本发明提供了系统、机器和方法，其中，从机器向加工设备发送第一信号，第一信号指示所有的待处理衬底都已从指定载具卸下，并指示可以从机器的装载端口暂时卸载该指定载具。从机器向加工设备发送第二信号，第二信号指示可以使指定载具返回机器。在载具从机...

提供了一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法。所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙。将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体，以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述...

本发明提供一种控制特征尺寸收缩的蚀刻工艺。多层掩模包括形成在待刻蚀的衬底层上平版印刷图形化的光致抗蚀剂和未图形化的有机抗反射涂层（ＢＡＲＣ）。使用有效的负性蚀刻偏置蚀刻该ＢＡＲＣ层以减小在该多层掩模中的开口的特征尺寸至在该光致抗蚀剂中的...

本发明提供一种衬底支架、衬底处理装置和放置衬底的方法，所述衬底支架用于将待处理的衬底支撑在真空处理室中，包括：用于承载所述衬底的框架；固定安装到所述框架的至少第一紧固装置，用于通过将所述衬底安装到所述第一紧固装置来将所述衬底相对于所述框...

本发明提供一种气体流动扩散器。在一个实施例中，提供一种真空处理室，其包括具有内部体积的室本体、设置在内部体积中的衬底支撑件和具有非对称分布的气体喷射端口的气体分配组件。在另一实施例中，提供一种用于真空处理衬底的方法，其包括将衬底设置在处...

本发明提供一种清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统。图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料，方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从图案化设备除去涂敷材料。在从图案化设备除去涂敷材料的步骤期间，图案...

本发明利用具有插入区域的间隔物掩模的频率三倍化。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有由一系列线构成的牺牲掩模的半导体叠层。然后形成间隔物掩模，其包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。间隔物掩模还具有处于间隔物线之间的...

本发明涉及一种制备用于太阳能电池的抗反射和／或钝化涂层的方法，包括步骤：在沉积室中提供硅晶片；将所述硅晶片预加热至大于４００℃的温度；通过溅射工艺沉积含氢抗反射或钝化涂层。本发明还涉及一种制造太阳能电池、优选在Ｓｉ晶片上制备抗反射和／或...

本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后...

在第一方面中，提供了一种用于组装洗涤器刷子组件的方法。所述方法包括以下步骤：（１）将一个或多个插件插入到洗涤器刷子的开口中，其中洗涤器刷子的开口由洗涤器刷子的内表面限定；（２）将心轴插入到洗涤器刷子的开口中，使得一个或多个插件位于心轴的...

本发明涉及具有紧邻穿过离子注入器的离子束的路径的表面的部件。上述表面易于发生沉积，并且本发明解决与沉积材料的剥离相关的问题。本发明提供一种离子注入器部件，其具有至少部分地限定穿过所述离子注入器的离子束路径的表面，其中，所述表面的至少一部...

用于等离子处理室的穹形围壁用具有平均粗糙度从约１５０到约４５０微英寸的粗糙化表面的介电材料制造。等离子喷涂陶瓷涂层被涂敷于介电材料的粗糙化表面。等离子喷涂涂层包括具有负平均偏度值粗糙度的有纹理的表面。当围壁用于等离子处理室时，在等离子处...

一种等离子室装置和方法，具有能够减少或消除来自工件周界上裸露的金属的电弧的处理配套元件。等离子室包括邻近工件的阴极电极。处理配套元件围绕工件周界。处理配套元件包括介电挡板和覆在介电挡板之上的导电挡圈。导电挡圈的电阻率为０．１欧姆＿厘米或...

本发明提供了用于减少等离子室中电弧电流或电子向晶片或部件发射的方法和装置。这里公开了一种用在具有晶片支架的处理室中的插入部件（２３４）。所述插入部件包括由诸如硅之类的第一材料和诸如ＳｉＯ↓［２］之类的、电阻抗大于第一材料的第二材料（２３...

一种用于等离子室的进气歧管，具有带孔的分气板，该分气板由包括一个或多个片的侧壁悬挂。所述片优选地提供弹性，以减小分气板中由于热膨胀与收缩而产生的应力。另一方面，侧壁提供了分气板与室的其他部件之间的隔热。

注入器提供对衬底的相对于注入射束的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对慢速扫描方向上的剂量均匀性的影响。该扫描可以产生不相交...

本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在ＲＦ线圈的径向外部，该ＲＦ线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄漏至线圈，并改进溅射刻蚀的不均匀性...

本发明提供一种用于离子注入器的动态电极安装件，其中具有限定孔（３４）的电极体部分的电极插入构件（２１ｂ）插入到电极支撑架。在一个实施例中，插入构件的第一动态对准销（２９ａ）接合电极支撑架（２１ａ）第一沟槽状动态对准表面，以在两个垂直方向...

本发明提供了一种离子注入器（１），该离子注入器具有减速透镜组件（９），该减速透镜组件包括多个电极（６０、６１、６５），其中减速电极中的一个或多个孔隙（６２、６３、６７）以可以提高离子注入器性能的方式成形。在一个实施例中，电极孔隙（６７）...

本发明的一个实施例是电子束处理设备，其包括：（ａ）室；（ｂ）具有暴露到室的内部的相对较大面积表面的阴极（１２２）；（ｃ）其中具有孔的阳极（１２６），其暴露在室的内部并与阴极间隔工作距离；（ｄ）布置在室内部面对阳极的晶片保持器（１３０）；...