯)，且更重要的是，所有这些报道的收率均在极高的温度O800C)下操作。就此而言，据信所需产物(即C2H4和C2H6)的低收率是由反应独特的均相/多相特性引起的。具体而言，由于高反应温度，大多数甲基自由基逃离了催化剂表面而进入气相。已知在氧和氢的存在下，其中发生了多种副反应(J.A.Labinger, Cat.Lett.，1:371，1988)。将烃类非选择性过氧化为CO和CO2 (例如，完全氧化)是主要的竞争性快速副反应。其他不需要的产物(例如甲醇、甲醛)也已经被观察到并快速反应形成CO和C02。为了在具有商业可行性的OCM过程中产生针对较低温度(例如500-700°C )下活化甲烷C-H键优化的催化剂，需要较高的活性和较高的压力。虽然以上讨论集中在OCM反应，许多其他催化反应(如下文所更详细讨论的)将大大受益于催化优化。因此，本领域仍存在对改善的催化剂的需要，更具体地，需要催化剂设计的新方法以提高例如OCM反应和其他催化反应的收率。本专利技术满足了这些需要并进一步提供了相关的优势。专利技术概述简而言之，公开了纳米线和相关的方法。所述纳米线可用于众多应用中，包括在石油化工过程如OCM中，用作多相催化剂。在一个实施方案中，本公开提供了包含至少四种不同的掺杂元素的组合的催化纳米线，其中所述掺杂元素选自金属元素、半金属元素和非金属素。在其他实施方案中，本公开涉及催化纳米线，其包含至少两种不同的掺杂元素，其中所述掺杂元素选自金属元素、半金属元素和非金属元素，且其中掺杂元素中的至少一种为 K、Sc、T1、V、Nb、Ru、Os、Ir、Cd、In、Tl、S、Se、Po、Pr、Tb、本文档来自技高网...

【技术保护点】
催化纳米线，其包含至少四种不同的掺杂元素的组合，其中所述掺杂元素选自金属元素、半金属元素和非金属元素。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.29 US 61/564,836;2011.11.29 US 61/564,834;1.催化纳米线，其包含至少四种不同的掺杂元素的组合，其中所述掺杂元素选自金属元素、半金属元素和非金属元素。2.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含金属氧化物。3.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含镧系金属。4.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含La203、Nd2O3,Yb2O3,Eu2O3、Sm2O3、Y2O3、Ce2O3、Pr2O3 或它们的组合。5.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含Lnl4_xLn2x06，其中Lnl和Ln2各自独立地为镧系元素，其中Lnl和Ln2是不同的，且x是范围为大于O至小于4的数字。6.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含La4_xNdx06，其中X是范围为大于O至小于4的数字。7.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含La3Nd06、LaNd3O6^La1.5Nd2.506、La2.SNd1.506、La3.2Nd0.806、La3 sNd0,506、La3.8Nd0.206 或匕们的组合。8.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含镧系氧化物。9.根据权利要求8所述的催化纳米线，其中所述镧系氧化物包含混合氧化物。10.根据权利要求9 所述的催化纳米线,其中所述混合氧化物包含Y-La、Zr-La、Pr-La、Ce-La或它们的组合。11.