【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例属于半导体制程领域，且特别是半导体制程设备的清洁方法。
技术介绍
在过去数十年间，集成电路中的特征的大小变化已经成为逐渐成长的半导体业的 驱动力。改变为越来越小的特征可在半导体芯片的有限土地(real estate)上增加功能单 元的密度。举例而言，缩减晶体管尺寸可在芯片上并入较多数量的内存或逻辑装置，使产品 制造具有较高产量。然而，逐增的产量并非没有问题的。对于组件之间临界尺寸变化的容 限度已变得非常受限了。因此，在用于制造装置的制程步骤中的任何不完美都会不能接受 地影响装置的性能。低制程变化的迫切需求已对设备制造商带来实质负担。除了要解决高产量的 需求外，制程工具也必须要呈现高度的晶圆间均勻性以及生产晶圆批次的逐次运转间 (run-to-run) 一致性。因此，设备制造商通常需要顾客执行非常详细且耗时的预防性维护 (PM)方案，以确保晶圆间与逐次运转间的均勻性及一致性。然而，在需要长的工具闲置时间 时，这种PM方案会实质上影响制程工具的产率。这会在半导体制造生产线中导致无法容许 的延迟。
技术实现思路
本专利技术的实施例包括一种用于对制程工具...
【技术保护点】
１．一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法，包括：将衬底放置在制程腔室中的卡盘上，所述制程腔室中具有污染物组；在所述制程腔室中执行等离子体制程，以将所述污染物组转移到所述衬底的上表面上；以及从所述制程腔室移除所述衬底，所述衬底上具有所述污染物组。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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