本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中，提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域，其中...

本发明的实施例提供了衬底蚀刻方法和设备。在一个实施例中，提供了一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体在衬底与衬底支撑组件之间流动；并循环地蚀刻衬底上的层。

本发明公开了一种减废设备的实施例。某些实施例中，减废设备包括洗涤器，其配置以从处理腔室接收排放流，并进一步从排放流移除第一粒子；洗涤导管，其连接到洗涤器以从洗涤器接收排放流，并配置以从排放流移除第二粒子，该洗涤导管具有一或多个入口，该一...

描述了半导体制造设备批次控制的背景条件偏差估计方法和系统。在一个实施例中，识别与过程相关的背景条件。过程具有一个或多个线程，每个线程包括一个或多个背景条件。定义输入输出方程组。每个输入输出方程对应于一线程并且包括线程偏差，所述线程偏差表...

本发明公开在半导体衬底上形成氧化物层的方法和设备。在一个或多个实施例中，利用等离子体氧化法通过将半导体衬底温度控制在低于约１００℃来形成共形氧化物层。根据一个或多个实施例的控制半导体衬底温度的方法包含使用静电夹盘以及冷却剂和气体对流。

本发明提供减少气体输送系统中的微粒的方法与设备。某些实施例中，制造半导体处理腔室所用的气体分配设备（诸如，气体分配板或喷嘴）的方法包括提供具有适以让气体流过其中的一或多个孔的气体分配设备。浆料流过一或多个孔以从多个孔的侧壁移除损坏表面。...

本发明涉及用于刻划工件的系统，其并入机动化扩束器以改变入射至工件上的激光束斑尺寸。系统包括：框架；激光器，其与所述框架耦接并且产生用于从工件的至少一部份中去除材料的输出；扩束器，其沿着所述激光输出的路径定位并且具有可操作以改变施加至所述...

本发明揭示一种用以减少或消除多个电子束之间串扰的方法与设备。多个电子束在大面积基板上产生多个相邻的测试区域，其中来自一测试区域的二次电子可以在一相邻的测试区域中被检测出。在一实施例中，主要束发射以及来自该主要束的二次电子的检测的定时被控...

本发明揭示一种利用旋转基板支撑件处理一基板的方法及设备。于一实施例中，用于处理基板的设备包括一处理室，其中设有一基板支撑组件。该基板支撑组件包括一基板支撑件，该基板支撑件具有一支撑表面及一加热器，该加热器设于支撑表面下方。一轴部耦接至该...

一种用以在一制程处理室壁以及一基材支撑件间提供一短RF电流返回电流路径的设备。该RF接地设备为RF接地并位于基材传送端口之上，其仅在基材制程期间(例如沉积)与基材支撑件形成电性接触，以提供RF电流返回电流路径。该RF接地设备的一实施例至...

本发明是揭露一种适用于一基板热处理腔室中以将基板加热至高达至少约1100℃的温度的灯组件。在一实施例中，灯组件包括：一灯泡，该灯泡包围住至少一光产生灯丝，且灯丝附接至一对导线；一灯座，是配置以容纳该对导线；以及一套筒，其壁厚度为至少约0...

本发明涉及双波长热流激光退火。本发明公开了一种热处理设备和方法，其中第一激光源(40)，例如以10.6μm发射的CO2激光器，作为线光源(48)聚焦到硅晶片(20)上，并且第二激光源(26)，例如以808nm发射的GaAs激光器棒作为围...

本实用新型公开了一种用于衬底化学机械抛光装置的载具头及其柔性膜，所述柔性膜具有中心部分、周边部分和至少一个薄片，中心部分具有提供衬底支撑表面的外表面，周边部分用于将中心部分连接到载具头的基座，薄片从中心部分的内表面延伸。薄片包括横向延伸...

在工艺（１１０）中，待再生的测试衬底被系统（１００）识别，并且储存到晶盒（１１８中），每一个晶盒优选被赋予唯一的识别码，所述识别码可以包括字母数字符或其它符号。虽然结合硅测试衬底和晶盒描述了所示出的系统，但是应该理解，一些实施例可以针对...

本发明公开了一种包含抛光层的抛光垫，所述抛光层具有表面粗糙度介于约２００至３００微英寸间的抛光表面。该抛光垫可通过如下的方法制造：通过挤出成型或模铸成型法形成一抛光层；以及打磨所述抛光层的抛光表面使其表面粗糙度介于约２００至３００微英寸...

处理室部件包括第一表面和第二表面，第一表面在使用中暴露于室中的激励气体，第一表面包括聚对二甲苯涂层，第二表面不暴露于激励气体。可以现场用聚合物涂层涂覆处理室的内表面。可以使用便携式固定器来在处理室中形成聚合物涂层。通过用臭氧和／或氧剥去...

本发明包括用于涂布装置的电极设置结构，其具有静止第一电极（３）以及第二可移动电极（１８），其主表面在涂布处理过程中彼此相对，其中，第二电极（１８）可沿平行于相对主表面的平面移动，其中，在相对于主表面横向行进的电极的至少一个端面设置有电遮...

这里描述了一种从大衬底（至少０．２５ｍ２）的暴露的表面移除含有有机物的材料的方法。该衬底可以包括电子器件。通过在溶剂中含有臭氧（Ｏ３）的剥离溶液来对暴露的表面进行处理，其中所述溶剂包括乙酸酐。用于形成剥离溶液的这种剥离溶剂可以包括乙酸酐...

本发明提供一种适用于物理气相沉积处理室的处理套件、以及具有非接触式处理套件的物理气相沉积处理室。在一实施例中，处理套件包括大致柱形的遮蔽件，其具有大致平坦的柱形本体、由该本体向下延伸的至少一个细长柱形环、以及由该本体的上表面向上延伸的安...

根据本发明的带涂布系统（１）包括第一滑轮（２），其对缠绕在第一滑轮（２）上的柔性金属或Ａｌ／Ｍｏ涂布金属衬底（３）提供承载。此外，带涂布系统（１）还包括用于收取涂布后的衬底（３）的第二滑轮（４）（收取滑轮）。在带涂布系统（１）中执行的涂...