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述掺杂元素选自Eu、Na、Sr、Ca、Mg、Sm、Ho、Tm、W、La、K、Dy、In、L1、Cs、S、Zn、Ga、Rb、Ba、Yb、N1、Lu、Ta、P、Hf、Tb、Gd、Pt、B1、Sn、Nb、Sb、Ge、Ag、Au、Pb、B、Re、Fe、Al、Zr、Tl、Pr、Co、Ce、Rh 和 Mo。12.根据权利要求1所述的催化纳米线，其中所述至少四种不同的掺杂元素的组合为:Na/Zr/Eu/Ca、Sr/Sm/Ho/Tm、Na/K/Mg/Tm、Na/La/Eu/In、Na/La/Li/Cs、Li/Cs/La/Tm、Li/Cs/Sr/Tm、Li/Sr/Zn/K、Li/K/Sr/La、Li/Na/Rb/Ga、Li/Na/Sr/La、Ba/Sm/Yb/S、Ba/Tm/K/La、Ba/Tm/Zn/K、Cs/La/Tm/Na、Cs/Li/K/La、Sm/Li/Sr/Cs、Sr/Tm/Li/Cs、Zr/Cs/K/La、Rb/Ca/In/N1、Tm/Lu/Ta/P、Rb/Ca/Dy/P、Mg/La/Yb/Zn、Na/Sr/Lu/Nb、Na/Nd/In/K、Rb/Ga/Tm/Cs、K/La/Zr/Ag、Ho/Cs/Li/La、K/La/Zr/Ag、Na/Sr/Eu/Ca、K/Cs/Sr/La、Na/Mg/Tl/P、Sr/La/Dy/S、Na/Ga/Gd/Al、Sm/Tm/Yb/Fe、Rb/Gd/Li/K、Gd/Ho/Al/P、Na/Zr/Eu/Tm 或 Sr/Ho/Tm/Na。13.催化纳米线，其包含至少两种不同的掺杂元素，其中所述掺杂元素选自金属元素、半金属元素和非金属元素，且其中所述掺杂元素中的至少一种为K、Sc、T1、V、Nb、Ru、Os、Ir、Cd、In、Tl、S、Se、Po、Pr、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Lu 或选自第 6、7、10、11、14、15 或 17 族中任一族的元素。14.根据权利要求13所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含金属氧化物。15.根据权利要求13所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含镧系金属。16.根据权利要求13所述的催化纳米线,其中所述催化纳米线包含La2O3、Nd2O3、Yb2O3、Eu2O3、Sm2O3、Y2O3、Ce2O3、Pr2O3 或它们的组合。17.根据权利要求13所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含Lnl4_xLn2x06，其中Lnl和Ln2各自独立地为镧系元素，其中Lnl和Ln2是不同的，且x是范围为大于O至小于4的数字。18.根据权利要求13所述的催化纳米线,其中所述催化纳米线包含La4_xNdx06,其中x是范围为大于O至小于4的数字。19.根据权利要求13所述的催化纳米线,其中所述催化纳米线包含La3Nd06、LaNd3O6^La1.5Nd2.506、La2.SNd1.506、La3.2Nd0.806、La3 sNd0,506、La3.8Nd0.206 或匕们的组合。20.根据权利要求15所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含镧系氧化物。21.根据权利要求20所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含混合氧化物。22.根据权利要求21所述的催化纳米线，其中所述混合氧化物包含Y-La、Zr-La,Pr-La、Ce-La或它们的组合。23.