用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备制造技术

本发明专利技术提供种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者：Ａ）温度控制底座，其具有从其径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；Ｂ）对基板支架，其包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或Ｃ）圆顶形窗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于在半导体基板上制造装置的设备。更具体而言，本专利技术涉及用于在等离子体蚀刻半导体基板上的层后移除含卤素的残余物的设备。
技术介绍
超大规模集成(ULSI)电路可包括形成于半导体基板(诸如，硅(Si)基板)上且协作以在装置内执行各种功能的百万个以上的电子装置(例如，晶体管)。通常，用于ULSI 电路中的晶体管为互补金属氧化物半导体(CMOS)场效晶体管。CMOS晶体管具有包含多晶硅栅电极与栅介电层的栅结构，且安置于源极区与形成于基板中的漏极区之间。在晶体管及其它电子装置的制造中通常使用等离子体蚀刻。在用以形成晶体管结构的等离子体蚀刻处理期间，通常将膜层叠的一或多个层(例如，具有硅、多晶硅、二氧化铪(HfO2)、二氧化硅(SiO2)、金属材料及其类似物的层)暴露于包含含有至少一种卤素的气体(诸如溴化氢(HBr)、氯(Cl2)、四氟化碳(CF4)及其类似物)的蚀刻剂。该处理导致含卤素的残余物积累在经蚀刻的特征结构的表面、蚀刻屏蔽及基板上的其它位置上。当暴露于非真空环境时(例如，处于工厂接口或基板储存盒内)及/或在连续处理期间，可从在蚀刻期间沉积的含卤素的残余物释放本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种圆顶形窗，其包含：凸面部件，其具有外部边缘；及环，其连接到所述凸面部件，所述环具有：外边缘；内边缘，其与所述外边缘相对；及唇状物，其向上成角度且从所述内边缘向内径向延伸，所述唇状物以密封方式连接到所述凸面部件的所述外部边缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马修·F·戴维斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US