太阳能电池的制作方法及太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，包括：步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构；步骤S2、对该PN结构进行退火处理，并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜；步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜，未被该掩膜覆盖的区域为电极区域；步骤S4、在未被该掩膜覆盖的区域形成电极。本发明专利技术省去了原本的钝化和开孔的两道制程，简化了工艺步骤，并且由于不用额外的开孔步骤，也大大降低了碎片率。另外，该方法完全无需增加新的制程设备，降低了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制作方法及太阳能电池
本专利技术涉及一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池。
技术介绍
对于太阳能电池而言，没有钝化的背表面会有很大的少子复合速度，太阳能电池的转换效率会因此而受到影响。所以背钝化是一个很有效的制作高效晶硅电池的途径。一般来说，需要在硅片背面保留大面积的钝化层，例如二氧化硅薄膜，因为其对硅片背面有钝化作用从而能够提高电池的转换效率。然而100%的背面的钝化也是不可能的，因为背面有一部分的面积必须设置背面电极来与和硅接触。由此，如何保证电极面积和钝化层面积之间的平衡也是太阳能电池的制造领域内一个热议的话题。—种常规工艺是这样的，在硅片的背面形成二氧化硅薄膜作为钝化层，然而在电极的制作过程中，需要在硅片背面全部面积丝网印刷金属铝，在铝烧结过程中，之前形成的钝化层即SiO2都被烧掉了，由此严重影响了太阳能电池的转换效率。另一种常规的较为有效的背钝化电池制作过程是这样的:首先在硅片正面制绒；之后在硅片正面掺杂从而形成pn结；进一步地，在硅片正面由PECVD方法生成例如氮化硅的减反射膜；之后，在硅片背面生长或镀氧化膜(例如Al2O3或SiO2);背面采用PEC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构；步骤S2、对该PN结构进行退火处理，并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜；步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜板，其中被该掩膜板所覆盖的区域为电极区域，在该PN结构的背面上形成一保护层，该保护层形成于未被该掩膜板覆盖的区域；步骤S4、去除该掩膜板，在该衬底的背面的该金属区域形成电极。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一 PN结构； 步骤S2、对该PN结构进行退火处理，并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜； 步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜板，其中被该掩膜板所覆盖的区域为电极区域，在该PN结构的背面上形成一保护层，该保护层形成于未被该掩膜板覆盖的区域； 步骤S4、去除该掩膜板，在该衬底的背面的该金属区域形成电极。2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该掩膜板为条状网板或者栅格状网板。3.如权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该掩膜板为金属网板。4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该保护层是通过PECVD工艺所形成的氮化硅层，和/或，该掩膜板能承受...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光耀，王懿喆，洪俊华，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31