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本发明涉及一种修整半导体衬底（１）的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底（１）的至少一个面上的半导体有用体层（４），所述有用层（４）包括粗糙的自由表面（７），所述方法适用于平滑该自由表面（７），所述方法的特征在于该方法包...该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明涉及一种修整半导体衬底（１）的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底（１）的至少一个面上的半导体有用体层（４），所述有用层（４）包括粗糙的自由表面（７），所述方法适用于平滑该自由表面（７），所述方法的特征在于该方法包...