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本发明公开了一种以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法。在至少某些实施例中，本发明是一种等离子体蚀刻方法，包括施加包含ＣＦ↓［４］、Ｎ↓［２］和Ａｒ的气体混合物，并形成高密度和低轰击能量的等离子体。高密度和低轰击能量的等离子体...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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