本发明提供一种以锗或硅锗为主要成分的p型半导体的热处理方法，利用该热处理方法，能够适当地控制掺杂剂的扩散。将形成有注入了硼等掺杂剂的锗的半导体层的基板搬入室(6)内。在向室(6)内供给含有氢气的处理气体而在半导体层的周围形成含有氢气的环...

本发明提供能够抑制生成热施主的以锗为主要成分的p型半导体的热处理方法。注入了硼等掺杂剂的锗半导体层为p型半导体。以200℃以上且300℃以下的预备加热温度T1预备加热上述半导体层后，用照射时间极短的闪光照射将该半导体层加热至500℃以上...

本发明提供一种可以将不同种类的处理液分离并回收的基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置包括：旋转卡盘，其保持基板；处理液供给单元，其对由基板保持部保持的基板的被处理面供给具有第一比重的第一处理液与具有第二比重的第二处理液；贮存部，其...

一种基板处理装置，具有：筒状的挡板，其接住从旋转夹具向外侧飞散的液体；环状的杯，其用接液槽接住被挡板向下方引导的液体；挡板升降单元，其使挡板沿上下方向移动；清洗液供给单元，其将从冲洗液喷嘴喷出的纯水经由旋转夹具和挡板向接液槽供给；清洗液...

本发明的基板处理装置具有：涂敷处理单元，其通过将含有金属的涂敷液作为含金属涂敷液向基板的被处理面供给，由此在被处理面形成含金属涂敷膜；金属去除单元，其在通过涂敷处理单元来形成含金属涂敷膜后，以含金属涂敷膜残留在基板的被处理面的除周缘部以...

基板处理装置具备：基板旋转机构，旋转基板；喷嘴部，向所述基板的主面喷出处理液的液滴；以及喷嘴移动机构，使所述喷嘴部在沿所述主面的方向上移动。喷嘴部具备两个引导面(511)、两个气体喷出口(512)和两个处理液供给口(513)。气体喷出口...

本发明提供一种能够在不给器件结构带来损伤的情况下导入氟的半导体装置的制造方法。作为处理对象的半导体晶片具有在硅基材的上方隔着二氧化硅的界面层膜形成高介电常数栅极绝缘膜，而且在高介电常数栅极绝缘膜的上方形成含有氟的金属栅极电极的堆叠结构。...

本发明提供一种能够抑制生产能力下降的热处理方法及热处理装置。在热处理装置(100)中设置有第一冷却室(131)及第二冷却室(141)两个冷却室。未处理的半导体晶片(W)交替地搬入到第一冷却室(131)内或第二冷却室(141)内被进行氮气...

一种孔板，其是在板上表面具有开口的孔的孔板。孔具有平坦的底面部和从底面部的周缘向上方立起的周壁部；周壁部在任意的高度位置沿周向具有阶梯部，并且周壁部的位于阶梯部上方的周壁上部比位于该阶梯部下方的周壁下部，横截面积更大；进一步地，阶梯部表...

在基板处理部利用药液对半导体基板进行表面处理。通过基板处理将溶解有金属的药液排出至储存罐并储存。多元酸供给部向储存罐供给具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸。将具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸混合在包含金属的已使用的药液中，将该混合液的...

本发明提供一种基板处理装置，包括：多个夹具构件(13)，通过将基板(W)夹持为水平而将基板(W)保持为水平的姿势；支撑构件(59)，支撑夹具构件(13)；紧固构件(43)，将夹具构件(13)紧固在支撑构件(59)上。夹具构件(13)包括...

本发明的基板处理装置，其特征在于，具有：供给机构，向基板(W)的图案形成面供给含有熔融状态的升华性物质的处理液，凝固机构，使所述处理液在所述形成面上凝固形成凝固体，以及升华机构，使所述凝固体升华，将凝固体从所述形成面除去；所述升华性物质...

一种部件销售系统，其对装置的用户具有高便利性。作为半导体制造装置的用户的公司的负责人，从信息终端经由互联网登录到在电子商店销售半导体制造装置的部件的部件销售公司的服务器，指定规定的关键词来进行部件的检索。该负责人通过指定作为检索结果显示...

本发明提供基板处理装置及基板处理方法，不仅能将基板的上表面中央部与相对面之间，还能将基板的上表面外周部与相对面之间使用处理液良好地填满，由此能够对基板的上表面实施均匀的处理液处理，该装置包括：基板保持单元，一边将基板保持为水平，一边使基...

本发明提供喷嘴清扫装置、涂覆装置及喷嘴清扫方法。根据本发明，能够抑制为了清扫狭缝喷嘴(2)而在狭缝喷嘴(2)上滑动的刮除器(61B)的磨损。刮除器(61B)在狭缝喷嘴(2)的唇部(24)的倾斜面(26)上滑动之前，喷洒器(61A)事先在...

本发明的基板处理装置中，由处理液供应部向喷出部(41)供应处理液，从喷出部(41)的喷出口(411)向基板喷出处理液。喷出部(41)中，液体接触面(45)由不含金属的材料形成，液体接触面(45)中的位于具有喷出口(411)的顶端部(42...

为了解决从基板的表面良好地去除抗蚀剂的课题，在包括旋转卡盘(5)以及向被旋转卡盘(5)保持的基板(W)供给SPM的SPM供给单元(6)的基板处理装置(1)中，所述SPM供给单元(6)具有：混合单元(30)，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从...

通过热处理部，对载置有基板的上部板进行冷却或者加热。通过温度调整部调整热处理部的温度。检测上部板的温度。基于检测出的温度，计算为了将上部板的温度维持在设定的值而应该提供给温度调整部的控制值，来作为控制运算值。在控制运算值降低至小于第二阈...

本发明涉及多层立体结构的制造，提供能够分别调整凹凸面中的各凹部的深度且能够抑制曝光位置的位置偏移导致的凹凸面的形状变化的技术。在本发明中，通过对在各层重复进行抗蚀剂层的形成与对该抗蚀剂层进行选择性的曝光而生成的抗蚀剂层叠体进行显影，来制...

基板处理装置包括用于控制基板保持单元、蚀刻液供给单元以及多个电极的控制装置。控制装置执行：蚀刻工序，一边使基板围绕旋转轴线旋转，一边向基板供给蚀刻液；蚀刻带电工序，对多个电极施加电压，以使施加电压的绝对值按照第一电极和第二电极的顺序增加...