以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明专利技术是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含ＣＦ↓［４］、Ｎ↓［２］和Ａｒ的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体是通过使用高源和低偏压功率设置而形成的。气体混合物还可包括Ｈ↓［２］、ＮＨ↓［３］、碳氟氢化合物气体和／或碳氟化合物气体。碳氟氢化合物气体可包括ＣＨ↓［２］Ｆ↓［２］、ＣＨ↓［３］Ｆ；和／或ＣＨＦ↓［３］。碳氟化合物气体可包括Ｃ↓［４］Ｆ↓［８］、Ｃ↓［４］Ｆ↓［６］和／或Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电介质蚀刻方法。
技术介绍
ffii!M^执行一个或多个制造步骤所需的时间，可提高半导体或薄膜器件 的生产率。这不仅减少了生产器件的总时间，而JJ(寸一套现有的生产设备来说 掛共更高的整体生产能力。反过来，能够减少原始资本投资的量和/或所需的扩 展费用。但是，必须以继续保持所需质量7乂平的方式来提高任一生产步骤的速度。 由于更多的缺陷及器件失效，不能保持质量水平将通过器件成品率的下降抵消 升高的生产量。在半导体或薄膜器件制造中的一个共同步骤是蚀刻。蚀刻可以题常i柳 液态酸的湿^t虫刻，或更常用的包含应用等离子体来蚀刻器件的方法的干法蚀 刻。在干法蚀亥嗍间，高度需要蚀刻形成构件(feature,例如通孔和沟槽)， 精细限定它们的侧壁尽可能垂直。精细限定的结构降低了缺陷(即缺点)的潜 能，并减小了构件或元件之间所需的间隔量。由于垂直侧壁能够制造更深(即 更高纵横比)和更均匀的结构，因此是有益的。企图提高蚀刻速率的途径包括提高轰击能量和/或等离子体密度。通过提 高偏压来提高轰击旨糧，并fflil提高源功率来提高等离子体密度。当该方法导致更高的蚀刻速率，存在某些大问题。例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，包括：　ａ）施加包含ＣＦ↓［４］、Ｎ↓［２］和Ａｒ的气体混合物；和　ｂ）形成具有５×１０↑［１０］电子／ｃｍ↑［３］或更大的电子密度的高密度和低轰击能量的等离子体；和　ｃ）蚀刻基于氧化硅的低介电常数电介质。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：格拉多A戴戈迪诺，斯昌林，叶延，史云炅，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]