本发明专利技术提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有连接至该遮蔽框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例大体而言是有关于一种等离子体处理基材的方法及设备，更明确地说，一种具有低阻抗的射频回流路径的等离子体处理室及其使用方法。
技术介绍
液晶显示器(IXD)或平面面板常用于主动矩阵显示器，例如计算机、触控面板组件、个人数字助理(PDA)、行动电话、电视屏幕、及诸如此类。此外，有机发光二极管(OLED) 也广泛用于平面显示器。一般而言，该面板包含其间包夹一层液晶材料的两个平板。该平板的至少一者包含至少一层设置在其上的导电薄膜，其连接至功率源。从该功率源供给该导电薄膜的功率改变结晶材料的方向，产生图案化显示器。为了制造这些显示器，通常使例如玻璃或聚合物工件的基材承受多个连续处理以在基材上产生组件、导体及绝缘体。每一个处理通常是在处理腔室内执行，经配置来执行该生产过程的单个步骤。为了高效率完成全部的处理步骤程序，常将一些处理腔室连接至移送室，其容纳机器人以促进基材在该处理腔室间的传送。具有此配置的处理平台的范例常被称为群集工具，其范例是可从加州圣塔克拉拉的AKT America公司取得的AKT等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理平台的家族。随着对平面面板的需求增加，对于较大尺寸基材的需求也增加。例如，仅在几年内，用于平面面板制造的大尺寸基材的面积即从550毫米乘650毫米增至超过4平方米，并且预见在不久的将来尺寸会持续增加。此种大尺寸基材的尺寸增加在处理和制造上已造成新的挑战。例如，较大的基材表面积需要基材支撑件的增强的射频回流能力，以利于高效射频回流至该射频产生源。传统的系统使用多个挠性射频回流路径，其中每一个射频回流路径均具有连接至基材支撑件的第一端及连接至腔室底部的第二端。因为基材支撑件必须在处理腔室内较低的基材加载位置和较高的沉积位置之间移动，连接至该基材支撑件的射频回流路径需要足够的长度以提供符合基材支撑件移动所需的灵活性。但是，基材和腔室尺寸的增加也同样造成射频回流路径长度的增加。较长的射频回流路径会增加阻抗，因此不利地降低射频回流能力及射频回流路径的效率，在腔室部件之间造成高射频电位，这不利地导致有害的电弧及/或等离子体产生。因此，存有对于一种具有低阻抗射频回流路径的改善的等离子体处理腔室的需要。
技术实现思路
本专利技术提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内， 遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及挠性射频回流路径，具有连接至该遮蔽框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。在另一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑组件，设置在该腔室主体的处理区域内，延伸块，连接至该基材支撑组件的底面并从该基材支撑组件的外缘往外延伸，接地框架，设置在该处理腔室内，其尺寸经订制以在该基材支撑组件位于上升位置时接合该延伸块，以及射频回流路径，具有连接至该接地框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。在另一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑组件，设置在该腔室主体的处理区域内，其可在第一位置及第二位置之间移动，遮蔽框架，接近该基材支撑组件的边缘设置，遮蔽框架支撑件，连接至该腔室主体，且其尺寸经订制以在该遮蔽支撑组件位于该第二位置时支撑该遮蔽框架，以及射频回流路径，具有连接至接地框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端， 其中该射频回流路径的第二端通过绝缘体连接至该腔室侧壁。在又一个实施例中，该处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、 底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，背板，设置在该腔室主体内该盖组件下方，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，射频回流路径，具有连接至该基材支撑件的第一端及连接至该腔室主体的第二端，以及一或多条导线，具有连接至边缘且位于该背板上方的多个接触点。附图说明所以，上述简介的本专利技术的特征可参考对本专利技术更具体描述的实施例进一步理解和叙述，部分实施例示出于附图中。图1是具有射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的实施例的剖面图；图2是连接至设置在图1的等离子体增强化学气相沉积系统内的基材支撑的射频回流路径的分解图；图3是具有射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的另一个实施例的剖面图；图4是具有射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的另一个实施例的剖面图；图5是具有射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的另一个实施例的剖面图；图6A-D是具有射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的另一个实施例的剖面图；图7是图6A所示的具有该射频回流路径的等离子体增强化学气相沉积系统的俯视图；图8是腔室的侧面剖面图；图9是根据本专利技术的一个实施例的腔室的侧面剖面图；图10是根据本专利技术的另一个实施例的腔室的侧面剖面图；以及图11是根据本专利技术的另一个实施例的腔室的侧面剖面图。