本发明提供用来定位衬底中心的系统及设备。本发明包含：框架，其安装在衬底处理设备的狭缝阀组件和传送腔室壁之间；至少一个发射器，其容纳在框架内，并适于发射信号；至少一个传感器，其容纳在框架内，并适于接收发射的信号；以及控制器，适于基于传感器...

本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀...

在第一方面中，提供了一种用于组装洗涤器刷子组件的方法。所述方法包括以下步骤：（１）将一个或多个插件插入到洗涤器刷子的开口中，其中洗涤器刷子的开口由洗涤器刷子的内表面限定；（２）将心轴插入到洗涤器刷子的开口中，使得一个或多个插件位于心轴的...

描述了一种电压补偿组件，其适合于具有用于与衬底上的电子元件相接触的探测器的系统。该电压补偿组件包括：连接到探测器并且适合于经由探测器对电子元件进行主动电压补偿的控制器；以及连接到控制器并且用于对衬底上的电压进行测量的电压测量单元。

本发明公开一种具有弯曲或倒角表面的保持环。当保持环用于抛光处理时，弯曲表面可以避免对于固定磨蚀粒的抛光垫的损坏。弯曲或倒角表面位于环的底表面上，例如沿着外径与／或沿着形成在环的底部中的通道的侧壁。

本发明涉及一种用于制造半导体器件的背部触点（２１）的方法和用于实施所述方法的真空处理系统的使用方法，所述半导体器件特别是太阳能电池（２０），所述背部触点包括真空处理室中的衬底（２２）背部上的金属层（２４）。通过所述方法以及其使用方法，因...

本发明涉及一种用于蒸发固态材料（例如硒）的设备，其中固态材料用于给衬底镀膜。固态材料通过馈送源进入第一坩埚。在该坩埚中，材料在优选地略微大于其熔点的温度下熔化。熔化的材料经由输送装置（例如为管道）流动到第二坩埚中，材料在第二坩埚中以大于...

在用于诸如半导体晶片的工件的激光退火系统中，高温计波长响应波段建立在位于激光发射波段与来自激光器系统的光学组件的荧光发射波段之间的窄的窗口内，高温计响应波段位于工件上的光学吸收器层在该处具有等于或大于下层工件的光学吸收系数的波长范围内。...

本发明用于处理室的高效ＵＶ清洁，其提供一种紫外（ＵＶ）固化室，其能够对布置在衬底上的介质材料进行固化并对其进行原位清洁。串列处理室设有两个单独并相邻的处理区域，这些处理区域由盖子所覆盖的主体限定，盖子分别位于各个处理区域上方并具有对准的...

本发明公开具有均匀温度分布晶片支撑的电容耦合等离子体反应装置。用于处理工件的等离子体反应装置包括反应室、在室内用于支撑工件的静电吸盘、耦合用来向静电吸盘施加ＲＦ功率的ＲＦ等离子体偏置功率发生器以及具有在静电吸盘内部并且具有入口和出口的热...

本发明提供一种生产电极组件的涂覆设备和方法。用于ＰＥＣＶＤ涂覆设备的电极组件（１２）包括基体板（１３）、分离板（１４）和电极板（１５）。电极板（１５）包括框架构件（１６）。固定元件（１７）设置用于将电极板（１５）固定到基体板（１３）。此...

本发明描述了一种利用光刻胶模板掩模的频率加倍的方法。根据本发明的实施例，首先提供其上形成有光刻胶层的器件层。图案化光刻胶层以形成光刻胶模板掩模。间隔物形成材料层被沉积在光刻胶模板掩模上。间隔物形成材料层被刻蚀，以形成间隔物掩模并暴露光刻...

本发明公开一种利用校准装置的机械手校准的方法和设备。在一个实施例中，用于执行机械手校准的方法包括横跨目标（例如，晶片卡盘）地移动校准装置。下面，该方法包括利用定位于校准装置上的传感器测量传感器的光点和目标的周边之间的距离。下面，该方法包...

本发明公开一种用于在平面板上溅射的磁控管（８０），其包括主磁控管，所述主磁控管为大致矩形形状并具有沿着一组边缘的线性部分和沿着另一组的弯曲部分。具有与外极的磁极性相反的某种磁极性的辅助磁体（８６，８８，１００）放置在弯曲部分的外部以从弯...

本发明公开一种使用照相机用于机械手校准的方法和系统。在一个实施 例中，用于执行机械手校准的方法包括人工校准关于目标对准的机械手叶 片的中心。该方法进一步包括记录关于照相机对准的机械手叶片的中心的第 一位置值。该方法进一步包括自动确定关于...

本发明涉及一种生成透明导电氧化物涂层（ＴＣＯ层），特别是用作薄片太阳能电池的透明接触的透明导电氧化物涂层的方法。该ＴＣＯ层至少由高电导率第一层和低电导率第二层构成，其中第二层通过ＤＣ溅射至少一个含氧化锌以及铝的靶４生成，并且工艺气氛包含...

本发明涉及处理室中工艺终点的检测。本发明公开了用于确定在室中进行的清洗工艺的终点的方法和装置。具体地，本发明的实施例是包括如下步骤的方法：（ａ）将清洗工艺的副产物吸收的辐射导入所述室的抽出管道内；（ｂ）检测副产物对所述辐射的吸收率的测量...

本发明公开一种在等离子体反应装置中以均匀温度冷却晶片支撑的方法。从ＲＦ耦合的等离子体反应装置中的工件支撑传热或者向其传热的方法包括将冷却剂放置于位于工件支撑内部的内部流通道中，并通过使冷却剂循环经过制冷环路而从冷却剂传热或者向冷却剂传热...

本发明用于双频ＲＦ匹配。具体讲，提供了一种用于具有双频阴极的等离子增强型半导体处理腔的双频匹配电路（１０８）。该匹配电路包括具有结合到公共输出（２１２）的可变分路（Ｃ１、Ｃ４）的两个匹配电路（２０２－２０４）。在工作期间，匹配电路使独立...

本发明涉及用于溅射反应器中的护罩。本发明的一个方面包括定位在等离子体溅射反应器的室壁外部的辅助磁环，其至少部分地布置在ＲＦ线圈的径向外部，该ＲＦ线圈用于感应发生等离子体，尤其是用于溅射刻蚀被溅射沉积的衬底。由此，磁阻挡防止等离子体向外泄...