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本发明提供了用于具有提高编程效率的非易失性存储单元的方法和装置。公开了一种装置，包括在形成半导体衬底上方的浮置栅极的一部分上方所形成的控制栅极。控制栅极包括紧邻半导体衬底中的源极区的源极侧的侧壁间隔件和漏极侧的侧壁间隔件，浮置栅极具有紧邻源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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