根据本发明的带到带传输模组可以用于衬底传送系统或其他系统以将例如小型衬底载具之类的衬底载具从一个传送装置传输到另一个传送装置，或在相同传送装置的两个点之间传输。衬底载具的例如拾取和放置之类的传输可以在以不同速度行进的传送装置之间进行。还...

本发明提供了用于传送装置到传送装置的传输台的系统、方法和装置，该传输台包括具有驱动机构的轨道、耦合到驱动机构的控制系统、和多个传送提升组件。每个传送提升组件适于被单独地控制、在轨道上行进、从第一传送装置移除至少一个载具、和将载具安装到第...

通过形成比其上方的多孔低ｋ膜碳含量更低、氧化硅含量更高的中间层，改善了多孔低ｋ膜与下方的阻挡层的粘附。粘附层可以单独或者组合使用多种技术来形成。在一个方案中，紧接低ｋ材料的沉积之前，可以通过引入富氧化气体，诸如Ｏ↓［２］／ＣＯ↓［２］等...

本发明提供一种在处理期间控制衬底温度的底座组件。在一个实施例中，底座组件包括耦合到金属基座的静电卡盘。静电卡盘包括至少一个卡盘电极，金属基座至少包括设置在其中的导管环，用于调控所述卡盘的温度。所述环的路径被布置来补偿穿过卡盘形成的孔洞。

提供了一种第一衬底承载体，其具有适于存储一个或更多衬底的主体；以及（１）具有延伸进入主体的存储区域中的一个或更多耦合特征的底表面或（２）在主体旁边延伸的耦合特征中的一者，使得衬底承载体的整体高度不会因耦合特征的总高度而增加。还提供了很多...

本发明提供一种通过如下操作处理衬底的方法：在所述衬底的表面上沉积负性掩模材料；将所述负性掩模材料刻蚀到所述衬底表面，以形成负性掩模特征定义；在所述负性掩模特征定义中沉积抗蚀剂材料；抛光所述抗蚀剂材料，以暴露所述负性掩模材料；以及刻蚀所述...

一种刻蚀方法，用来刻蚀形成在衬底上并至少包含４０％的碳的碳基层，所述方法包括将所述碳基层暴露于包括氢气、氮气和一氧化碳的刻蚀气体的等离子。

本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低ｋ材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，...

本发明提供一种用于半导体处理室的工艺配件。在一个实施例中，用于半导体处理室的工艺配件包括一个或者多个由不含金属的烧结碳化硅材料制成的部件。该工艺配件包括衬底支撑、预热环、提升销和衬底支撑销中的至少之一。在另一个实施例中，提供了一种半导体...

本发明提供用于半导体衬底上制备间隔物结构的方法的实施例。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备间隔物结构的方法包括提供包含基底结构的衬底，所述间隔物结构将被形成在所述基底结构上。间隔物结构通过如下步骤形成在基底结构上：在所述基底结构上沉...

本发明提供了一种形成像素矩阵的方法和设备。该方法包括用像素矩阵材料涂覆衬底，用疏墨水性材料涂覆像素矩阵材料，在像素矩阵材料和疏墨水性材料中形成像素井。提供一种用于形成像素矩阵的系统，其包括包含激光烧蚀系统的图案化工具，该工具可操作地在涂...

一种从ＲＦ耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热，在制冷环路中，工件支撑的内部流通道构成制冷环路的蒸发器。该...

本发明提供了用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备多层氮化硅膜的方法包括：提供衬底，所述多层氮化硅膜将被形成在所述衬底上；以及在一个处理反应器中通过如下操作形成所述多层氮化硅膜：（ａ）在基底结构...

本发明提供了用于在半导体衬底上制备氮化硅叠层的方法的实施例。在一个实施例中，用于在半导体衬底上制备氮化硅叠层的方法包括：使用第一组工艺条件在所述衬底上沉积包括氮化硅的底部层，所述第一组工艺条件选择性地控制所述底部层的应力；以及使用第二组...

这里公开了一种用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：去除天然氧化物层，形成氧化物层，在氧化物层上形成栅极电介质层，氧化栅极电介质层，以及对各层和下方的热氧化物／硅界面退火。可选地，可以在形成栅极电介...

在一个方面，本发明提供第一装置，该第一装置适于在传输室和处理室之间传输衬底。第一装置包括机械手，该机械手包括第一托板、与所述第一托板间隔开的第二托板、以及中心轴，该中心轴至少通过第一臂耦合到所述第一托板并且至少通过第二臂耦合到所述第二托...

本发明提供了一种用于衬底载体的系统、方法和设备。本发明提供了适于使用真空源来收缩衬底载体的门的充气式密封件的门开启器。通过使充气式密封件收缩，门从衬底载体的主体释放，使得衬底可以被移除和／或插入到载体中。第二真空源可以施加至门以将其牢固...

提供一种无电镀沉积系统。该系统包括处理主框架、至少一个定位在该主框架上的衬底清洁台和定位在该主框架上的无电镀沉积台。该无电镀沉积台包括环境受控的处理外壳、设置为清洁并活化衬底表面的第一处理台、设置为无电镀沉积一层到衬底的表面上的第二处理...

本发明涉及一种包括衬里的装置及其制造方法，所述衬里适于封闭衬底承载体内的空间并还适于防止气体到达所述封闭空间。所述衬里可从所述衬底承载体移除。所述衬里可以是自支撑的并／或由所述衬底承载体的内壁支撑。所述衬里可以适于吸收微粒以防止存储在所...

本发明涉及一种利用离子束注入晶片的方法和用于晶片的离子注入的装置，该晶片是具有圆盘形状并具有直径和中心的表面区域之类型。该方法包括：形成入射到该晶片上的离子束；以移动速度沿与该离子束交叉的路径移动该晶片盘的中心；同时以旋转速度基本上绕该...