根据权利要求13所述的催化纳米线，其中所述掺杂元素选自Eu、Na、Sr、Ca、Mg、Sm、Ho、Tm、W、La、K、Dy、In、L1、Cs、S、Zn、Ga、Rb、Ba、Yb、N1、Lu、Ta、P、Hf、Tb、Gd、Pt、B1、Sn、Nb、Sb、Ge、Ag、Au、Pb、B、Re、Fe、Al、Zr、Tl、Pr、Co、Ce、Rh 和 Mo。24.催化纳米线,其包含以下掺杂剂组合中的至少一种:Eu/Na、Sr/Na、Na/Zr/Eu/Ca、Mg/Na、Sr/Sm/Ho/Tm、Sr/ff,Mg/La/K、Na/K/Mg/Tm、Na/Dy/K、Na/La/Dy、Sr/Hf/K、Na/La/Eu、Na/La/Eu/In、Na/La/K、Na/La/Li/Cs、Κ/La、K/La/S、K/Na、Li/Cs、Li/Cs/La、Li/Cs/La/Tm、Li/Cs/Sr/Tm、Li/Sr/Cs、Li/Sr/Zn/K、Li/Ga/Cs、Li/K/Sr/La、Li/Na、Li/Na/Rb/Ga、Li/Na/Sr、Li/Na/Sr/La、Sr/Zr、Li/Sm/Cs、Ba/Sm/Yb/S、Ba/Tm/K/La、Ba/Tm/Zn/K、Sr/Zr/K、Cs/K/La、Cs/La/Tm/Na、 Cs/Li/K/La、Sm/Li/Sr/Cs、Sr/Cs/La、Sr/Tm/Li/Cs、Zn/K、Zr/Cs/K/La、Rb/Ca/In/N1、Sr/Ho/Tm、La/Nd/S、Li/Rb/Ca、Li/K、Tm/Lu/Ta/P、Rb/Ca/Dy/P、Mg/La/Yb/Zn、Rb/Sr/Lu、Na/Sr/Lu/Nb、Na/Eu/Hf、Dy/Rb/Gd、Sr/Ce, Na/Pt/B1、Rb/Hf、Ca/Cs、Ca/Mg/Na、Hf/Bi, Sr/Sn、Sr/ff, Sr/Nb、Sr/Ce/K、Zr/ff, Y/W、Na/W、Bi/W、Bi/Cs、Bi/Ca、Bi/Sn、Bi/Sb、Ge/Hf、Hf/Sm、Sb/Ag、Sb/B1、Sb/Au、Sb/Sm、Sb/Sr、Sb/W、Sb/Hf、Sb/Yb、Sb/Sn、Yb/Au、Yb/Ta、Yb/W、Yb/Sr、Yb/Pb、Yb/W、Yb/Ag、Au/Sr、ff/Ge、Sr/Tb、Ta/Hf、W/Au、Ca/W、Au/Re、Sm/L1、La/K、Zn/Cs、Na/K/Mg、Zr/Cs、Ca/Ce, Na/Li/Cs、Li/Sr、Cs/Zn、La/Dy/K、Dy/K、La/Mg、Na/Nd/In/K、In/Sr、Sr/Cs、Rb/Ga/Tm/Cs、Ga/Cs、K/La/Zr/Ag> Lu/Fe、Sr/Tb/K、Sr/Tm、La/Dy、Sm/Li/Sr、Mg/K、Sr/Pr、Li/Rb/Ga、Li/Cs/Tm、Zr/K、Li/Cs、Li/K/La、Ce/Zr/La、Ca/Al/La、Sr/Zn/La、Sr/Cs/Zn、Sm/Cs、In/K、Ho/Cs/Li/La、Sr/Pr/K、Cs/La/Na、La/S/Sr、K/La/Zr/Ag、Lu/Tl、Pr/Zn、Rb/Sr/La、Na/Sr/Eu/Ca、K/Cs/Sr/La、Na/Sr/Lu、Sr/Eu/Dy、Lu/Nb、La/Dy/Gd、Na/Mg/TI/P、Na/Pt、Gd/Li/K、Rb/K/Lu、Sr/La/Dy/S、Na/Ce/Co、Na/Ce、Na/Ga/Gd/Al、Ba/Rh/Ta、Ba/Ta、Na/Al/B1、Sr/Hf/Rb、Cs/Eu/S、Sm/Tm/Yb/Fe、Sm/Tm/Yb、Hf/Zr/Ta、Rb/Gd/Li/K、Gd/Ho/Al/P、Na/Ca/Lu、Cu/Sn、Ag/Au、Al/B1、Al/Mo、Al/Nb、Au/Pt、Ga/B1、Mg/W、Pb/Au、Sn/Mg、Sr/B、Zn/B1、Gd/Ho、Zr/B1、Ho/Sr、Gd/Ho/Sr、Ca/Sr、Ca/Sr/ff,Sr/Ho/Tm/Na、Na/Zr/Eu/Tm、Sr/Ho/Tm/Na、Sr/Pb、Sr/W/L1、Ca/Sr/W 或 Sr/Hf。25.