一种衬底处理系统具有限定处理室的壳体。衬底夹持器放置在处理室内并被配置来在衬底处理期间支撑衬底平面内的衬底。气体传输系统被配置来将气体引入到处理室内。压力控制系统维持处理室内的选定压力。高密度等离子体生成系统与处理室可操作的耦合。具有磁...

一种用于制造半导体器件的方法包括在衬底上提供搀杂硅区域，并且在衬底上邻近该搀杂硅区域形成锗化硅材料。受应力氮化硅层被形成在衬底上的搀杂硅区域的至少一部分上。锗化硅层和受应力氮化硅层在衬底上的搀杂硅区域中引入应力。在一个版本中，半导体器件...

本发明公开了一种用于通过利用ＰＥＣＶＤ工艺在栅极结构上沉积一个或多个含硅材料层以产生总ｋ值在约３．０到约５．０之间的隔片，从而在栅极叠层上形成侧壁隔片的方法。含硅材料可以是碳化硅、掺氧的碳化硅、掺氮的碳化硅、掺碳的氮化硅、掺氮的碳氧化硅...

提供了一种用于提供室壁和衬底支撑之间的ＲＦ电流返回电流路径的装置，包括具有第一端和第二端的低电阻柔性幕，第一端适于电连接到室壁，第二端适于连接到所述衬底支撑，其中所述幕还包括位于第一端和第二端之间的轴向距离上的幕材料中的至少一个折叠和切...

提供了用于处理衬底的抛光物件的实施例。在一个实施例中，用于处理衬底的抛光物件包括具有布置在其上的导电层的织物层。导电层可以是编织的或非编织的。导电层可以由软材料制成，并且在一个实施例中，暴露表面可以是平面的。

本发明提供了一种用于在电化学机械抛光系统中加工衬底的单元、系统和物品。用于抛光衬底的单元包括布置在压盘组件顶面上的抛光衬垫。多个导电元件以间隔分离的关系布置成穿过上抛光表面，并适合于相对于布置在所述衬垫和所述压盘组件之间的电极偏压所述衬...

本发明提供了处理其上具有导电材料层的衬底的方法，所述方法包括将衬底放置在处理装置中并向衬底提供第一抛光组合物。所述抛光组合物包含磷酸、至少一种螯合剂、腐蚀抑制剂、盐、氧化剂、研磨剂微粒、至少一种可提供约４至约７的ｐＨ的ｐＨ调节剂和溶剂。...

一种涡流监视系统可以包括细长形铁心。一个或多个线圈可以与细长形铁心耦合以产生振荡磁场，该振荡磁场可以与晶片上的一个或多个导电区域耦合。铁心可以相对于晶片平移以在保持足够信号强度的同时提供更高的分辨率。一种涡流监视系统可以包括ＤＣ耦合的边...

本发明公开了一种用于在无电沉积工艺中控制衬底温度的方法和设备。该设备包括被构造成将衬底支撑在流体扩散构件之上的位置处的沉积单元。加热后流体从流体扩散构件分配并与衬底的背部接触，由此加热衬底。加热后流体从开口分配，用于使整个衬底表面保持恒...

本发明提供了一种衬底加热器组件，用于在处理期间支撑预定标准直径的衬底。在一个实施例中，所述衬底加热器组件包括主体，其具有上表面、下表面以及嵌入加热器元件。衬底支撑表面形成在所述主体的所述上表面中，并界定了衬底接收袋的一部分。环形壁垂直于...

一种用于测量电化学镀槽的电解液中的差分电压的方法和装置。从所测的差分电压计算电流密度，然后与镀上的材料厚度值相关联。可以从厚度值中产生实时厚度形貌。

本发明提供了一种刷洗机箱（１０１），其包括：槽（１０３），适合于接收基片（Ｗ）以便对其进行清洗；支撑（１０７、１０９），位于槽的外部并且适合于连接到设置在该槽内部的刷洗机刷（１０６ａ，１０６ｂ）的端部；马达（１１１），安装到每一支撑并且...

本发明公开了一种无电镀沉积系统和无电镀沉积台。该系统包括处理主机架、定位在主机架上的至少一个衬底清洁台、和定位在主机架上的无电镀沉积台。无电镀沉积台包括环境受控处理围罩、构造为清洁和活化衬底表面的第一处理台、构造为将层无电镀沉积到衬底表...

本发明公开了一种适于光掩模制造中的工艺集成的方法和设备。在一个实施例中，适于光掩模制造中的工艺集成的组合工具包括真空转移室，该真空转移室具有耦合到其上的至少一个硬掩模沉积室和至少一个配置来刻蚀铬的等离子体室。在另一个实施例中，用于光掩模...

本发明提供一种刻蚀衬底的方法。该刻蚀衬底的方法包括使用衬底上的经两次图案化的无定型碳层作为硬掩模将图案转移到衬底中。可选地，在图案被转移到衬底中之前，非碳基层被沉积无定型碳层上作为覆盖层。

我们已经发现，可以通过操作某些膜沉积参数来调节单层氮化硅膜的应力。这些参数包括：工作在不同频率范围内的多个（一般是两个）功率输入源；沉积温度；处理室压强；和沉积源气体的组分。具体而言，我们已经发现，可以通过ＰＥＣＶＤ在单个沉积步骤中沉积...

在一种实施方式中，提供一种用于在等离子体蚀刻反应器中蚀刻高Ｋ电介质材料的方法，该方法包括使用具有ＢＣｌ↓［３］的第一等离子体气体反应物混合物来等离子体蚀刻该高Ｋ电介质材料。高Ｋ电介质材料可以包括包含在具有硅层的叠层中的Ａｌ↓［２］Ｏ↓［...

本发明的实施例一般地提供了一种流体处理平台。该平台包括具有衬底传输机械手的主机、主机上的至少一个衬底清洁室、以及至少一个处理外壳。处理外壳包括定位成与处理外壳的内部流体连接的气体供应、定位在外壳中的第一流体处理室、定位成支撑衬底用于在第...

本发明提供了监视和控制大面积衬底处理室的装置和方法的实施例。可以在衬底处理系统中安装多种类型的度量工具，来测量处理室中的衬底处理后的膜属性。也可以在衬底处理系统中安装多个特定类型的度量工具以测量处理室中的衬底处理后的膜属性。度量工具可以...

本发明提供一种刻蚀衬底的方法，该方法包括用沉积在其上的无定型碳材料刻蚀导体材料。一方面，本发明提供一种用于处理衬底的方法，该方法包括在衬底表面上沉积导体材料层、在导体材料层上沉积无定型碳层、刻蚀无定型碳层以形成图案化的无定型碳层、以及对...