基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具备：基板旋转机构，旋转基板；喷嘴部，向所述基板的主面喷出处理液的液滴；以及喷嘴移动机构，使所述喷嘴部在沿所述主面的方向上移动。喷嘴部具备两个引导面(511)、两个气体喷出口(512)和两个处理液供给口(513)。气体喷出口沿引导面喷出气体，形成沿引导面流动的气流。处理液供给口设置于引导面，向气流与引导面之间供给处理液。在喷嘴部中，当将两个气体喷出口中的一个视为形成将处理液作为薄膜流向引导面的下端边缘(516)输送的气流的第一气体喷出口时，另一个成为形成与从下端边缘飞散的处理液碰撞的气流的第二气体喷出口。由此，能够喷出粒径均匀的多个液滴来对基板进行适当地处理。

Substrate treatment device

The substrate processing device is provided with a substrate rotating mechanism, a rotating substrate, a nozzle part, a liquid droplet ejecting the processing liquid to the main surface of the substrate, and a nozzle moving mechanism, so that the nozzle part moves along the direction of the main surface. The nozzle section has two guide surfaces (511), two gas jet exits (512) and two treatment liquid supply ports (513). The gas ejection port sprays gas along the guide surface to form the flow of air along the guide surface. The treatment liquid supply port is set on the guide surface, and the treatment liquid is supplied between the air flow and the guide surface. In the nozzle part, when a two gas jet mouth to form the processing liquid film flow guiding surface as the lower edge (516) of the first gas conveying air ejection port, the other a formation and from second gas outlet air treatment liquid collision flying the lower edge. Thus, a plurality of droplets with uniform particle size can be ejected to properly handle the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置。
技术介绍
一直以来，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，利用了向基板表面提供处理液的液滴的基板处理装置。例如，在日本特开2004-349501号公报(文献1)的基板处理装置中，安装了所谓的外部混合型的双流体喷嘴。在双流体喷嘴的一方的端部中，环状的气体喷出口开口，液体喷出口在气体喷出口的中心部附近开口。由于从液体喷出口喷出的纯水几乎直行，从环状的气体喷出口喷出的氮气朝向壳体外的汇流点以汇流的方式前进，因此氮气和纯水在收束点碰撞而混合，从而形成纯水的液滴的喷流。此外，在专利第5261077号公报(文献2)的安装于基板清洗装置的清洗喷嘴中，在筒状体的壁面穿设多个喷出孔，在该壁面中的与多个喷出孔相对的部位的外壁面贴设压电元件。通过对压电元件施加交流电压，向筒状体内部的清洗液提供振动，从多个喷出孔喷出清洗液的液滴。另外，在专利第2797080号公报中，公开了生成用以微粉末化或者使其气化的液滴的喷嘴。在该喷嘴中，从供给口向倾斜面供给液体，该液体被沿倾斜面高速流动的空气流拉伸变薄而成为薄膜流。薄膜流被空气流加速而从倾斜面的顶端喷射向气体中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其中，具备：基板旋转机构，旋转基板，喷嘴部，向所述基板的主面喷出处理液的液滴，以及喷嘴移动机构，使所述喷嘴部在沿所述主面的方向上移动；所述喷嘴部具备：引导面，第一气体喷出口，通过沿所述引导面喷出气体，形成沿所述引导面流动的第一气流，处理液供给口，设置于所述引导面，向所述第一气流与所述引导面之间供给所述处理液，以及第二气体喷出口，形成在所述引导面的端部附近与从所述端部飞散的所述处理液碰撞的第二气流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.26 JP 2015-1060651.一种基板处理装置，其中，具备：基板旋转机构，旋转基板，喷嘴部，向所述基板的主面喷出处理液的液滴，以及喷嘴移动机构，使所述喷嘴部在沿所述主面的方向上移动；所述喷嘴部具备：引导面，第一气体喷出口，通过沿所述引导面喷出气体，形成沿所述引导面流动的第一气流，处理液供给口，设置于所述引导面，向所述第一气流与所述引导面之间供给所述处理液，以及第二气体喷出口，形成在所述引导面的端部附近与从所述端部飞散的所述处理液碰撞的第二气流。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述引导面是以规定的中心轴为中心的圆锥面，所述处理液供给口是以所述中心轴为中心的环状，所述喷嘴部设置有以所述中心轴为中心的环状喷出口，从所述环状喷出口沿所述圆锥面向从所述圆锥面的基部朝向顶部的方向喷出气体，所述环状喷出口的一部分作为所述第一气体喷出口而发挥功能，所述环状喷出口的另一部分作为所述第二气体喷出口而发挥功能。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述喷嘴部还具备辅助气体喷出口，所述辅助气体喷出口设置于所述圆锥面的所述顶部的附近，沿所述中心轴喷出气体。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述喷嘴部还具备其他引导面，所述引导面在所述端部具有线状的边缘，所述其他引导面具有其他边缘，所述其他边缘与所述引导面的所述边缘平行且与所述边缘接近，或者所述其他边缘与所述边缘一致，所述第二气体喷出口沿所述其他引导面，向从所述其他引导面的与所述其他边缘相反的一侧朝向所述其他边缘的方向喷出气体。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述引导面和所述其他引导面包括板状构件的侧面的一部分，所述第一气体喷出口、所述处理液供给口和所述第二气体喷出口分别是在所述板状构件的所述侧面和至少一个主面开口的狭缝。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述喷嘴部还具备筒状引导部，所述筒状引导部以规定的中心轴为中心，所述筒状引导部的壁厚随着从一端朝向另一端而逐渐...

【专利技术属性】
技术研发人员：波多野章人，林豊秀，桥本光治，小林健司，高桥弘明，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP