半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本申请是申请日为“2009年12月25日”、申请号为“200910262560.3”、题为“半导体器件及其制造方法”的分案申请。
本专利技术涉及具有利用薄膜晶体管(下文称为TFT)形成的电路的半导体器件及其制造方法。例如，本专利技术涉及其中安装了以液晶显示面板作为代表的电光器件或包括有机发光元件的发光显示器件作为其部件的电子器件。注意此说明书中的半导体器件指的是可使用半导体特性操作的所有器件，而且光电器件、半导体电路以及电子器件都是半导体器件。
技术介绍
针对多种应用使用多种金属氧化物。氧化铟是众所周知的材料，且用作液晶显示器等所必需的透明电极材料。某些金属氧化物具有半导体特性。具有半导体特性的金属氧化物是一种类型的化合物半导体。化合物半导体是利用结合到一起的两种或多种类型的半导体形成的半导体。一般而言，金属氧化物变成绝缘体。然而，已知金属氧化物根据金属氧化物中包括的元素的组合而变成半导体。例如，已知氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等是具有半导体特性的金属氧化物。公开了其中利用这样的金属氧化物形成的透明半导体层作为沟道形成区的一种薄膜晶体管(专利文献1到4与非专利文献1)。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括反相器电路和像素的半导体器件，所述反相器电路包括：第一晶体管；第二晶体管；且其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的源极，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，其中所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上，且其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率，且所述像素包括第三晶体管，其中所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。

【技术特征摘要】
2008.12.26 JP 2008-3337881.一种包括反相器电路和像素的半导体器件，其中所述反相器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的源极，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，其中所述第一氧化物半导体层设置在栅绝缘层上并与该栅绝缘层接触，其中所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上并与该第一氧化物半导体层接触，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二氧化物半导体层低的电阻率，其中所述像素包括第三晶体管，且其中所述第三晶体管的沟道形成区由第三氧化物半导体层的单层形成。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是底栅型n沟道晶体管。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都包括形成在所述第二氧化物半导体层上的源电极和漏电极。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管是耗尽型晶体管，且所述第二晶体管是增强型晶体管。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层都包括铟。6.一种包括反相器电路和像素的半导体器件，其中所述反相器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管的源极电连接至所述第二晶体管的漏极；其中所述第一晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的漏极，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个的沟道形成区包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，其中所述第一氧化物半导体层设置在栅绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，坂田淳一郎，小山润，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP