太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层；在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域；通过离子注入的方式形成第二导电类型掺杂区域；对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层；在该第一钝化层上形成一第一金属层；对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极，在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。本发明专利技术提供了一种自对准的太阳能电池制作方法，彻底解决了太阳能电池制作过程中的对准问题，极大简化了工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
PN结(PN junction)为采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结，PN结具有单向导电性。PN结是太阳能电池的一个重要组成部分。IBC (interdigitated back contact)太阳能电池是最早研究的背接触电池，由于IBC电池的电极全部设置于背面，而正面确不含任何电极，由此可以增加太阳光的接受面积，从而提高太阳能电池的转化效率。然而，正是由于IBC电池的电极均设置于背面，该背面中包括了两种不同掺杂类型的掺杂区域。一般来说，形成两种不同掺杂类型的掺杂区域需要用到两张掩膜，这就产生了一个对准(alignment)的问题。为了形成高质量的PN结就必须在形成掺杂区域的过程中实现精确对准。PCT/CN2011/080101的国际申请中公开了多种仅采用一张掩膜即可形成两种不同掺杂类型的掺杂区域的方法，由于整个掺杂过程仅仅用到一张掩膜，因而不存在掺杂过程的对准问题。然而在后续电极的制作过程中，需要在不同掺杂区域上形成不同类型的电极，否则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在一衬底的背面中形成一第一导电类型掺杂层；步骤S2、在该第一导电类型掺杂层上形成一掩膜，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域，刻蚀该开放区域的该第一导电类型掺杂层直至暴露出该衬底由此在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域，该第一导电类型掺杂区域为未经刻蚀的该第一导电类型掺杂层；步骤S3、通过离子注入的方式将第二导电类型离子注入至该凹槽中以形成第二导电类型掺杂区域，并且去除该掩膜；步骤S4、对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层；步骤S5、在该第一钝化层上形成一第一金属层；...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤S1、在一衬底的背面中形成一第一导电类型掺杂层； 步骤S2、在该第一导电类型掺杂层上形成一掩膜，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域，刻蚀该开放区域的该第一导电类型掺杂层直至暴露出该衬底由此在该衬底的背面中形成凹槽和第一导电类型掺杂区域，该第一导电类型掺杂区域为未经刻蚀的该第一导电类型掺杂层； 步骤S3、通过离子注入的方式将第二导电类型离子注入至该凹槽中以形成第二导电类型掺杂区域，并且去除该掩膜； 步骤S4、对该衬底进行退火处理以在该第一导电类型区域、该第二导电类型掺杂区域和该凹槽的侧壁上形成一第一钝化层； 步骤S5、在该第一钝化层上形成一第一金属层； 步骤S6、对该第一金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极，在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S5中还包括:在该第一金属层上形成一第二金属层； 步骤S6中还包括:对该第一金属层和该第二金属层进行化学刻蚀以去除该凹槽的侧壁上的该第一金属层和 该第二金属层以在该第一导电类型区域上形成第一电极，在该第二导电类型掺杂区域上形成第二电极。3.如权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该第一金属层的材料为招，或者， 该第二金属层的材料为钛，和/或，该第二金属层的厚度为小于1000A...

【专利技术属性】
技术研发人员：王懿喆，金光耀，洪俊华，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31