【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种衬底处理室。更具体地，本专利技术涉及用于改进在感 应耦合等离子体反应器中的蚀刻率均匀性的方法。
技术介绍
用来制造半导体微电子电路的等离子体反应器可以采用RF感应耦合 场来保持从处理气体形成的等离子体。这样的等离子体在执行蚀刻和沉 积处理中是有用的。通常，高频RF源功率信号施加到反应器室顶附近的 线圈天线。偏压RF信号施加到室内基座上的半导体晶片或者工件支撑。 施加到线圈天线的信号的功率主要确定室内等离子体离子密度，而施加 到晶片的偏压信号的功率确定晶片表面处的离子能量。这种线圈天线的 一个问题是在线圈天线上的电压降比较大，这会在等离子体中造成不利 影响。这种影响随着施加到线圈天线的源功率信号的频率增大而变得更 尖锐，因为线圈天线的电阻与频率成比例。在一些反应器中，通过将该 频率限制到诸如2MHz的低范围来解决这个问题。遗憾的是，在这样低 的频率下，RF功率耦合到等离子体的效果较差。经常在10MHz至 20MHz的范围内的频率下更容易实现稳定的高密度等离子体排出。在更 低频率范围(例如，2MHz)下工作的另一缺点是诸如阻抗匹配网络的这 些元件的...
【技术保护点】
一种用于处理衬底的设备，包括：具有顶的室；与所述顶相邻的第一和第二天线，所述第一天线与所述第二天线同心；等离子体源功率供应，其耦合到所述第一和第二天线；以及衬底支撑，其设置在所述室内，其中，所述第一天 线的尺寸和所述衬底支撑和所述顶之间的距离使所述衬底支撑上的所述衬底的蚀刻率大致均匀。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘诗德，李恭泰，瓦伦顿图杜罗，金泰旺，安尼苏尔卡恩，沙善克戴斯沙姆克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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