为了便于理解，已经在可能的情况下，使用相同的组件符号指示各图中相同的组件。然而，应注意，附图仅图示本专利技术的示范性实施例，且因此不欲视为对其范围的限制，因为本专利技术可允许其它同等有效的实施例。 具体实施例方式本专利技术大体而言是有关于一种等离子体处理系统内的具有低阻抗射频回流路径的等离子体处理腔室。该等离子体处理腔室经配置以在大面积基材上形成结构和组件时利用等离子体处理该大面积基材，以用于液晶显示器(LCD)、平面显示器、有机发光二极管 (OLED)、或太阳能电池数组所用的光伏特电池、及诸如此类的生产。虽然在大面积基材处理系统内示例性描述、示出并实施本专利技术，但本专利技术可在其它等离子体处理腔室中发挥效用， 其中希望确保一或多个射频回流路径在该腔室内以促进令人满意的处理的水准持续运作。图1是等离子体增强化学气相沉积腔室100的一个实施例的剖面图，其具有用来作为将射频电流回流至射频源的射频电流回流循环的一部分的挠性射频回流路径184的一个实施例。射频回流路径184连接在基材支撑组件130和腔室主体102之间，例如腔室侧壁126。预期到在此所述的射频回流路径184的实施例及其使用方法，连同其衍生物，可用于其它处理系统，包含来自其它制造商的。腔室100通常包含侧壁1 及底部104，其规划出处理容积106。腔室主体102的侧壁126及底部104通常由单块铝或可与处理化学兼容的其它材料制成。配气板110，或称为扩散板，以及基材支撑组件130设置在处理容积106内。射频源122连接至位于腔室顶部的电极，例如背板112及/或配气板110，以提供射频功率以在配气板110和基材支撑组件130之间产生电场。电场从配气板110和基材支撑组件130之间的气体产生等离子体， 其用来处理设置在基材支撑组件130内的基材。处理容积106经由穿透侧壁1 形成的阀门108近接，因此可传送基材140进出腔室100。真空泵109连接至腔室100，以将处理容积106维持在预期压力下。基材支撑组件130包含基材接收表面132及支杆134。基材接收表面132在处理时支撑基材140。支杆134连接至举升系统136，其在较低的基材传输位置和本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种处理腔室，其包含：腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由所述腔室侧壁所支撑的盖组件；基材支撑件，设置在所述腔室主体的处理区域内；遮蔽框架，设置在所述基材支撑组件的边缘上；以及射频回流路径，具有连接至所述遮蔽框架的第一端及连接至所述腔室侧壁的第二端。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US61/104,2542008年10月9日1.一种处理腔室，其包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由所述腔室侧壁所支撑的盖组件；基材支撑件，设置在所述腔室主体的处理区域内； 遮蔽框架，设置在所述基材支撑组件的边缘上；以及射频回流路径，具有连接至所述遮蔽框架的第一端及连接至所述腔室侧壁的第二端。2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中，所述射频回流路径包含挠性铝条。3.根据权利要求1所述的处理腔室，还包含绝缘体，设置在所述射频回流路径的第二端和所述腔室侧壁之间。4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中，所述绝缘体是陶瓷，并且利用紧固件连接至所述腔室侧壁及所述射频回流路径。5.根据权利要求4所述的处理腔室，还包含介电盖体，覆盖所述陶瓷绝缘体及所述射频回流路径的第二端。6.根据权利要求1所述的处理腔室，还包含陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽框架和所述基材支撑组件之间。7.根据权利要求1所述的处理腔室，还包含遮蔽框架支撑件，连接至所述腔室侧壁，并且经设置以在所述基材支撑组件处于基材传输位置时支撑所述遮蔽框架。8.一种处理腔室，其包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由所述腔室侧壁所支撑的盖组件；基材支撑组件，设置在所述腔室主体的处理区域内；延伸块，连接至所述基材支撑组件的底面并从所述基材支撑组件的外缘往外延伸； 接地框架，设置在所述处理腔室内，尺寸经订制以在所述基材支撑组件位于上升位...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·M·怀特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：US
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