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含金属氧化物。26.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含镧系金属。27.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含La203、Nd203、Yb203、EU2O3> Sm2O3> Y2O3> Ce2O3' Pr2O3 或它们的组合。28.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含Lnl4_xLn2x06，其中Lnl和Ln2各自独立地为镧系元素，其中Lnl和Ln2是不同的，且x是范围为大于O至小于4的数字。29.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含La4_xNdx06，其中x是范围为大于O至小于4的数字。30.根据权利要求24所述的催化纳米线，其中所述镧系氧化物包括La3Nd06、LaNd3O6,La1.5Nd2.506、La2.SNd1.506、La3.2Nd0.806、La3 sNd0,506、La3.8Nd0.206 或匕们的组合。31.根据权利要求26所述的催化纳米线，其中所述镧系金属包括镧系氧化物。32.根据权利要求31所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含混合氧化物。33.根据权利要求32所述的催化纳米线，其中所述混合氧化物包含Y-La、Zr-La,Pr-La、Ce-La或它们的组合。34.催化纳米线，其包含Lnl4_xLn2x06和掺杂剂，所述掺杂剂包含金属元素、半金属元素、非金属元素或它们的组合，其中Lnl和Ln2各自独立地为镧系元素,其中Lnl和Ln2是不同的，且X是范围为大于O至小于4的数字。35.根据权利要求34所述的催化纳米线,其中所述催化纳米线包含La4_xNdx06,其中x是范围为大于O至小于4的数字。36.根据权利要求35所述的催化纳米线,其中所述催化纳米线包含La3Nd06、LaNd3O6^La1.5Nd2.506、La2.SNd1.506、La3.2Nd0.806、La3 sNd0,506、La3.8Nd0.206 或匕们的组合。37.根据权利要求34所述的催化纳米线,其中所述掺杂剂选自:Eu、Na、Sr、Ca、Mg、Sm、Ho、Tm、W、La、K、Dy、In、L1、Cs、S、Zn、Ga、Rb、Ba、Yb、N1、Lu、Ta、P、Hf、Tb、Gd、Pt、B1、Sn、Nb、Sb、Ge、Ag、Au、Pb、B、Re、Fe、Al、Zr、Tl、Pr、Co、Ce、Rh 和 Mo。38.根据权利要求34所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含以下掺杂剂组合中的至少一种:Eu/Na、Sr/Na、Na/Zr/Eu/Ca、Mg/Na、Sr/Sm/Ho/Tm、Sr/W、Mg/La/K、Na/K/Mg/Tm、Na/Dy/K、Na/La/Dy、Sr/Hf/K、Na/La/Eu、Na/La/Eu/In、Na/La/K、Na/La/Li/Cs、Κ/La、K/La/S、K/Na、Li/Cs、Li/Cs/La、Li/Cs/La/Tm、Li/Cs/Sr/Tm、Li/Sr/Cs、Li/Sr/Zn/K、Li/Ga/Cs、Li/K/Sr/La、Li/Na、Li/Na/Rb/Ga、Li/Na/Sr、Li/Na/Sr/La、Sr/Zr、Li/Sm/Cs、Ba/Sm/Yb/S、Ba/Tm/K/La、Ba/Tm/Zn/K、Sr/Zr/K、Cs/K/La、Cs/La/Tm/Na、Cs/Li/K/La、Sm/Li/Sr/Cs、Sr/Cs/La、Sr/Tm/Li/Cs、Zn/K、Zr/Cs/K/