用于制造电子领域中的衬底的修整方法技术

本发明专利技术涉及一种修整半导体衬底（１）的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底（１）的至少一个面上的半导体有用体层（４），所述有用层（４）包括粗糙的自由表面（７），所述方法适用于平滑该自由表面（７），所述方法的特征在于该方法包括以下连续的步骤：形成覆盖所述有用层（４）的表面（７）的保护层（２０），该保护层（２０）的厚度比所述有用层（４）的表面（７）的峰－谷距离大１到３倍；至少一个抛光－氧化序列，所述序列包括以下连续的步骤：抛光所述保护层（２０）的表面（２１），调整所述抛光从而不侵袭所述有用层（４），以及利用提供的氧气对衬底（１）进行热氧化，从而将有用层（４）的一部分转化为氧化物层（１６），从而降低所述有用层（４）的表面（７）的粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及修整用于微电子和/或光电子应用的半导体衬底的表面的方法。本专利技术特别涉及绝缘体上半导体(SeOI)类型的衬底的制造。
技术介绍
衬底目前用于电子工业中。衬底包括例如绝缘体上硅(SOI)或绝缘体上锗(GeOI)。SeOI衬底的制造可采用各种方法，特别是包括在初始衬底(即所谓的施主衬底)的厚度中形成弱化区，以及在该施主衬底(donor substrate)与接收衬底(receiving substrate)装配之后，在该区中形成断裂的方法。因此该类型衬底至少包括两层，一层来自施主衬底，另一层来自接收衬底。Smart Cut 方法是该方法的一个已知示例。特别地，在大量已经发表的文献中都可以找到关于这类方法的细节，例如从Jean-Pierre Colinge所著的“Kluwer Academic Publishers，，发行的教禾斗书 “Silicon-on-Insulator technology :material tools VLSI, second edition”(绝缘体上硅技术材料工具VLSI，第二版)第50和51页摘录的内容。用于制造的方法特别允许在衬底的其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种修整半导体衬底（１）的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底（１）的至少一个面上的半导体有用体层（４），所述有用层（４）包括粗糙的自由表面（７），所述方法适用于平滑该自由表面（７），所述方法的特征在于该方法包括以下连续的步骤：－形成覆盖所述有用层（４）的表面（７）的保护层（２０），该保护层（２０）的厚度比所述有用层（４）的表面（７）的峰－谷距离大１到３倍；－至少一个抛光－氧化序列，所述序列包括以下连续的步骤：抛光所述保护层（２０）的表面（２１），调整所述抛光以便不侵袭所述有用层（４），以及利用提供的氧气对衬底（１）进行热氧化，从而将有用层（４）的一部分转化为氧化物层（...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·里乌，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR