氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件技术

本发明专利技术公开了一种氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件。该氧化物TFT包括依次形成于基板上的栅极、有机物栅极绝缘层、甲氧基硅烷类衍生物修饰层、氧化物有源层及源漏电极层。该阵列基板、显示器件均含有该氧化物TFT。本发明专利技术氧化物TFT的载流子迁移率高，阈值电压低，漏电流小，性能稳定；阵列基板性能和显示器件的显示质量均得以提高。

【技术实现步骤摘要】
氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件
本专利技术属于平板显示
，具体涉及一种氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显不器件。
技术介绍
由于现有氧化物TFT(氧化物薄膜晶体管)如基于ZnO形成的IGZO(铟镓锌氧化物)TFT技术因为其与传统的非晶硅和多晶硅TFT相比具有高迁移率，均匀性好等优点，而且其薄膜可实现低温制备，衬底可以选择柔性的塑料，以制备柔性显示器件，是近年来备受业界关注并得到大力发展的新型TFT背板技术。TFT背板器件中的栅极绝缘材料是影响TFT性能的重要材料之一。目前许多研究发现，TFT的载流子主要在半导体层与绝缘层界面之间2-6个单分子层传输，这表明绝缘层的性能将对半导体层的结构产生直接影响，进而影响器件的综合性能；影响器件的阈值电压，开关电流比；影响载流子在半导体层的分布以及器件的迁移率等。通常来说，衡量TFT优劣的主要性能参数如迁移率和阈值电压都受绝缘层表面的成膜质量、绝缘层的介电常数以及绝缘层/有源层界面的性质影响。因此选用不同参数的绝缘材料就可能得到不同的载流子迁移率大小和阈值电压。绝缘材料的一个最基本参数要求是较高的介电常数，一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物TFT，包括形成于基板上的栅极、形成于设置有所述栅极的所述基板表面上的栅极绝缘层和在所述栅极绝缘层外面上形成的氧化物有源层以及在所述有源层上形成的源电极和漏电极，其特征在于：所述栅极绝缘层材料包括含羟基聚合物；在所述栅极绝缘层与所述有源层之间还形成有修饰层，所述修饰层材料为甲氧基硅烷类衍生物。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物TFT，包括形成于基板上的栅极、形成于设置有所述栅极的所述基板表面上的栅极绝缘层和在所述栅极绝缘层外面上形成的氧化物有源层以及在所述有源层上形成的源电极和漏电极，其特征在于:所述栅极绝缘层材料包括含羟基聚合物；在所述栅极绝缘层与所述有源层之间还形成有修饰层，所述修饰层材料为甲氧基硅烷类衍生物。2.如权利要求1所述的氧化物TFT，其特征在于:所述含羟基聚合物选自聚乙烯苯酚、聚乙烯醇中的至少一种；或/和 所述甲氧基硅烷类衍生物选自苯基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的至少一种。3.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于:所述栅极绝缘层材料还包括交联齐U，所述交联剂与所述含羟基聚合物的质量比为1:(3-5)。4.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于:所述栅极绝缘层的厚度为1000-1300nm ;或/和所述修饰层的厚度为80_100nm。5.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于:所述基板为柔性基板。6.如权利要求1或2所述的氧化物TFT，其特征在于:其还包括平坦层，所述平坦层形成于设置有所述源电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨帆，申智渊，付东，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44