【技术实现步骤摘要】
本专利技术的方面一般地涉及半导体器件和这些半导体器件的制造的领域。更具体而言，本专利技术的实施例涉及用于刻蚀先进图案膜(APF)的方 法和设备。
技术介绍
随着计算机变得越来越快速和强大，使这些计算机运行的半导体器件 也变得更加小和复杂。许多现代的半导体器件由CMOS (互补金属氧化物 半导体)晶体管和电容制成，其中CMOS晶体管通常包括源极、漏极和栅 极。栅极通常被称作栅层叠，因为它可以包括数个部件，例如栅电机和下 层栅极电介质。侧壁间隔体(也称作间隔体或间隔层)可以于栅极结构相 邻，并通常包括氧化物层和氮化物层部件。虽然CMOS器件是在许多计算机中能够找到的通用半导体器件，但是 它们变得越来越难以制造。难以制造CMOS器件的一个原因在于这些器件 变得更小，因此与各个CMOS器件相关的公差要求变得更严格。 一种用于 制造这种CMOS器件的方法包括在布置于后述掩模下的材料层上(即，在 下层上)形成图案掩模(例如，光刻掩模)，并接着使用图案光刻掩模作 为刻蚀掩模来刻蚀材料层。先进图案膜(APF)是可剥离的硬掩模(无定 形碳/DARC层叠膜)，其可以用于代替精整处理...
【技术保护点】
一种刻蚀先进图案膜（ＡＰＦ）的方法，包括以下步骤： 将包括ＡＰＦ层的晶片提供到处理室中，其中所述处理室构造有以约１６２ＭＨｚ工作的电源； 将处理气体供应到所述室中，其中所述处理气体包括氢气（Ｈ↓［２］）、氮气（Ｎ↓［２］）和一氧化碳气体（ＣＯ），并且Ｈ↓［２］∶Ｎ↓［２］的比率是约１∶１； 使用所述１６２ＭＨｚ电源施加源功率；以及 将偏压功率施加到所述晶片。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王竹戌，宋兴礼，马绍铭，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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