基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

为了解决从基板的表面良好地去除抗蚀剂的课题，在包括旋转卡盘(5)以及向被旋转卡盘(5)保持的基板(W)供给SPM的SPM供给单元(6)的基板处理装置(1)中，所述SPM供给单元(6)具有：混合单元(30)，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从而生成过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液；以及HF混合SPM生成单元(14)，将所述混合液与硫酸混合，从而生成HF混合SPM。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及从基板的表面去除抗蚀剂的基板处理装置和基板处理方法。在成为处理对象的基板中，包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
已知，为了从基板的表面去除抗蚀剂，向基板的表面供给硫酸过氧化氢溶液混合液(sulfuricacid/hydrogenperoxidemixture：SPM)。在进行高剂量的离子注入的晶片中，有时因抗蚀剂的碳化和变质导致抗蚀剂的表层发生固化，而在抗蚀剂的表面形成有固化层。在专利文献1中提出了，对于表面具有固化层的抗蚀剂，也可以不进行灰化而从基板的表面去除抗蚀剂的方法。在该文献中公开了，为了通过离子注入将表层固化的抗蚀剂从基板去除，而将高温SPM供给至基板的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-4878号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，在专利文献1的方法中，用氮气加速的高温SPM的液滴与基板发生碰撞，因此有可能损伤晶片上的器件。而且，由于以液滴的形态供给SPM，因此有时难以确保用于剥离抗蚀剂的足够的液量。于是，本专利技术的目的在于，提供能够良好地从基板的表面去除抗蚀剂的基板处理方法和基板处理装置。用于解决问题的手段本专利技术一个实施方式提供一种基板处理方法，从基板的表面去除抗蚀剂，包括：混合工序，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从而生成过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液；生成工序，在所述混合工序之后，将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸进行混合，生成HF混合SPM，该HF混合SPM为硫酸、过氧化氢溶液以及氢氟酸的混合液；以及供给工序，将所述HF混合SPM供给至所述基板的表面。在所述混合工序中混合的过氧化氢溶液和氢氟酸也可以均为常温。所述生成工序也可以是在离开所述基板的位置将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合的工序。所述生成工序也可以是在所述基板的表面将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合的工序。根据这些方法，能够抑制损伤晶片上的器件并且良好地去除抗蚀剂。本专利技术的其它实施方式提供一种基板处理装置，包括：基板保持单元，用于保持表面被抗蚀剂覆盖的基板；以及SPM供给单元，向被所述基板保持单元保持的基板的表面供给HF混合SPM，所述HF混合SPM未硫酸、过氧化氢溶液以及氢氟酸的混合液。所述SPM供给单元具有：混合单元，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从而生成过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液；以及HF混合SPM生成单元，在所述混合单元混合过氧化氢溶液和氢氟酸之后，将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合，从而生成HF混合SPM。根据本方案，能够抑制损伤晶片上的器件并且良好地去除抗蚀剂。所述混合单元也可以包括混合箱，分别向该混合箱供给过氧化氢溶液和氢氟酸，并且将供给至所述HF混合SPM生成单元的所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液贮存在所述混合箱中。根据该方案，能够在过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合之前，使过氧化氢溶液和氢氟酸可靠地混合。所述混合单元也可以还包括用于搅拌所述混合箱内的所述混合液的搅拌单元。根据该方案，能够均匀地混合过氧化氢溶液和氢氟酸。搅拌单元可以是在混合箱中所贮存的混合液中旋转的转子，也可以是在混合箱中所贮存的混合液中产生气泡的发泡单元。所述搅拌单元可以包括发泡单元，该发泡单元从在所述混合箱内贮存的所述混合液中配置的气体喷出口喷出气体，从而在所述混合液中产生气泡。根据该方案，由于产生气泡，过氧化氢溶液和氢氟酸能均匀地混合。所述混合单元也可以将过氧化氢溶液与溶液量少于所述过氧化氢溶液的氢氟酸进行混合。在此情况下，所述HF混合SPM生成单元也可以将硫酸与溶液量少于所述硫酸的所述混合液进行混合。根据该方案，能够抑制基板的损伤并且生成能够剥离抗蚀剂的HF混合SPM、即HF的浓度低的HF混合SPM。参照附图通过如下所述的实施方式的说明将明确本专利技术中的上述的或其它的目的、特征及效果。附图说明图1是表示本专利技术一个实施方式的基板处理装置的示意性俯视图。图2是沿水平方向观察图1所示的基板处理装置所具有的腔室的内部的示意图。图3是表示基板处理装置所具有的控制装置的框图。