本发明公开了一种包括核心和覆盖大部分核心的涂层的圆筒。核心由耐热或绝热材料制成。这个核心具有内侧壁和外侧壁以及相对的第一端和第二端。外侧壁比内壁更远离圆筒的中心纵向轴。第一端被成形为接触支撑半导体衬底的边缘环。涂层基本不能透过红外辐射，...

本发明公开了通过从数据库中读取在各个测试衬底上进行的工艺步骤，并从多个为回收各个测试衬底的回收工艺中选择一个回收工艺来回收测试衬底。标识在每个测试衬底上进行的工艺及为每个测试衬底所选择的回收工艺的信息可被存储在测试衬底历史数据库中。将各...

本发明提供了一种用于在衬底上形成金属互连的方法。一方面，本方法包括沉积含难熔金属的阻挡层，所述阻挡层的厚度小于２ｎｍ使得其呈现类晶体结构，并足以抑制至少一部分金属层上的原子迁移；通过交替地引入一次或多次含金属化合物的脉冲和一次或多次含氮...

本发明提供了为诸如室部件的工件表面提供纹理的方法和系统。本方法包括：将工件提供给纹理化室，并在工件表面上扫掠电磁能量束，以在其上形成多个特征。所形成的特征一般是凹陷、凸起及其组合。所述室部件可以包括例如室防护件和相关组件、靶、遮蔽环、接...

根据本发明优选实施例的承载体对准工具系统提供了一种工具和使用该工具的方法，其模仿具有可拆卸门的衬底承载体的门。该工具允许在开始衬底处理之前，将开门器机构与承载体在其上被支撑、被测试和校正的装载端口或其他搬运器对准，直到达到正确的对准。

本发明提供一种可喷出低能量电子从而减轻了维护负担的电子喷射装置及具有该电子喷射装置的离子注入装置。本发明的电子喷射装置（１）具有舱室（２２），该舱室（２２）沿着规定的闭曲线（Ａｘ）延伸并具有由导体构成的第一部分（２２ａ）和由绝缘体构成的...

本发明公开一种半导体处理装置，该装置提供衬底或晶片夹持器（１８０）的扫描臂（６０）在至少两个通常正交方向（所谓Ｘ－Ｙ扫描）上的移动。在第一方向上的扫描是纵向穿过在真空室壁上开口（５５）。臂（６０）通过一个或多个直线式电动机（９０Ａ、９０...

本发明提供了一种方法，其中，在一个系统的室中被等离子氮化的栅极电介质薄膜随后在同一系统的另一个室中被加热或“退火”。可以控制处理延迟，使得在系统中被处理的全部晶片经历类似的氮含量。

一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。

本发明提供了一种衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器。注入器相对于注入射束提供对衬底的二维扫描，使得射束在衬底上画出扫描线的栅格。在离开衬底的转折点对射束电流进行测量，并且电流值被用来控制随后的快速扫描速度，以补偿射束电流的任何变化对...

本发明公开了一种沉积低介电常数膜的方法。该低介电常数膜包括至少一个硅碳氧化物层和至少一个基本不含硅的、包含碳和氢的层。这些层是由包含有机硅化合物和不含硅的基于烃的化合物的气体混和物沉积而成的。低介电常数膜是通过包含射频脉冲的等离子工艺沉...

一种从处理室中的基座上提升衬底的方法，所述方法包括使用多个提升针支撑所述衬底，其中，所述多个提升针不包括中心提升针。

一种处理衬底的方法，包括：　　　　通过将包括有机硅化合物的第一处理气体混合物导入处理室中，并将所述第一处理气体混合物进行反应以沉积阻挡层，从而沉积出碳化硅阻挡层，其中所述有机硅化合物具有结构式ＳｉＨ↓［ａ］（ＣＨ↓［３］）↓［ｂ］（Ｃ↓...

本发明公开了用于确定在室中进行的清洗工艺的终点的方法和装置。具体地，本发明的实施例是包括如下步骤的方法：（ａ）将清洗工艺的副产物吸收的辐射导入所述室的抽出管道内；（ｂ）检测副产物对所述辐射的吸收率的测量值；以及（ｃ）当所述吸收率测量值落...

本发明提供一种在处理期间控制衬底温度的底座组件和方法。在一个实施例中，底座组件包括耦合到金属基座的静电卡盘。静电卡盘包括至少一个卡盘电极，金属基座包括至少两个设置在其中的流体隔离的导管环。在另一实施例中，基座组件包括通过材料层耦合到基座...

一种用于沉积低介电常数膜的方法，所述方法包括将包含一种或者多种环状有机硅氧烷和一种或者多种惰性气体的气体混合物到室中的衬底。在一个方面中，该气体混合物还包含一种或者多种氧化气体。所述一种或者多种环状有机硅氧烷到所述室中的总流率与所述一种...

一种用于沉积具有约３．２或者更小，优选３．０或者更小的低介电常数膜的方法，包括：提供环状有机硅氧烷和具有至少一个不饱和碳－碳键的线型烃化合物到衬底表面。在一个方面，使环状有机硅氧烷和线型烃化合物在足够将低介电常数膜沉积在半导体衬底上的条...

本发明提供一种在集成处理装置中使用的方法和设备，用于沉积氮化钽阻挡层。在通过远程产生的等离子体进行的清洁步骤之后，通过原子层沉积来沉积氮化钽，并且通过ＰＶＤ来沉积钽。将氮化钽从电介质层中的特征的底部被去除，以露出所沉积的氮化钽下方的导电...

这里所公开的是一种非接触包装（１１０），其当在包装中被存储或运输的物品（１３０）包括敏感表面（１３２）时是有用的，如果所述敏感表面与一定量的机械力接触，所述敏感表面的性能将被负面地影响。不产生负面地影响所述敏感表面的足够机械力的流体环境...

本发明的实施例提供了一种电化学电镀池（１００）。该电镀池包括流体池（１０１），其具有阳极电解液溶液隔间和阴极电解液溶液隔间；离子膜（１１２）；其被布置在所述阳极电解液溶液隔间和所述阴极电解液溶液隔间之间；和阳极，其被布置在所述阳极电解液...