本发明提供一种其尺寸适用于大面积基板的负载锁定腔室。该负载锁定腔室包含外壳、活动门以及门致动组件，其中该外壳包含门和主体，该主体具有至少两个可密封口，该活动门与可密封口的至少一个连接，并且该门致动组件连接在该门与该外壳之间。该门致动组件...

本发明提供了等离子体处理装置中的快速响应热控制的方法和设备。这里提供了用于调节等离子体增强型制程腔室中的部件的温度的方法及设备。在一些实施例中，一种用于处理衬底的设备包括制程腔室以及用以提供ＲＦ能量以在该制程腔室中形成等离子体的ＲＦ源。...

在此公开了用于回收来自处置流出物的热的方法和设备。在一些实施例中，设备可以包括：配置成用于气态或液态制程的第一处理腔室；配置成用于液态制程的第二处理腔室；以及具有压缩机和第一热交换器的热泵，其中压缩机配置成使用从第一处理腔室排出的第一流...

本发明一般包括可用于射频溅射处理的溅射靶组件。溅射靶组件可包括背板以及溅射靶。背板可成形成具有一个或多个从背板朝溅射靶延伸的鳍件。溅射靶可接合至背板的鳍件。溅射处理期间使用的射频电流将可施加至位于一个或多个鳍件位置的溅射靶。鳍件可于对应...

本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内...

本发明提供检测处理设备的闲置模式的方法及装置。在一些实施例中，一种监视处理系统的装置可包括第一系统适配器，其用于监视第一过程腔室及确定其状态；及第一支持适配器，其用于与连接至该第一过程腔室的第一支持系统及该第一系统适配器通信，该支持适配...

本发明提供种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：Ａ）温度...

本文描述的实施例提供在部件的表面的改变之前使用电磁束进行表面制备的方法，该方法有利地改善那些位置中的最终纹理的质量且相应地减少粒子污染。在实施例中，提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含：在部件的该表面上界...

本发明的实施例提供了能够等离子体蚀刻高深宽比特征结构的方法及设备。在实施例中，提供了用于蚀刻的方法，其包括：在蚀刻反应器中提供基板，且基板具有设置在硅层上的图案化罩幕；提供反应器的气体混合物；维持由气体混合物所形成的等离子体，其中提供至...

本发明关于一种自我诊断的半导体设备。本发明提供了半导体处理设备的预测性维护的方法与装置。在部分实施例中，一种用于对半导体处理设备进行预测性维护的方法可以包括：在所述设备中未存在衬底的状态下，对所述半导体处理设备进行至少一个自我诊断测试。...

本文提供了一种用于制程腔室中的制程套组屏蔽件以及该制程套组屏蔽件的使用方法。在一些实施例中，制程套组屏蔽件可包含具有壁的主体，该壁包含第一层以及与该第一层结合的第二层，其中，第一层包含第一材料，该第一材料能抵抗用来移除在制程过程中沉积在...

一种利用反应等离子体研磨使蚀刻特征部的侧壁光滑化的方法。该光滑化方法降低侧壁凹坑的深度，而侧壁凹坑是造成特征部壁表面上的粗糙度的原因。该方法包括以下步骤：从含硅特征部的内表面及外表面去除残留的聚合材料，并且在以脉冲ＲＦ功率使含硅特征部偏...

本发明涉及操作涂布室的方法以及一种涂布室，该涂布室包括：涂布源；传输装置，其用于将适合于承载要被涂布的衬底的衬底支架相对于涂布源移动到至少一个涂布位置中，使得衬底可以被涂布；以及至少一个第一屏蔽件，其设置在衬底的涂布位置与涂布源之间的区...

本文提供关于氮化铝挡板的方法与设备。在某些实施例中，一用在半导体处理腔室中的挡板可包括主体，其包含氮化铝和金属氧化物粘结剂，其中在主体表面上的氮化铝与金属氧化物粘合剂的比率大于或等于主体内部的比率。在某些实施例中，主体可具有中心杆和外部...

一种化学机械抛光机包括抛光台板，其能够支承抛光垫；第一和第二衬底载具，其各自能够将衬底固定在所述抛光垫上；和第一和第二浆液分配器。第一和第二浆液分配器包括：（ｉ）臂，其包括旋转端和远端；（ｉｉ）至少一个浆液分配喷嘴，其位于所述远端上；和...

本发明的实施例涉及用以在真空条件下支撑且转移大面积衬底的设备与方法。本发明的一个实施例提供了一种设备，其中该设备包含一个或多个末端执行器，这些末端执行器具有多个末端执行器垫片设置于其上而并非机械地接合到该一个或多个末端执行器。在一个实施...

本发明提出了一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法。衬底被放置在其中具有污染物组的制程腔室中的卡盘上。在该制程腔室中进行等离子体制程，以将该污染物组转移到该衬底的上表面上。其上具有该污染物组的衬底被从该制程腔室移除。

本发明提出场加强感应耦合等离子体反应器和其使用方法的实施例。在一些实施例中，场加强感应耦合等离子体处理系统包括处理腔室，所述处理腔室具有电介质盖和设置于电介质盖上方的等离子体源组件。等离子体源组件包括：一或多个线圈，配置为将射频（ＲＦ）...

在静电夹盘中，ＲＦ偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的ＲＦ偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电...

本发明提供一种热减弱系统，包含：热减弱反应器；入口，与该反应器流体相通；处理腔室，与该入口流体相通；第一鞘液源，与该入口流体相通；第一流量控制装置，经调整以调节来自该第一鞘液源的第一鞘液的流量；以及控制器，与该第一流量控制装置信号通信，...