薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置，该薄膜晶体管元件包含一栅极、一源极、一漏极、一绝缘层以及一主动区。绝缘层使栅极与源极及漏极电性隔离。主动区与源极及漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，通道具有一通道宽度与一通道长度。主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘。在平行通道宽度的方向上，该些接触区的至少一接触区边缘与和该接触区边缘最邻近的主动区边缘的间距是大于2.5微米且小于等于16微米。通过本发明专利技术，能减少元件在照光与负偏压操作下的阈值电压的飘移量，因而改善在照光与负偏压操作下不稳定的缺点，进而提升薄膜晶体管显示装置的显示效能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置
本专利技术是关于一种显示装置，特别关于一种薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管元件已广泛应用在各种高阶显示器中。由于市场的快速竞争，显示器的大小与显示色彩饱和度的需求快速增加，以致薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求也随之提升。金属氧化物半导体（Metaloxidesemiconductors，MOSs）薄膜晶体管可在低温中制备，并且拥有良好的电流输出特性、较低的漏电流与高于非晶硅薄膜晶体管（amorphoussiliconthin-filmtransistor，a-SiTFT）十倍以上的电子迁移率，这可降低显示器的功率消耗并提升显示器操作频率，并有机会取代传统的非晶硅薄膜晶体管，成为下个世代的显示器中主流的驱动元件。近年来普遍认为，金属氧化物（Metaloxide-based）薄膜晶体管（TFT）虽具有良好的电流特性，但是却容易有在照光与负偏压操作下（NegativeGateBiasIlluminationStress，NBIS）产生元件电性不稳定的现象。因此，如何提供一种薄膜晶体管元件，其能改善这种不稳定的缺点，进而提升显示器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管元件，其特征在于，所述薄膜晶体管元件包含：一栅极；一源极；一漏极；一绝缘层，使所述栅极与所述源极及所述漏极电性隔离；以及一主动区，与所述源极及所述漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，所述通道具有一通道宽度与一通道长度，所述主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘；其中，在平行所述通道宽度的方向上，所述接触区的至少一接触区边缘与和所述接触区边缘最邻近的所述主动区边缘的间距大于2.5微米且小于等于16微米。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管元件，其特征在于，所述薄膜晶体管元件包含：一栅极；一源极；一漏极；一绝缘层，使所述栅极与所述源极及所述漏极电性隔离；以及一主动区，与所述源极及所述漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，所述通道具有一通道宽度与一通道长度，所述主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘；其中，在平行所述通道宽度的方向上，所述接触区的至少一接触区边缘与和所述接触区边缘最邻近的所述主动区边缘的间距大于等于12微米且小于等于16微米。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为多边形、弧形、扇形或其组合。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述主动区在一俯视方向上为对称图形或不对称图形。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述半导体材料为至少一金属的氧化物状态，所述金属为铟、镓、锌、铝、锡或铪。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管元件，其特征在于，所述源极与所述漏极分别经由一开口区与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鼎张，陈禹钧，谢天宇，周政旭，张荣芳，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71