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氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件技术
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文档序号:10327945
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本发明公开了一种氧化物TFT及其制备方法、阵列基板、显示器件。该氧化物TFT包括依次形成于基板上的栅极、有机物栅极绝缘层、甲氧基硅烷类衍生物修饰层、氧化物有源层及源漏电极层。该阵列基板、显示器件均含有该氧化物TFT。本发明氧化物TFT的载流...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。
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