【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及半导体衬底处理，尤其涉及使用顺序(sequencial)化工品施加处理半导体衬底表面的系统和方法。
技术介绍
半导体器件是通过各种制造操作获得的。制造操作在半导体晶圆(晶圆或衬底) 上限定多个跨越多个层次的特征，比如栅极结构。在各种制造操作过程中，该衬底被暴露于各种污染物。制造操作中使用的、该衬底暴露于其中的任何材料或化工品是潜在的污染源。各种制造操作(比如蚀刻、沉积等)中使用的化工品在该衬底的表面上形成的特征 (比如栅极结构)上和特征周围留下沉积物，比如工艺气体、蚀刻化工品、沉积化工品等，作为颗粒或聚合物残留污染物。颗粒污染物的大小处于在该衬底上制造的特征的临界尺寸 (critical dimensions)的量级上。这些污染物堆积在难以抵达的区域中的特征的顶部上、 侧壁边和特征之间，比如围绕这些精密特征的沟槽中，并有可能损害该污染物颗粒附近区域内的特征。衬底上形成的典型栅极结构(gate structure)可包括由限定该栅极结构的不同材料制成的层的堆垛(stack)。该栅极结构可包括栅极氧化物，使用一层或更多层金属(比如钨、钨的化合物等)...
【技术保护点】
１．一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的方法，包含：确定与所述金属栅极结构和要被除去的所述聚合物残留相关的多个工艺参数，所述栅极结构包括一个或更多个制造层，所述工艺参数是通过分析金属栅极结构和所述聚合物残留获得的以确定所述栅极结构的一个或更多层以及要被除去的所述聚合物残留的性质；根据与所述栅极结构的所述一个或更多个层以及所述聚合物残留相关的所述多个工艺参数而确定第一和第二清洁化学物质；限定与所述第一和第二清洁化学物质相关的多个施加参数，建立所述施加参数以限定从所述衬底表面将所述聚合物残留的最佳除去；根据施加参数以受控方式将所述第一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：卡特里娜·米哈利钦科，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US
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