本发明提供一种用于在处理期间控制衬底温度的底座组件与方法。在一个实施例中，用于在处理期间控制衬底温度的方法包括：将衬底放置于于真空处理室中的衬底底座组件上；藉由使热传流体流动通过该衬底底座组件内的径向流路来控制该衬底底座组件的温度，该径...

本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧...

本发明从具有聚合物涂层于残余物下方的衬底处理部件的表面上去除残余物。一种形式中，以有机溶剂接触该部件表面，以去除该残余物而不伤害或去除该聚合物涂层。该残余物可为处理残余物或黏着剂残余物。可执行清洁处理作为再磨光处理的一部分。另一种形式中...

本发明提供一种举升销以操作衬底承载座的承载表面上的衬底，并且将热量均匀地由衬底承载座传导到衬底。举升销包括销杆，销杆包含截面。截面具有交错配置的至少三个等长边与三个圆角。销头位于销杆的端部，其中销头具有大于销杆的截面的凸出承载面。平坦部...

本发明提供一种两部分定位环（１０１）。刚性上部（１１０）沿其内径设有环形凹部。环形耐磨下部（１０５）具有内径、由内径界定的环形延伸部、以及垂直于第二部分的表面且与内径相对的垂直壁。环形延伸部可适配至环形第一部分的环形凹部。环形第二部分的...

使用穿过反应器侧壁且具有与晶片边缘相匹配之曲率的拱形侧边气体注入喷嘴，并且为喷嘴提供来自远程等离子体源的等离子体副产物，以从固持于反应器内支撑底座上的晶片之背面移除掉聚合物。

本发明揭示一种用以减少等离子体处理室中微粒污染的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供黏贴盘，该黏贴盘包括盘形基部，该盘形基部由高电阻材料组成，导电黏贴材料层施加到该基部之顶表面，因而该黏贴材料层部分地覆盖住该基部之顶表面。该黏贴盘被溅...

一种磁体／靶材组件（１）包括靶材（２），所述靶材由多个并排设置的（虚拟的）部分（２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６）组成，所述靶材部分中的每一个沿着靶材（２）的纵轴ｘ延伸。所述多个靶材部分（２．１、２．２、２．３、２．４、２...

本发明提供一种减少来自电子组件处理中的废液的方法，包括在一热减量工具中减量该废液以产生已减量的废液；判断该已减量的废液是否含有一种或多种目标化学物质；以及根据判断结果来改变热减量工具的一个或多个操作参数。本发明提供多种其它实施例。

本发明涉及片材引导，更具体地涉及片材引导。用于无接触引导片材的引导装置设置有具有面向片材的表面和设置在表面中并适于为片材提供悬浮垫的大量气体出口的装置。此外，用于涂覆片材的设备和用于无接触引导片材的方法包括在表面上移动片材；并且从该表面...

本发明提供用于一种肘关节组件（１００）的方法、设备及系统，而该肘关节组件含有外壳，其具有盖部（１０４）及底部（１１２）；至少一个枢轴，其至少部分地被包封于外壳中，并适于耦合到机械手臂；以及带，其耦合到枢轴，并适于绕于轴承旋转枢轴。该外壳...

本发明提供一种用于通过使用集群工具由Ｎ型掺杂硅、Ｐ型掺杂硅、本征非晶硅和本征微晶硅形成太阳能电池板的方法和设备。所述集群工具包括至少一个装载锁定腔（１０２）和至少一个传送腔（１０６）。多个处理腔（１０４）连接到所述传送腔。可以出现少达５...

本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。

具有原位背侧聚合物去除的等离子体蚀刻工艺，开始于具有多孔掺杂碳二氧化硅电介质层和在工件表面上的光刻胶掩模的工件。工件在蚀刻反应室被夹紧到静电卡盘上。所述工艺包括引入氟碳基工艺气体，并在光刻胶掩模上沉积保护氟碳聚合物时，把ＲＦ偏压功率施加...

本发明提供了涉及使用抛光设备（例如抛光带）抛光衬底的装置和方法。抛光设备包括基体，其具有第一表面；树脂层，其粘结到所述基体的所述第一表面；和多个磨料珠，其通过所述树脂层附着到所述第一表面，所述多个磨料珠包括悬浮于粘结材料中的多个磨料颗粒...

本发明提供了晶圆处理沉积屏蔽构件。这里描述的实施例主要涉及用于半导体处理腔室的组件、用于半导体处理腔室的处理套件以及具有处理套件的半导体处理腔室。在一个实施例中，提供了用于在基板处理腔室中围绕溅镀靶材和基板支撑件的下屏蔽件。下屏蔽件包括...

本发明之实施例提出选择性形成钴层至露出电介质表面上之铜表面的制程。在一实施例中，提出覆盖基板上之铜表面的方法，其包括在处理腔室内暴露基板的污染铜表面至还原剂，同时形成金属铜表面、在气相沉积制程期间，使基板接触钴前驱物气体而选择性形成钴覆...

等离子体处理室具有带有整合均流器的下部内衬件。在蚀刻处理中，处理气体会被不均匀地从处理室抽吸，其可导致衬底的不均匀蚀刻。所述整合均流器配置成将使从该室经由下部内衬件排出的处理气体的流动均匀。

本发明提供了一种操作电子器件制造系统的方法，包括以下步骤：当处理工具在处理模式下进行操作时，将惰性气体以第一流率引入处理工具真空泵中；以及，当处理工具在清洁模式下进行操作时，将惰性气体以第二流率引入处理工具真空泵中。本发明亦提供了多个其...

本发明提出用于平坦化基底的方法及设备。提出具有改良的外罩的基底承载头以牢固地握持基底。外罩可具有珠部，其尺寸大于与其进行配适的凹部，从而通过压缩力在凹部内形成共形的密封。珠部亦可不经涂覆，以加强珠部与沟槽表面的附着力。可将外罩表面粗糙化...