本发明提供了用于传送提升组件的系统、方法和装置，该传送提升组件包括机架、安装在机架上的至少一组轮、安装在机架上的提升组件、适于控制提升组件的控制器、和安装在机架上的电机磁体阵列。传送提升组件适于响应于外部磁场的施加而被驱动并对移动的传送...

本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一...

本文公开了一种用于恢复阳极化铝质部件的清洁工艺，该工艺对于已经暴露至蚀刻反应器中的含氟等离子体下的部件特别有用。将部件浸泡于氟化物酸（例如，氟化铵）的搅拌溶液中，氟化物酸可将氟化铝转换成可溶解的氟化物（８６）。以水清洗部件（８８）。将部...

本发明提供了在导电材料与电介质层之间沉积粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：放置具有位于衬底表面上的导电材料的衬底；使所述衬底暴露于还原化合物、硅基化合物或上述二者中；使所述衬底表面的至少一...

本发明提供了一种用于使用先进图案膜（ＡＰＦ）刻蚀晶片的方法，其减小了弯曲并提高了底部对顶部比率，其包括：将包括ＡＰＦ层的晶片提供到处理室中，其中处理室构造有以约１６２ＭＨｚ工作的电源；将处理气体供应到室中；使用１６２ＭＨｚ电源施加源功率...

本发明提供了用于以相对于电介质块绝缘层的高选择性来刻蚀电介质阻挡层的方法。在一种实施例中，该方法包括：在反应器中提供衬底，衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将包含Ｈ↓［２］的气体混合物流入反应器中；以及相对于电介质块...

提供一种以两个步骤蚀刻双镶嵌结构中的ＢＡＲＣ层的方法。在一个实施例中，该方法包括在蚀刻反应器中提供具有过孔的衬底，该过孔填充有沉积在衬底上的ＢＡＲＣ层，将第一气体混合物供应到反应器以蚀刻填充在过孔中ＢＡＲＣ层的第一部分，并将包括ＮＨ↓［...

通过在工件上执行氟碳基蚀刻处理以蚀刻电介质层的露出部分同时在光刻胶掩膜上沉积保护性氟碳聚合物来在蚀刻反应器中首先执行用于使用光刻胶掩膜蚀刻多孔掺杂碳氧化硅电介质层的等离子体蚀刻处理。然后，在灰化反应器中，通过将工件加热超过１００℃来去除...

本发明提供了一种刷洗机箱（１０１）及其使用方法，该刷洗机箱包括：槽（１０３），适合于接收基片（Ｗ）以便对其进行清洗；支撑（１０７、１０９），位于槽的外部并且适合于连接到设置在该槽内部的刷洗机刷（１０６ａ，１０６ｂ）的端部；马达（１１１）...

本发明提供一种提供减小等离子体穿透和电弧的静电夹盘的方法和设备。一个实施例包括板和电介质部件，其中电介质部件插入到板中。板适于定位在通道内以限定充气空间，其中，电介质部件提供耦合到充气空间的流体通路的一部分。形成在电介质部件上的多孔电介...

本发明公开了一种在衬底上制备层系统处理装置，包括：一个或多个处理台配置，用于在处理台中处理衬底；以及第一封装模块，包括在沉积在衬底上的层系统上提供封装的第一封装工具。处理装置包括至少一个第二封装模块，其包括至少一个在沉积在衬底上的层系统...

一种在等离子体反应器中刻蚀抗蚀剂结构的有机平坦化层的方法，所述抗蚀剂结构包含处于掩蔽所述有机平坦化层的硬掩模上方的光刻胶掩模结构，所述方法包括：　将包含Ｎ↓［２］、Ｈ↓［２］和Ｏ↓［２］的刻蚀剂气体化学剂引入所述等离子体反应器中；以及 ...

本发明提供一种通过处理开口侧壁上的聚合物来防止弯曲和鼓起的方法。通过在每个接触开口的侧壁上形成高导电薄膜以在防止蚀刻轮廓鼓起或者弯曲的同时蚀刻高深宽比的接触开口。通过在蚀刻处理过程中周期性地执行离子轰击来提高侧壁上薄膜的电导率。

本发明涉及一种包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法。该方法包括至少两个液体化学处理步骤，其中一个处理步骤将碳化硅转化成二氧化硅，另一个处理步骤去除二氧化硅。所述液体化学处理步骤通常在低于约１００℃温度时进行。进行所述方法所需要的时...

本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有...

本实用新型公开了一种具有结构和表面的处理室构件，在激发气体中处理衬底的过程中，处理残余物良好地粘附到所述表面上，以减小对于衬底的污染。在一个方案中，所述结构具有可以彼此相反的第一和第二螺旋槽。在另一方案中，构件表面包括多个径向地间隔开的...

一种固定环，具有大致为环状的第一部分和大致为环状的第二部分，其特征在于：　　　　所述大致为环状的第一部分具有有着一个或多个凹陷的表面；并且　　　　所述大致为环状的第二部分具有当第一和第二部分结合在一起时伸入所述第一部分的一个或多个凹陷中...

一种衬底支撑环包括带，该带具有至少部分围住衬底周边的内周边。该带具有辐射吸收表面。缘从该带的内周边向内沿径向延伸以支撑所述衬底。该带和缘可以由碳化硅形成，并且辐射吸收表面可以是被氧化的碳化硅层。在一种方案中，该带和缘具有组合热质量Ｔ↓［...

一种远程等离子反应器的并合器，适用于基材沉积室，具有：至少两个远程等离子反应器，每一个远程等离子反应器产生清洁气体流，且具有排出口，供该主要导管清洁气体流流出；歧管，具有多个入口及一个出口，其中该歧管内形成内部通道，与上述入口及该出口连...

本实用新型提供一种用于传输衬底架的传输封装件，所述传输封装件包括：容器，包括硬箱体；所述箱体内部的泡沫块，所述泡沫块包括切割部分，该切割部分具有其形状对应于传输外壳的外部形状的内部轮廓，所述传输外壳包括具有绕其向外和横向延伸的凸缘的圆柱...