【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说，涉及半导体装置和方法。
技术介绍
通过半导体工艺所制造的最小部件的不断减小以及生成的器件的尺寸的减小已经使得速度、性能、密度以及集成电路和系统的单元功能的成本不断改进。随着半导体工艺节点继续减小，各种结构也变得越小。然后，某些部件经历了对非易失性单元的性能产生负面影响的降低耦合。例如，擦除栅极与浮置栅极的耦合是形成的通过一个或者多个介电层隔离的两个结构区域的功能。随着单元尺寸缩小，结构缩小和降低擦除栅极与控制栅极的耦合，从而降低了性能。在闪存单元的典型“分离栅极”布置中，擦除栅极形成在两个存储单元之间的公共源极区上方，每个存储单元都具有位于浮置栅电极上方的由介电材料环绕的控制栅极。可用于在单元编程周期期间进行耦合的浮置栅极和擦除栅极的耦合区域对单元性能来说很重要。随着耦合区域减小，编程周期性能劣化。这反映需要提高控制栅极上的电位或者降低编程速度。随着可靠存储器对于诸如移动电话、平板电脑和...
【技术保护点】
一种装置，包括：半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的源极区并且具有形成在所述半导体衬底中、与所述源极区间隔开的漏极区；浮置栅极区，形成在所述半导体衬底上方并且设置在所述源极区和所述漏极区之间，所述浮置栅极具有源极侧侧壁和上表面；控制栅极，形成在所述浮置栅极的一部分上方，所述控制栅极具有邻近所述半导体衬底中的所述源极区的源极侧侧壁和邻近所述漏极区的漏极侧侧壁，所述浮置栅极的上表面邻近所述源极区的部分未被所述控制栅极覆盖，所述控制栅极的源极侧侧壁具有第一厚度的源极侧侧壁间隔件并且所述控制栅极的漏极侧侧壁具有大于所述第一厚度的第二厚度的漏极侧侧壁间隔件，所述控制栅极的所述源极...
【技术特征摘要】
2012.11.01 US 13/666,7121.一种装置，包括：
半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的源极区并且具有形成在
所述半导体衬底中、与所述源极区间隔开的漏极区；
浮置栅极区，形成在所述半导体衬底上方并且设置在所述源极区和所
述漏极区之间，所述浮置栅极具有源极侧侧壁和上表面；
控制栅极，形成在所述浮置栅极的一部分上方，所述控制栅极具有邻
近所述半导体衬底中的所述源极区的源极侧侧壁和邻近所述漏极区的漏极
侧侧壁，所述浮置栅极的上表面邻近所述源极区的部分未被所述控制栅极
覆盖，所述控制栅极的源极侧侧壁具有第一厚度的源极侧侧壁间隔件并且
所述控制栅极的漏极侧侧壁具有大于所述第一厚度的第二厚度的漏极侧侧
壁间隔件，所述控制栅极的所述源极侧侧壁间隔件和所述漏极侧侧壁间隔
件彼此不对称；
多晶硅层间电介质，位于紧邻所述源极区的所述浮置栅极的源极侧侧
壁和上表面的上方；以及
擦除栅极，形成在所述源极区上方、位于所述多晶硅层间电介质上方
并且邻近所述控制栅极的源极侧侧壁，所述擦除栅极覆盖所述浮置栅极邻
近所述源极区的所述上表面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，位于所述浮置栅极的至少一部
分所述上表面上方的所述擦除栅极覆盖所述浮置栅极至少5％的所述上表
面。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，位于所述浮置栅极的至少一部
分所述上表面上方的所述擦除栅极覆盖所述浮置栅极5％至20％之间的所
述上表面。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，位于所述浮置栅极的至少一部
分所述上表面上方的所述擦除栅极覆盖所述浮置栅极5％至10％之间的所
述上表面。
5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括邻近所述控制栅极的源极
\t侧侧壁、形成在所述半导体衬底的所述漏极区上方的选择栅极。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制栅极的所述源极侧侧
壁间隔件和所述漏极侧侧壁间隔件中的至少一个由复合间隔件形成，所述
复合间隔件包括邻近所述控制栅极的氮化物间隔件和覆盖所述氮化物间隔
件的氧化物间隔件。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述控制栅极的所述漏极侧侧
壁间隔件在所述漏极侧侧壁邻近所述浮置栅极的所述上表面的底部处具有
L形。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述控制栅极的所述源极侧侧
壁间隔件在所述浮置栅极邻近所述控制栅极的底部的所述上表面处终止并
且所述源极侧侧壁间隔件在所述浮置栅极的所述上表面上方基本没有从控
制栅极侧壁水平延伸。
9.一种装...
【专利技术属性】
技术研发人员：才永轩，朱文定，刘珀玮，黄文铎，杨裕祥，邱捷飞，许祐凌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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