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本发明提供一种消除感应耦合等离子体反应器中Ｍ形状蚀刻率分布的方法。感应耦合等离子体处理室具有带顶的室。第一和第二天线与顶相邻布置。第一天线与第二天线同心。等离子源功率供应耦合到第一和第二天线。等离子源功率供应产生到第一天线的第一ＲＦ功率，和...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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