等离子体反应器具有用于供应分别包括第一频率分量和第二频率分量的ＲＦ偏置功率的双频等离子体ＲＦ偏置功率源和具有耦合到等离子体ＲＦ偏置功率源的输入端和耦合到晶片支撑基座的输出端的ＲＦ功率路径，以及提供代表ＲＦ功率路径的输入端附近处的测量电压...

本发明提供一种消除感应耦合等离子体反应器中Ｍ形状蚀刻率分布的方法。感应耦合等离子体处理室具有带顶的室。第一和第二天线与顶相邻布置。第一天线与第二天线同心。等离子源功率供应耦合到第一和第二天线。等离子源功率供应产生到第一天线的第一ＲＦ功率...

本发明提供一种用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈。线圈包括第一线圈部分，第二线圈部分和内部平衡电容。第一线圈部分具有第一端和第二端。线圈部分的第一端连接至电源。第二线圈部分具有第一端和第二端。第一线圈部分的第二端连接至外部平...

本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含ＣＦ↓［４］、Ｎ↓［２］和Ａｒ的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离...

本发明提供了用电旁路元件减小电歪斜的等离子体反应器。通过设置旁路电流路径来将ＲＦ接地返回电流从反应器室的非对称特征绕开。一种旁路电流路径避开了室底板中的泵送端口，并包括从侧壁向接地的基座基部延伸的导电对称格栅。另一种旁路电流路径避开了晶...

本发明提供通过脉冲ＶＨＦ操作的等离子体类型和均匀性控制。一种用于处理衬底的装置具有室、高频功率源和低频功率源。该室内具有第一和第二电极。该高频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提供第一ＲＦ信号。该低频功率源电性耦合至第一或第二电极，以提...

一种用于衬底（１６４）处理室（１３２）的灯组件（２０），包括具有第一端（３２）和第二端（３６）的管状体（２４）、至少部分地安放于所述第一端（３２）中具有灯丝（５６）和第一电连接器（９２）的灯元件（４８）、安装到所述第一电连接器（９２）的...

提供了一种用于具有双频阴极的等离子增强型半导体处理腔的双频匹配电路（１０８）。该匹配电路包括具有结合到公共输出（２１２）的可变分路（Ｃ１、Ｃ４）的两个匹配电路（２０２－２０４）。在工作期间，匹配电路使独立ＲＦ源的负载与处理腔中的等离子体...

一种支承晶片的静电支承系统，包括： 支承体，可位于处理箱内且具有保持所述晶片的支承面， 电压源，与所述支承面连接，用于使所述晶片与所述支承面静电耦合，以及 冷却系统，冷却所述晶片，所述冷却系统包括：气体物质源，一组气体...

本发明公开了一种用于制造大的可升级ＰＶ电池和太阳能模块／太阳能电池板的方法和装置。该方法包括设计用于若干个ＰＶ电池的ＰＶ电池连线方案并在大尺寸硅薄板上图案化多个特征。若干个大规模硅薄板中每个上具有若干个ＰＶ电池，这些薄板可以固定到连线面...

用在对工件进行处理的反应器中的升降销组件包括大致平行于升降方向延伸的多个升降销。多个升降销的每个具有用于支撑工件的顶端和底端。升降台面向升降销的底端，并在大致平行于升降方向的方向上移动。小力检测器感测由升降销施加的力，该力足够大以指示所...

一种用于产生时钟或者取样信号的电路，所述电路包括：包含量子点区域的半导体量子点激光元件，其中所述量子点区域的特征在于具有至少约１０ｍｅＶ的半高宽的发射分布；和连接到所述量子点激光元件的驱动电路，用于操作所述量子点激光元件使其作为输出周期...

一种衬底支撑，包括具有电极的陶瓷盘，该电极通过电极接线端是可充电的。电连接器连接外部电源和电极接线端。电连接器具有一对相对的钳形臂、其尺寸环绕适配电极接线端的槽、和用于承接紧固组件的一对通孔，该紧固组件能紧固围绕电极接线端的相对的钳形臂。

本发明涉及通过电缆的到位于真空室中的电气设备的电压馈电器。此电压馈电器用于防止在电缆内，沿着绝缘间隙（尤其是电缆的芯和其屏蔽之间的空间以及从电缆到电气设备的过渡区域中）发生导致绝缘破坏的放电。这通过将绝缘间隙保持在大气压下而实现了。为此...

本实用新型公开了一种用于向具有壁的处理室中的等离子体耦合能量的天线，该天线包括线圈，该线圈具有暴露向所述室中的等离子体的表面。多个支撑架将线圈支撑在距离处理室的壁已设置间隔处，其中至少一个支撑架包括通过其从外部功率源向所述线圈提供电功率...

本实用新型提供一种用于保持衬底架的传输固定装置，其包括用数个支柱连接的顶部端板和底部端板。这些支柱间隔开足够距离，以将衬底架限定在它们之间。每个支柱都具有带有适应性缓冲器的纵向内部边缘，该缓冲器缓冲衬底架。传输外壳能够封闭固定装置，并且...

本实用新型公开了一种抛光垫调节器，其包括基板和基板上的垫调节面。所述调节面包括中心区域和周边区域。包括基本不变宽度的研磨粒子的研磨辐条从中心区域延伸到周边区域，所述研磨辐条彼此径向隔开。辐条对称并彼此径向隔开，并可以具有各种形状。调节面...

本实用新型公开了一种抛光垫调节器，其包括基板和基板上的垫调节面。所述调节面包括中心区域和周边区域。包括基本不变宽度的研磨粒子的研磨辐条从中心区域延伸到周边区域，所述研磨辐条彼此径向隔开。辐条对称并彼此径向隔开，并可以具有各种形状。调节面...

本发明提供了在布置在衬底处理室中的衬底上沉积硅氧化物膜的方法。衬底具有形成在相邻突起表面之间的间隙。含硅气体、含氧气体、和流动气体流入衬底处理室中。流动气体具有小于５ａｍｕ的平均分子量。由含硅气体、含氧气体、和流动气体形成第一高密度等离...

本发明提供了在两个低ｋ电介质层之间沉积具有低介电常数的粘附层而对衬底进行处理的方法。在一个方面，本发明提供了处理衬底的方法，该方法包括：以有机硅化合物与氧化气体的第一比率将有机硅化合物和氧化气体引入处理室；生成氧化气体与有机硅化合物的等...