本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程。在一个实施例中，方法可以包括：在沉积制程期间沉积材料于该基材上；在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层；以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层，其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材，...

本发明提供了一种适于与等离子体处理室一同使用的屏蔽性盖加热器、具有屏蔽性盖加热器的等离子体处理室以及等离子体处理的方法。本发明的方法及设备增强了等离子体处理室中的等离子体位置的位置控制，且可用于蚀刻、沉积、注入及热处理系统，以及其它期望...

本发明揭示用于控制等离子体均匀性的方法及设备。蚀刻基材时，非均匀等离子体可导致基材的不均匀蚀刻。阻抗电路可减轻不均匀等离子体以允许更均匀蚀刻。阻抗电路可布置在腔室壁与地、喷淋头与地、及阴极罐与地间。阻抗电路可包含一个或多个电感器及电容器...

良品率预测由安排及分派控制器接收，其中该良品率预测有关于制造工具和产品。基于该良品率预测在路由算法中调整该制造工具的权重。计算成本－利润分析，其确定在该制造工具上制造将来产品的成本和利润；以及基于该成本－利润分析，决定是否在该制造工具上...

所揭示的实施方式提供一种在使用等离子体的衬底处理中获取处理信息的方法及设备。在一个实施方式中，提供具有一或多个光学测量模块的腔室，该些光学测量模块设置成可于大致垂直的角度上检测等离子体处理的光能量。由检测到的光能量所获得的测量信息可用以...

本发明提供了一种适合于用在衬底处理室中的气流均衡板。一种气流均衡板用于用在衬底处理室中。该气流均衡板具有环形形状，其具有气流阻碍内部区域，以及允许处理气体通过但是留住处理气体中的诸如离子和自由基的特定成分的穿孔外部区域。内部和外部区域具...

本发明提供了一种背面涂覆防止设备，其适合于用于涂覆板状衬底的涂覆室，所述涂覆室适合于涂覆连续或非连续传送的板状衬底，所述背面涂覆防止设备包括具有衬底进口的前壁和具有衬底出口的后壁；涂覆材料源，其适用于将涂覆材料分配到涂覆室；和传送系统，...

本发明提供了从衬底移除聚合物的方法和设备。在一实施例中，用于从衬底移除聚合物的设备包括：处理室，其具有界定了处理空间的室壁和室盖；衬底支撑组件，其被布置于处理室中；以及远程等离子体源，其经由形成于室壁中的出口端口耦接至处理室，出口端口具...

代表一个或多个参数的过去数值的第一取得数据被显示在用户可监视、控制及预测系统操作的用户界面上。代表一个或多个参数的目前数值的第二取得数据被显示在用户界面上。代表一个或多个参数的预测的未来数值的虚拟数据被显示在用户界面上，其中所述第一取得...

一种设备，用于将燃料引入电子装置制造排出物减排工具，包括：歧管；燃料源，其适于将燃料通过燃料管道供应至所述歧管；和多个喷嘴，其适于从所述歧管接收燃料；其中，所述歧管适于将燃料以高于火焰速度的燃料速度供应至所述喷嘴。

涂覆系统（１）包括传入室（３）和传出室（４）。此外，涂覆系统包括与传入室（３）和传出室（４）连接的第一传输室（５）。在传输室（５）中，布置了第一可转动传输模块（６）。衬底保持器（７ａ，７ｂ）可绕中心轴转动，使得衬底保持器（７ａ，７ｂ）可...

本发明提供用于控制衬底支撑件温度的方法和设备。在部分实施例中，用于控制衬底支撑件的温度的设备包括第一热传递回路和第二热传递回路。第一热传递回路具有第一浴槽，且该第一浴槽具有处于第一温度的第一热传递流体。第二热传递回路具有第二浴槽，且该第...

描述了用于衬底的高压快速热处理的方法和设备。在快速热处理室中处理衬底的方法被描述为包括：将衬底从所述快速热处理室的外部通过进入口传递到位于所述处理室的内部区域中的支撑件上；关闭对该室进行密封的口门；将室加压到大预约１．５个绝对大气压的压...

本发明的实施例大体上涉及半导体处理室的处理套组，以及具有套组的半导体处理室。更具体地，本发明的实施例涉及到处理套组，其包括用于物理沉积室的盖环、屏蔽、隔离器。该处理套组的组件可独立地及结合地运作，以大幅减少粒子的产生和杂散等离子体。现有...

本发明的实施例提供了降低热处理期间不均匀性的设备与方法。一个实施例提供了种处理基板的设备，包括腔室主体，其限定处理容积；基板支撑件，其置于该处理容积中，其中该基板支撑件被配置以旋转该基板；传感器组件，其被配置以测量该基板在多个位置处的温...

本发明大体上提供一种高效静电吸盘，用以在处理体积中保持衬底。高效静电吸盘包含电极，该电极埋置在高纯度热塑性部件中。明确而言，高纯度热塑性部件可以包括金属离子含量极低的高纯度聚芳醚酮。相比较于在静电吸盘中使用聚醯亚胺膜而言，高纯度聚芳醚酮...

本发明提供了一种有效运作电子装置制造系统的方法与设备。根据一个方面，提供了一种电子装置制造系统，包括：处理工具；处理工具控制器，其连接至该处理工具，其中该处理工具控制器用以控制该处理工具；第一次晶圆厂辅助系统，其连接至该处理工具控制器；...

本发明提供一种处理可燃性废气的系统。该系统包括：排气导管，其将该可燃性废气运送至消减单元；控制系统，其耦合至该消减单元以判定该消减单元的参数；旁路阀，其耦合至该排气导管，并操作性地响应于监控系统；以及第二气体源，当该旁路阀在旁路模式下工...

本发明提供了在电子装置制造设备中保存能量的方法、设备和系统。根据本发明的一个方面，提供一种电子装置制造系统，其包括一个或多个处理腔室；一个或多个消减工具；两个或更多的排放导管，其将该一个或多个处理腔室连接至该一个或多个消减工具；管道，其...

本发明揭示一种具有下流量均衡器（ｌｏｗｅｒｅｄ?ｆｌｏｗ?ｅｑｕａｌｉｚｅｒ）与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更...