La、Rb/Ca/In/N1、Sr/Ho/Tm、La/Nd/S、Li/Rb/Ca、Li/K、Tm/Lu/Ta/P、Rb/Ca/Dy/P、Mg/La/Yb/Zn、Rb/Sr/Lu、Na/Sr/Lu/Nb、Na/Eu/Hf、Dy/Rb/Gd、Sr/Ce, Na/Pt/B1、Rb/Hf、Ca/Cs、Ca/Mg/Na、Hf/Bi, Sr/Sn、Sr/ff, Sr/Nb、Sr/Ce/K、Zr/ff, Y/W、Na/W、Bi/W、Bi/Cs、Bi/Ca、Bi/Sn、Bi/Sb、Ge/Hf、Hf/Sm、Sb/Ag、Sb/B1、Sb/Au、Sb/Sm、Sb/Sr、Sb/W、Sb/Hf、Sb/Yb、Sb/Sn、Yb/Au、Yb/Ta、Yb/W、Yb/Sr、Yb/Pb、Yb/W、Yb/Ag、Au/Sr、ff/Ge、Sr/Tb、Ta/Hf、W/Au、Ca/W、Au/Re、Sm/L1、La/K、Zn/Cs、Na/K/Mg、Zr/Cs、Ca/Ce, Na/Li/Cs、Li/Sr、Cs/Zn、La/Dy/K、Dy/K、La/Mg、Na/Nd/In/K、In/Sr、Sr/Cs、Rb/Ga/Tm/Cs、Ga/Cs、K/La/Zr/Ag、Lu/Fe、Sr/Tb/K、Sr/Tm、La/Dy> Sm/Li/Sr、Mg/K、Sr/Pr、Li/Rb/Ga、Li/Cs/Tm、Zr/K、Li/Cs、Li/K/La、Ce/Zr/La、Ca/Al/La、Sr/Zn/La、Sr/Cs/Zn、Sm/Cs、In/K、Ho/Cs/Li/La、Sr/Pr/K、Cs/La/Na、La/S/Sr、K/La/Zr/Ag、Lu/Tl、Pr/Zn、Rb/Sr/La、Na/Sr/Eu/Ca、K/Cs/Sr/La, Na/Sr/Lu、Sr/Eu/Dy、Lu/Nb、La/Dy/Gd, Na/Mg/T I/P, Na/Pt、Gd/Li/K、Rb/K/Lu、Sr/La/Dy/S、Na/Ce/Co、Na/Ce、Na/Ga/Gd/Al、Ba/Rh/Ta、Ba/Ta、Na/Al/B1、Sr/Hf/Rb、Cs/Eu/S、Sm/Tm/Yb/Fe、Sm/Tm/Yb、Hf/Zr/Ta、Rb/Gd/Li/K、Gd/Ho/Al/P、Na/Ca/Lu、Cu/Sn、Ag/Au、Al/B 1、Al/Mo、Al/Nb、Au/Pt、Ga/B1、Mg/W、Pb/Au、Sn/Mg、Sr/B、Zn/B1、Gd/Ho、Zr/B1、Ho/Sr、Gd/Ho/Sr、Ca/Sr、Ca/Sr/W、Sr/Ho/Tm/Na、Na/Zr/Eu/Tm、Sr/Ho/Tm/Na、Sr/Pb、Sr/W/L1、Ca/Sr/W 或 Sr/Hf。39.催化纳米线,其包含Y-La、Zr-La>Pr-La> Ce-La的混合氧化物或它们的组合，以及选自金属兀素、半金属兀素和非金属兀素的至少一种掺杂剂。40.根据权利要求39所述的催化纳米线，其中所述至少一种掺杂剂选自:Eu、Na、Sr、Ca、Mg、Sm、Ho、Tm、W、La、K、Dy、In、L1、Cs、S、Zn、Ga、Rb、Ba、Yb、N1、Lu、Ta、P、Hf、Tb、Gd、Pt、B1、Sn、Nb、Sb、Ge、Ag、Au、Pb、B、Re、Fe、Al、Zr、Tl、Pr、Co、Ce、Rh 和 Mo。41.根据权利要求39所述的催化纳米线，其中所述催化纳米线包含以下掺杂剂组合中的至少一种:Eu/Na、Sr/Na、Na/Zr/Eu/Ca、Mg/Na、S;r...

【专利技术属性】
技术研发人员：法毕奥·R·苏彻尔，埃里克·C·舍尔，乔尔·M·希泽荣，韦恩·P·斯查梅尔，亚历克斯·塔车恩库，乔尔·加莫拉斯，蒂米特瑞·卡什特德特，格雷格·尼斯，安加·鲁姆普莱克尔，杰勒德·麦考密克，安娜·梅尔兹利亚克，玛丽安·阿尔希德，丹尼尔·罗森伯格，埃里克健·拉斯，
申请(专利权)人：希路瑞亚技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US