用于加工半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜制造技术

本发明专利技术提供了用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不在电路表面上留下任何粘合剂层且因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。为此，本发明专利技术的所述用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜包含耐热基材和涂布在耐热基材上的耐热粘合剂层，其中所述耐热粘合剂层包含分子量为５００，０００～３，０００，０００的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，更具体地说，本 专利技术涉及用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片 的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任 何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不 会在电路表面上留下任何粘合剂层并因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工 艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。
技术介绍
因为现在需要使IC卡或移动电话更薄、更小且更轻，所以对于要插入的半导体 芯片，必须使用更薄的半导体芯片，以便符合这样的要求。因此，虽然作为半导体芯片基 础的晶片的厚度目前为75 μ m-150 μ m左右，但是对于下一代芯片，必须将厚度减少至 25 μ m-50 μ m。在使用研磨机等的半导体晶片的膜减薄工艺期间，存在用板支撑半导体薄 膜晶片的电路形成表面侧的方法。例如，在日本专利申请公布2003-00402214和 2004-00292089 (在下文中称作“现有技术”)中提出了这种方法。图1说明了半导体晶片的现有技术膜减本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，其包含：耐热基材和涂布在所述耐热基材上的耐热粘合剂层，其中所述耐热粘合剂层包含分子量为５００，０００～３，０００，０００的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴允敏，
申请(专利权)人：东丽先端素材株式会社，
类型：发明
国别省市：KR