图4是表示利用图2中所示的处理单元进行的抗蚀剂去除处理的一个例子的流程图。图5是表示抗蚀剂去除试验的条件和结果的图。图6是表示本专利技术的其它实施方式的基板处理装置的局部的图。图7是表示本专利技术的其它实施方式的基板处理装置的局部的图。具体实施方式图1是表示本专利技术一个实施方式的基板处理装置1的示意性俯视图。图2是沿水平方向观察基板处理装置1所具有的腔室4的内部的示意图。如图1所示，基板处理装置1是每次处理一张半导体晶片等圆板状基板W的单张式装置。基板处理装置1包括：多个装载口LP，用于保持容纳基板W的多个载体C；多个处理单元2，用处理液、处理气体对从多个装载口LP搬送的基板W进行处理；基板搬运机器人IR、CR，在多个装载口LP与多个处理单元2之间搬送基板W；以及控制装置3，用于控制基板处理装置1。如图2所示，各处理单元2是单张式单元。各处理单元2包括：箱形的腔室4，具有内部空间；旋转卡盘(基板保持单元)5，在腔室4内将一张基板W保持为水平姿势，并且使基板绕穿过基板W的中心的垂直的旋转轴线A1旋转；SPM供给单元6，向被旋转卡盘5保持的基板W供给SPM、H2O2以及HF混合SPM(以下，把它们总称为SPM等)；冲洗液供给单元8；以及筒状的杯9，其环绕旋转卡盘5。HF混合SPM表示添加了HF的SPM。旋转卡盘5包括：圆板状的旋转基座10，被保持为水平姿势；多个卡盘销11，在旋转基座10的上方将基板W保持为水平姿势；旋转軸12，从旋转基座10的中央部朝下方延伸；以及旋转马达13，通过使旋转軸12旋转而使基板W以及旋转基座10绕旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5不限于使多个卡盘销11与基板W的周端面接触的夹持式卡盘，也可以是使作为非器件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座10的上表面而使基板W保持水平的真空式吸盘。杯9配置在比被旋转卡盘5保持的基板W更靠外侧(远离旋转轴线A1的方向)的位置。杯9环绕旋转基座10的周围。在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下，当处理液供给至基板W时，供给至基板W的处理液被甩到基板W的周围。在处理液被供给至基板W时，朝上开口的杯9的上端部9a配置在比旋转基座10更靠上方的位置。因此，被喷出到基板W周围的SPM、冲洗液等处理液被杯9接收。而且，被杯9接收的处理液被送进未图示的回收装置或排液装置。冲洗液供给单元8包括：冲洗液喷嘴35，向被旋转卡盘5保持的基板W喷出冲洗液；冲洗液配管36，向冲洗液喷嘴35供给冲洗液；冲洗液阀37，交替地进行从冲洗液配管36向冲洗液喷嘴35供给冲洗液以及停止供给该冲洗液。冲洗液喷嘴35是在冲洗液喷嘴35的喷出口静止的状态下喷出冲洗液的固定喷嘴。冲洗液供给单元8也可以具有冲洗液喷嘴移动单元，通过使冲洗液喷嘴35移动而使相对于基板W上表面的冲洗液的着落位置移动。当打开冲洗液阀37时，从冲洗液配管36供给至冲洗液喷嘴35的冲洗液从冲洗液喷嘴35朝向基板W的上表面中央部喷出。冲洗液例如是常温(约23℃)的纯水(去离子水：De本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，从基板的表面去除抗蚀剂，包括：混合工序，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从而生成过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液；生成工序，在所述混合工序之后，将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸进行混合，生成HF混合SPM，该HF混合SPM为硫酸、过氧化氢溶液以及氢氟酸的混合液；以及供给工序，将所述HF混合SPM供给至所述基板的表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.24 JP 2015-061287;2015.12.17 JP 2015-246621.一种基板处理方法，从基板的表面去除抗蚀剂，包括：混合工序，将过氧化氢溶液和氢氟酸混合，从而生成过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液；生成工序，在所述混合工序之后，将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸进行混合，生成HF混合SPM，该HF混合SPM为硫酸、过氧化氢溶液以及氢氟酸的混合液；以及供给工序，将所述HF混合SPM供给至所述基板的表面。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述混合工序中混合的过氧化氢溶液和氢氟酸均为常温。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述生成工序是在离开所述基板的位置将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合的工序。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述生成工序是在所述基板的表面将所述过氧化氢溶液和氢氟酸的混合液与硫酸混合的工序。5.一种基板处理装置，包括：基板保持单元，用于保持表面被抗蚀剂覆盖的基板；以及SPM供给单元，向被所述基板保持单元保持...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋月佑介，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP